技术

第一种：雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。 在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路： 第二种：器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。... 阅读详情

运算放大器组成的电路五花八门，令人眼花瞭乱。工程师在分析它的工作原理时常抓不住核心，令人头大。为此小编特地搜罗天下运放电路之应用，来个“庖丁解牛”，希望各位看完后有所收获。 遍观所有模拟电子技术的书籍和课程，在介绍运算放大器电路的时候，无非是先给电路来个定性，比如这是一个同向放大器，然后去推导它的输出与输入的关系，然后得出Vo=(1+Rf)Vi，那是一个反向放大器，然后得出Vo=-Rf*Vi。... 阅读详情

1、三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）两种，符号如下： MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）： 2、三极管和MOS管的正确应用 （1... 阅读详情

嵌入式开发项目中，首先需要做需求分析，然后根据需求分析进行综合考虑，这里给出几个嵌入式硬件设计时特别要注意的问题。 1、MCU的选择 选择 MCU 时要考虑 MCU 所能够完成的功能、MCU 的价格、功耗、供电电压、I/O 口电平、管脚数目以及 MCU 的封装等因素。MCU 的功耗可以从其电气性能参数中查到。供电电压有 5V、3.3V 以及 1.8V 超低电压供电模式。为了能合理分配 MCU... 阅读详情

David Song    Microchip Technology Inc.    资深应用工程师 对PIC® MCU的爱好者来说，MPLAB® X IDE除了在一些配置不高的电脑上跑起来比较慢之外，不失为一款比较优秀的开发环境，其编辑、编译、调试和烧录功能都非常强大。而AVR® MCU的Studio 7开发环境，继承了Visual Studio（VS）的血脉，只是风格与X IDE不同而已... 阅读详情

对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用，有不同的解决方案。 一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V。这样的规格不仅在信息技术市场的服务器应用中很常见，在电信应用中同样常见。 如果将一个降压转换器（降压器）用于此单一转换步骤，如图 1 所示，会出现小占空比的问题。 图1. 通过单一转换步骤将电压从48 V降至3.3 V 占空比反映导通时间（当主 开关导通时）和断开时间（当主开关断开时）... 阅读详情

作者： TI 工程师 Max Han 简介 MSP430FR2311是一款FRAM数字控制器，可以实现超低功耗，并且集成了丰富的外设模块，可以满足工业和消费等多种应用。MSP430FR2311中的eUSCI_A0支持UART通讯，本文对此UART模块的寄存器配置进行了详细的分析和计算，以帮助工程师对此UART模块进行深入理解和灵活配置。 UART通讯模块介绍... 阅读详情