芯片

- 可编程模块化解决方案简化新智能电表、智能电网硬件、智能路灯、家庭控制器和工业控制器的设计和部署

2017年10月9日 – 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推动全球电能使用和管理智能化浪潮,推出新的模块化电力线通信(PLC)调制解调器芯片组。新芯片组让设备厂商能够灵活地设计电表、智能电网节点、路灯、家庭控制器、工业控制器,目前这款新产品被三家世界一流的智能电表厂商用于设计新的解决方案。

ST电力线通信芯片组解决方案,为新智能电力基础设施的推出铺平道路

作为一个整体解决方案,新芯片组整合了数据封装和转换所需的协议处理功能,可以发送数据,具有通过电网发送数据所需的线路驱动功能,让客户能够研制高成本效益的电力线通信产品,既可以是新设计的内部组件,也可以是旧设备外接模块的内核,能够完美满足某些特定法规的要求。在这些应用场景中,ST PLC调制解调器芯片组用作外部通信模块,用于连接现有的或新的电表或控制器。此外,灵活的可编程功能让多个不同型号产品柯以共用同一个硬件平台,支持软件现场更新,从而进一步降低拥有成本。

意法半导体工业和转换产品部总经理 Domenico Arrigo表示:“从推出第一代数字电表开始,ST为世界一流的智能电表厂商提供服务,今天芯片组部署数量超过6000万颗,遍布欧洲、中国和美洲的家庭和楼宇。利用在初级阶段积累的经验,全球下一代智能电表和其它物联网计划提出了新的设计要求,而是我们的新芯片组是满足新要求的最佳解决方案。新芯片组是一个灵活且高成本效益的PLC连接解决方案,全编程功能可让其在全球部署变得更简单,而且支持不同的PLC标准。”

市场调研公司IHS Markit[1] 称,目前智能电表年销量超过1亿台,预计到2021年销量增长速度超8%。

技术说明

新芯片组由两颗芯片组成:ST8500可编程PLC引擎和STLD1线路驱动器。

ST8500是一个系统芯片(SoC),包括一个高性能的四核DSP处理器和一个ARM® Cortex®-M4F内核处理器,前者用于实时协议处理,后者用于高层处理及系统管理。每个处理器在芯片上都有各自的程序和数据SRAM存储器。该芯片还提供一套智能电表专用外设接口,其中包括AES加密引擎,还集成了用于连接STLD1线路驱动器的模拟前端(AFE)。

ST8500的接收功耗低于100mW,确保新智能电表具有超低功耗,满足最新的能效标准,最大限度降低电网负荷。STLD1线路驱动器通信可靠性很高,甚至能够在有噪声的线缆上通信,在单端18V或差分模式36V宽压输出范围内,具有低阻抗、高驱动能力和高线性。

芯片内置通过认证的G3-PLC和PRIME电力线协议栈,并符合CENELEC、FCC和ARIB频带法规。

新芯片组即日起量产上市。ST8500系统芯片采用7mm x 7mm x 1mm QFN56封装,STLD1采用4mm x 4mm x 1mm QFN24封装。有关价格信息和样片申请,请联系所在地的意法半导体销售处

产品详情访问 www.st.com/powerline

来源: ST社区

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本文介绍了一种共享高速存储器模块的设计。该高速存储器能够实现多核处理器间的数据交换,同时占用较小的电路面积。相比传统的多核处理器数据交换方式,本设计可以更好地提升系统性能。是一种有市场竞争力的电路设计结构;

1. 共享缓存结构设计

1.1 总体考虑

在多核 CPU中共享高速缓存主要负责缓存多个处理器核的数据,处理访问这些数据的缺失请求并向 DRAM 控制器发送请求以获得 DRAM 返回的数据。共享高速缓存通过交叉开关总线与各个处理器核互连,通过交叉开关总线转发通信数据包进行数据通信。共享高速缓存分为四个缓存组,每个缓存组采用组相联地址映射。每个处理核心都可以发送数据包到任意一个缓存组,同数据包也可以反方向发送从任意一个缓存组到任意一个处理核心。

共享缓存采用四路组相联映射,将缓存分1024 组。缓存块的物理地址分为3部分,包括标签块、索引块以及块内偏移。索引部分用于确定缓存块所在的组。通过比较物理地址的标签块和所选中组内的四路标签,可以确定访问的命中或者缺失。在命中时,比较的结果作为路选择向量发往数据阵列。缓存通过路选择向量和组选择向量确定

1.2 缓存一致性

对称式共享存储器多处理器系统中多处理器2高速缓存子系统共享同一个物理存储器,通过总线连接,对于所有的处理器访问存储器的时间一致,即均匀存储访问 (UMA)。对称式共享存储器系统支持共享和私有数据的缓存。私有数据被单个处理器使用,而共享数据则被多个处理器使用,通过读写共享数据完成处理器之间的通信。共享数据在多个缓存中形成副本,减少了访问时延、降低了对存储器带宽的要求并减少多个处理器读取共享数据时的竞争现象。然而,共享数据带来了缓存一致性问题,实现缓存一致性关键在于跟踪所有共享数据块的状态。目前为了实现缓存一致性而广泛采用的有目录式以及监听式这两种协议。该设计采用目录式缓存一致性协议 ,把物理存储器的共享状态放在目录表中,根据目录跟踪哪一个以及缓存拥有二级缓存块的副本。一级缓存是写直达的,只有无效信息被要求,共享缓存是写回的,数据总可以从共享缓存中重新得到。为减少目录的开销,将目录放在缓存中而不是存储器中。

当一个块还未被缓存有 2 种可能的目录请求:

1) 读缺失:共享缓存向发出请求的处理器送回所要求的数据,发送请求的节点成为唯一的共享节点。块的状态设为共享。

2) 写缺失:向发出请求的处理器送回数据并使它成为共享节点。数据块设为独占状态,指明这是唯一有效的缓存副本。共享者集合中指明所有者。当数据块处于共享状态时,共享缓存中的值是最新的,有 2 种可能的目录请求:

1) 读缺失:共享缓存向发送请求的处理器送回所要求的数据,并将发送请求的处理器放到共享集中。

2) 写缺失:向发送请求的处理器送回数据,无效共享集合中的处理器缓存块,保存发送请求的处理器标识,将数据块设置成独占状态。

当数据块处于独占状态时,块的当前值保存在共享者集所指明的处理器的缓存中,有 3 种可能的目录请求:

1) 读缺失:向所有者处理器发送数据消息,将缓存块状态设为共享。由所有者向目录发送数据,将数据写入共享缓存并发送回发出请求的处理器。再将发出请求的处理器添加到共享者集合中,这时集合中仍然会有其他所有者处理器。

2) 数据写回:执行写回操作,更新存储器副本 ,共享者集合为空。

3) 写缺失:数据块有了新的所有者。向旧的所有者发送消息,使缓存将该数据块设置为无效,并把值发送到目录中,再通过目录把数值发送到发出请求的处理器上。发出请求的处理器成为新的所有者。共享者集合只保留新所有者的标识,而块仍然处于独占状态。

2. 高速共享缓存模块

用户RAM大小为2MB,挂接在双核之间的AHB总线上,两个内核访问区域可以任意配置。其内部是一块 SRAM 和AHB总线从接口电路,如图2-1所示。读访问有一个周期的延迟,写访问无延迟。读写访问时序见图2-2、图2-3。读写都支持字节(byte)访问、半字(half-word)访问或字(word)访问。

用户RAM所在的地址空间范围为0xA0000000 ~ 0xA01FFFFF。

基带处理芯片共享高速存储器模块设计
图 2‑1 用户RAM结构示意图

假设CPU0写数据到用户RAM,接着CPU1从用户RAM读数据。这种情况下,CPU0首先写数据,然后将标志变量置1,表示用户RAM内的数据已更新。标志变量地址位于用户RAM地址范围内。接着CPU1读标志变量,若变量为1,则从用户RAM内对应地址读取CPU0写入的数据,并将标志变量置0;若标志变量为0,则表示用户RAM内数据已被CPU1读取过。

使用以上方法可实现核间数据交互。由于同一时刻AHB总线上只能有一个设备利用总线进行读写,所以可以保证读写操作的原子性,即标志变量不可能被CPU0和CPU1同时访问。从而保证了标志变量的有效性。

基带处理芯片共享高速存储器模块设计
图 2‑2 用户RAM读时序

基带处理芯片共享高速存储器模块设计
图 2‑3 用户RAM写时序

来源: 互联网

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单片机(MCU)一般都有内部EEPROM/FLASH供用户存放程序和工作数据。什么叫单片机解密呢?如果要非法读出里的程式,就必需解开这个密码才能读出来,这个过程通常称为单片机解密或芯片加密。

为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序,大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节,以保护片内程序;如果在编程时加密锁定位被使能(锁定),就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序,单片机攻击者借助专用设备或者自制设备,利用单片机芯片设计上的漏洞或软件缺陷,通过多种技术手段,就可以从芯片中提取关键信息,获取单片机内程序这就叫单片机解密。大部分单片机程式写进单片机后,工程师们为了防止他人非法盗用,所以给加密,以防他人读出里面的程式。

单片机加解密可划分为两大类,一类是硬件加解密,一类是软件加解密。硬件加密,对于单片机来说,一般是单片机厂商将加密熔丝固化在IC内,熔丝有加密状态及不加密状态,如果处于加密状态,一般的工具是读取不了IC里面的程序内容的,要读取其内容,这就涉及到硬件解密,必须有专业的硬件解密工具及专业的工程师。

其实任何一款单片机从理论上讲,攻击者均可利用足够的投资和时间使用以上方法来攻破。这是系统设计者应该始终牢记的基本原则,因此,作为电子产品的设计工程师非常有必要了解当前单片机攻击的最新技术,做到知己知彼,心中有数,才能有效防止自己花费大量金钱和时间辛辛苦苦设计出来的产品被人家一夜之间仿冒的事情发生。

众所周知,目前凡是涉及到单片机解密的领域一般都是进行产品复制的,真正用来做研究学习的,不能说没有,但是相当罕见。所以,想破解单片机解密芯片破解,就得知道单片机解密芯片破解的原理。

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相比MCU+模拟的分立解决方案,物联网设备采用定制化SoC设计可以降低BoM和功耗,增加功能和可靠性。过去,像ARM这样的厂商,不管芯片有没有生产、销售,都会先收取一笔授权费,因而对于初创企业来说,想要开发基于Cortex-M0内核的SoC基本是不可能的。而现在,事情变得简单多了。

在这个物联网的时代,万事万物都被赋予智能,即使是最简单的产品也不例外。随着量的增加,厂商们更希望采用定制化的SoC来设计产品,其原因是定制化的SoC可有效降低系统BoM和功耗,并增加功能和可靠性。

根据IMEC IC-link统计,定制化SoC的年复合增长率为15%。那么问题来了,定制化SoC是在哪些领域实现了增长?定制自己的SoC成本和优势又如何?

驱动这波定制化SoC增长的主要有三股力量:传感器和混合信号公司,推出集成化的IoT解决方案;初创公司推出创新的解决方案;以及OEM厂商,以期通过SoC定制降低成本和功耗并实现差异化。

有数据显示,相比MCU+模拟器件的分立式解决方案,定制化SoC可以降低90%的BoM,降低85%的PCB面积并实现差异化。通过将分立器件集成到单个SoC当中,还可以降低器件停产的风险。此外,采用SoC的产品还可以更容易地通过性能试验。

从成本上看,与我们经常听到的28nm、14nm等先进工艺动辄几百万上千万美元的流片成本不同,混合信号芯片采用180nm、90nm和65nm的成熟工艺制造,成本仅需数万美元。同时,IP模块、软件和工具可以重用,子系统也可以通用。

数万美元即可定制芯片,成本不到MCU+模拟十分之一

图1:SoC降成本的优势

此外,据S3集团的数据显示,相比分立式解决方案的BoM成本,设计定制化SoC虽然前期的一次性工程费用较高,但是在12到18个月后,成本即可收回,后期则会实现更多利润。

数万美元即可定制芯片,成本不到MCU+模拟十分之一

以250万美元投入为例,设计定制化SoC虽然前期的一次性工程费用较高,但是在12到18个月后,成本即可收回,后期盈利更高

在讨论了定制化SoC的优势后,再来看看物联网厂商如何实现。我们知道,SoC当中通常包含有一个处理器和许多的模拟功能。Cortex-M0是适合物联网开发的一款主流MCU内核产品。然而,在以前,一个公司想要开发一款基于Cortex-M0内核的SoC,不管芯片有没有生产、销售,ARM都要先收取一笔授权费。

为了因应物联网的碎片化背景和满足初创公司所需,ARM于2015年底推出了DesignStart Cortex-M0计划。它为SoC设计人员提供了免费的ARM Cortex-M0处理器IP,用于设计、仿真和原型建模。

这样,ARM通过将该项服务免费开放给用户进行研发测试,用户在需要正式制造芯片销售时,才需要向ARM支付授权费。这对初创公司开发SoC来说,无疑是一大利好。此外,ARM推出的快速授权服务(售价4万美元)也简化了授权流程,这为创业公司提供了一个绿色快速通道。

设计人员可以通过ARM的DesignStart门户网站获取这一打包服务,具体包括:

● Cortex-M0处理器及系统设计工具包(SDK),其中包括系统IP、外设、测试平台以及相关软件;

● 一份关于完整的ARM Keil MDK开发工具的90天免费授权许可。

这一打包服务为设计人员免除了在采用预配置的Cortex-M0处理器进行新的SoC设计、仿真和测试时通常所需的前期授权所带来的成本压力。此外,这一打包服务还提供价格为995美元的Versatile Express FPGA开发板,可供设计人员将其设计推进到原型建模阶段。

数万美元即可定制芯片,成本不到MCU+模拟十分之一

图3:ARM Cortex-M0 DesignStart设计包实现框图简化

开发者如果希望对其设计进行商业化量产,可以以4万美元的价格购买简化的、标准化的快速授权,从而将ARM Cortex-M0处理器相关IP、SDK和Keli MDK开发工具用于商业目的,同时还能得到来自ARM的技术支持。

无论是初创公司还是已有一定规模的厂商,升级后的DesignStart门户网站为更多的SoC开发人员打开了通往ARM技术的大门,并使其设计的商业化量产更加迅速便捷。

此外,DesignStart平台新增的Cadence和Mentor Graphics EDA工具可以加速嵌入式和IoT领域定制化SoC的研发。当测试芯片可以低至1.6万美元的成本进行制造时(不包括EDA工具和IP授权费用),开发定制化SoC的道路将变得愈发平坦。

总之,ARM DesignStart这一创新的商业模式,满足了物联网时代定制化SoC设计所需。初创公司设计低成本的定制化SoC产品已不再是难事。

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研究机构IC Insights周二公布2016全球前二十大芯片厂预估营收排名,其中美国有八家半导体厂入榜,日本、欧洲与台湾各有三家,韩国则有两家挤进榜。联发科跟随OPPO、vivo等手机厂商快速成长,今年营收估计将达 86.1 亿美元,年成长 29%。若除去三大纯晶圆代工厂,中国最大的半导体公司华为海思将以37.62亿美元的营收排名第19。

英特尔今年预估营收将来到563.13亿美元,较去年成长8%,依旧稳居半导体业龙头。排名第二的三星,营收预估成长4%至435.35亿美元,与英特尔的差距拉大至29.4%。晶圆代工厂台积电预估营收将成长11%,成为293.24亿美元,居第三名,成长幅度为前五大厂之首。

高通、博通分居第四与第五名,预估营收分别年减4%与年增1%。 整个来看,今年前20大厂仅有五家营收成长幅度来到两位数。除了台积电之外,还有第9名东芝成长16%、第11名(原第13名)联发科成长29%、第14名苹果成长17%、第16名NVIDIA成长35%。

IC Insights 指出,以营收成长速度来看,NVIDIA今年受惠图像处理芯片、Tegra 处理器在电竞、数据中心与车用市场之应用高度成长,营收可望达到 63.4 亿美元,年成长 35%,将是半导体大厂中成长幅度最大的厂商。联发科因中国大陆地区的手机客户 OPPO、vivo 等快速成长,今年营收估计将达 86.1 亿美元,年成长 29%,将是半导体业界成长幅度第二大的厂商,并将超越英飞凌与 ST,升上全球第 11 大厂的位置。

IC Insights报告又指出,若将台积电、格罗方德(GlobalFoundries)与联电等三大纯晶圆代工厂排除,AMD(42.38亿美元)、海思(37.62亿美元)与夏普(37.06亿美元)依序将可名列第18、19与20名。

自 集微网

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来源:台工商时报

各类芯片狂飙,智能机不涨不行了

各类芯片涨价情况

内存价格第1季顺利调涨后,第2季价格可望续涨近1成幅度,然而除了内存价格看涨,包括模拟IC领域的金氧半场效晶体管(MOSFET)、CMOS影像传感器等关键零组件,第2季同样涨声响起,若再加上新款手机芯片、中央处理器、绘图芯片的价格又高于旧款,系统厂第2季获利恐被明显压缩,终端产品看来不涨不行了。

第1季是传统淡季,但内存市场却是热度不减,DRAM及NAND Flash价格持续大涨,连已经长达8年以上没涨过价的NOR Flash也在3月顺利涨价近1成幅度。 第2季进入智能型手机零组件备货旺季,加上PC市场的内存搭载容量大举提高,在龙头大厂三星带头下,业界对于DRAM、NAND Flash、NOR Flash第2季价格续涨已有共识。

然而内存涨价效应持续发酵,其它芯片价格也蠢蠢欲动。 由于智能型手机及PC的运算能力日益强力,新机型开始支持VR/AR、快速充电及无线充电、高速数据传输接口等新功能,但又要节能省电,单一系统内建MOSFET数量明显增加。 由于国际大厂明显淡出,国内业者又面临晶圆代工产能受限压力,在供给日益吃紧情况下,已有通路商开始释出涨价消息,第2季看来有机会调涨价格。

至于手机用CMOS影像传感器(CIS)同样也是涨声响起。 以智能型手机为例,今年双镜头手机已是市场趋势,后镜头增加成两颗后,需求已明显放大。 此外,苹果iPhone 8搭载3D传感器可望带动新需求,手机可能为了支持结构光或飞时测距(ToF)技术,需要增加2~3颗CIS组件,但包括索尼及三星等大厂,近2年并无大举扩产动作。 总体来看,CIS组件第2季恐将供不应求,价格自然有涨价机会。

至于逻辑IC部分,今年上半年有许多功能强大的新产品陆续上市,价格都比上代产品贵。 如英特尔新一代Kaby Lake处理器、超威Ryzen处理器、高通及联发科10奈米手机芯片等,都因为加入许多新功能,售价比起上一代产品高出1~2成。 至于绘图芯片同样因为加强平行及异质运算功能,辉达Pascal绘图芯片价格较上代高,即将推出的Volta价格可能更贵,超威即将推出的Vega绘图芯片价格看来也会比目前主流的Polaris高。

系统厂第2季将着手打造新产品,面临内存、处理器、MOSFET、CIS等零组件价格涨不停,恐将明显压缩获利能力。 因此,在苹果iPhone 8售价恐将调高至1,000美元以上情况下,包括华为、OPPO等新机都已喊涨,PC厂也主攻高价电竞市场。 由此来看,终端产品今年也会迎来涨价潮。

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如题,先从大厂说起。目前芯片厂商有三类:IDM、Fabless、Foundry。

IDM(集成器件制造商)指 Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂,集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商,一般还拥有下游整机生产。

Fabless(无厂半导体公司)则是指有能力设计芯片架构,但本身无厂,需要找代工厂代为生产的厂商。

Foundry(代工厂)则指台积电和 GlobalFoundries,拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星有自己研发的猎户座芯片,同时也会代工苹果 A 系列和高通骁龙的芯片系列,而台积电无自家芯片,主要接单替苹果和华为代工生产。

制程

在描述手机芯片性能的时候,消费者常听到的就是 22nm、14nm、10nm 这些数值,这是什么?

这是芯片市场上,一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升,带来的都是性能的增强和功耗的降低,而每一款旗舰手机的发布,常常与芯片性能的突破离不开关系。

据悉,骁龙 835 用上了更先进的 10nm 制程, 在集成了超过 30 亿个晶体管的情况下,体积比骁龙 820 还要小了 35%,整体功耗降低了 40%,性能却大涨 27%。

深入来说,这几十纳米怎么计算出来的?我们从芯片的组成单位晶体管说起。

得益于摩尔定律的预测,走到今天,比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果 A10 Fusion 芯片上,用的是台积电 16nm 的制造工艺,集成了大约 33 亿个晶体管。

而一个晶体管结构大致如下:

简单来说,我们常听到的 22nm、14nm、10nm 究竟是什么意思?

图中的晶体管结构中,电流从 Source(源极)流入 Drain(漏级),Gate(栅极)相当于闸门,主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是 XX nm工艺中的数值。

对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近 20nm 时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。为了在 CPU 上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。

一方面,电流泄露将直接增加芯片的功耗,为晶体管带来额外的发热量;另一方面,电流泄露导致电路错误,信号模糊。为了解决信号模糊问题,芯片又不得不提高核心电压,功耗增加,陷入死循环。

因而,漏电率如果不能降低,CPU 整体性能和功耗控制将十分不理想。这段时间台积电产能跟不上很大原因就是用上更高制程时遭遇了漏电问题。

还有一个难题,同样是目前 10nm 工艺芯片在量产遇到的。

当晶体管的尺寸缩小到一定程度(业内认为小于 10nm)时会产生量子效应,这时晶体管的特性将很难控制,芯片的生产难度就会成倍增长。骁龙 835 出货时间推迟,X30 遥遥无期主要原因可能是要攻克良品率的难关。

另外,骁龙 835 用上了 10nm 的制程工艺,设计制造成本相比 14nm 工艺增加接近 5 成。大厂需要持续而巨大的资金投入到 10nm 芯片量产的必经之路。

就目前阶段,三星已经尝试向当前的工艺路线图中添加 8nm 和 6nm 工艺技术,台积电方面则继续提供 16nm FinFET 技术的芯片,开始着力 10nm 工艺的同时,预计今年能够样产 7nm 工艺制程的芯片。

FinFET

除了制程,还有工艺技术。

在这一代骁龙 835 上,高通选择了和三星合作,使用三星最新的 10nm FinFET 工艺制造。同样,三星自家的下一代旗舰猎户座 8895 用的也是用此工艺。

FinFET 是什么?

业界主流芯片还停留在 20/22nm 工艺节点上的时候,Intel 就率先引入了 3D FinFET 这种技术。后来三星和台积电在 14/16nm 节点上也大范围用上了类似的 FinFET 技术。下面我们统称为 FinFET。

简单来说,我们常听到的 22nm、14nm、10nm 究竟是什么意思?

FinFET(Fin Field-Effect Transistor)称为鳍式场效应晶体管,是一种新的晶体管,称为 CMOS。具体一点就是把芯片内部平面的结构变成了3D,把栅极形状改制,增大接触面积,减少栅极宽度的同时降低漏电率,而晶体管空间利用率大大增加。

因为优势明显,目前已经被大规模应用到手机芯片上。

经历了 14/16nm 工艺节点后,FinFET 也历经升级,但这种升级是存在瓶颈的。目前,大厂们正研究新的 FD-SOI(全耗尽绝缘体硅)工艺、硅光子技术、3D 堆叠技术等,斥资寻求技术突破,为日后 7nm、甚至 5nm 工艺领先布局。

LPE/LPP/LPC/LPU 又是什么?

在工艺分类上,芯片主要分两大类:

● HP(High Performance):主打高性能应用范畴;
● LP(Low Power):主打低功耗应用范畴。

满足不同客户需求,HP 内部再细分 HPL、HPC、HPC+、HP 和 HPM 五种。

HP 和 LP 之间最重要区别就在性能和漏电率上,HP 在主打性能,漏电率能够控制在很低水平,芯片成本高;LP 则更适合中低端处理器使用,因为成本低。

所以,芯片除了在制程上寻求突破,工艺上也会逐步升级。

2014 年底,三星宣布了世界首个 14nm FinFET 3D 晶体管进入量产,标志着半导体晶体管进入 3D 时代。发展到今天,三星拥有了四代 14nm 工艺,第一代是苹果 A9 上面的 FinFET LPE(Low Power Early),第二代则是用在猎户座 8890、骁龙 820 和骁龙 625 上面的 FinFET LPP(Low Power Plus)。第三代是 FinFET LPC,第四代则是目前的 FinFET LPU。至于 10nm 工艺,三星则更新到了第三代(LPE/LPP/LPC)。

目前为止,三星已经将 70000 多颗第一代 LPE(低功耗早期)硅晶片交付给客户。三星自家的猎户座 8895,以及高通的骁龙 835,都采用这种工艺制造,而 10nm 第二代 LPP 版和第三代 LPU 版将分别在年底和明年进入批量生产。

不知不觉,手机芯片市场上已经进入了 10nm、7nm 处理器的白热化竞争阶段,而 14/16nm 制程的争夺也不过是一两年前的事。

之前有人怀疑摩尔定律在今天是否还适用,就芯片的进化速度和技术储备来看,不是技术能力达不到,而是厂商们的竞争程度未必能逼迫它们全速前进。

来源:爱范儿

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引言

当下的华夏大地,正被一股天翻地覆的英雄气概所笼罩。半导体集成电路正成为仅次于互联网机器人的热词。没有几个人能说得清,有多少条8吋12吋生产线在运筹帷幄之中,又有多少大佬背着钱袋在这个“金矿”边上徘徊。中国历来的传统是,党指向哪里我们就冲向哪里。今天国家确定的目标,就是今后我们为之奋斗的战场。最近我们的行业领军人士已经开始注意到潜在的风险,我们在去“传统产能”的同时,会不会带来新的“高科技产能过剩”风险?这是我们每个行业从业者要认真考虑的。难怪半导体大佬发出”如今半导体产业虚火太旺”这样的感叹!今天《产品智慧圈》向大家推荐这篇文章,看看老外眼中的中国半导体产业到底是个什么样?

◆ 原文标题:中国的FAB:繁荣还是萧条?

BY: MARK LAPEDUS MARCH 16TH, 2017

翻译:韩继国

中国的半导体产业正在以难以置信的步伐连续扩张,目前在中国约有24座新Fab在开工建设。中国最近在半导体领域超乎寻常的大规模投资行为已经引起行业更多的思考: 这个未来的市场将如何演绎?

无论这些Fab项目最终能否落地,近似于疯狂的大规模建厂背后的动机是清晰的,这就是中国试图摆脱集成电路产品依赖别人的状况。中国政府希望有更多的芯片是本国造,特别是基于国家安全的考量。作为这一庞大规划的一部分,中国已经引进了许多跨国芯片制造商。他们看重的是那里的市场。GlobalFoundries,Intel,Samsung,SK Hynix,TSMC和UMC都在中国设厂并逐步扩大他们的产能。

另外,在中国的土地上开始了新一波的fabs建设热潮。目前有大约14~22家新的fab在实施中,他们当中有的已经开始建设,有的还在筹划之中。这些项目既包括本土企业,也包括跨国企业。令人疑问的是这些fab项目最终能否真正落地?因为对中国芯片制造商来说,阻挡他们实现雄心的过去是技术,现在还是技术。

在过去的时间里虽然中国已经宣布了众多的fab项目计划,但是许多还是停留在纸面上。基于这点和对未来半导体行业的发展趋势研判,某些观点认为中国这一波新的fab项目有50%会鹿死胎中,当然也有人持乐观的看法。“我不想给出一个类似于50%这样的具体数字,但确实很难相信这些fab都能按计划建设和运营。”Gartner的分析师Samuel Wang给出这样的观点,“在这些计划面前每一个人都是雄心勃勃的,但在这些fabs实际建成并投入运营之前,任何事情都可能发生。”

Gartner预计,如果这些项目全部落地投产,中国12英寸芯片产能总量将扩大三倍之多,从现在的每月400,000片(wspm),到2020年可达到1.4million 片(wspm)。这些产能的60%是存储器芯片,40%是逻辑电路。即使这些项目不能完全落地,也仍然带来一些令人不安的信号。比如,这些计划中的大部分制造商将目标锁定为28纳米工艺,一个时期后会不会出现产能供大于求,价格战会不会一触即发?Samuel Wang肯定地说,“价格战会在2018年正式开始,那将对代工业务产生巨大影响。”

接下来,中国本土芯片制造商将会超越现在被动的跟随技术去开发更加先进的前沿技术。这些本土芯片制造商能否短时间内在逻辑代工领域开发出新的领先技术是一个问号,但可以期待的是TSMC,2018年台积电将开发16纳米的FinFETs工艺,并将新技术运用到中国新建的fab里去。

中国力争fab主动权

中国新的一波fab建设浪潮给半导体设备产业带来增长动力。据SEMI的统计,中国半导体设备支出已经从2017年的$6.7billion上升到2018年的$10billion。

据上海华力半导体的数据,目前中国大约有20座八英寸和10座十二英寸的fab在运营,正在建设的有7座八英寸厂和12英寸工厂。这些新fab各有不同的时间表,但量产都在2018年以后。“我们认为2017年半导体设备支出将与上一年持平,”Applied Materials市场与业务发展副总裁 Arthur Sherman说,“我们预期2018年会有一个大的提升,我们不断提醒客户,必须要有足够的设备采购支出才能支撑中国半导体未来几年发展战略的需求。”

也有人持这样一种观点,“这些新的fab项目大部分都聚焦在开始面临下降通道的逻辑器件,而以存储器为核心的新兴技术才是行业的未来,” KLA-Tencor中国区总经理Francis Jen说,“ 在中国利用那些过时的或者说已经很成熟的工艺节点的扩张,可以为那些翻新的二手设备和新产的早已定型的设备创造新的市场需求。”

需要提醒的是,半导体设备制造商必须谨慎看待中国市场。Gartner预计,如果这些计划中的fab全都投入运营,到2020年中国至少需要采购$70 billion价值的半导体设备,这是一项十分庞大的支出。因此对设备制造商的一个挑战是,如何对中国半导体市场作出准确理性的判断。否则,设备制造商将会面临供应短缺或者加大库存的风险。尽管如此,中国的半导体市场仍是行业关注的焦点。中国生产的电子产品不但在全球占比很高,中国也是全球最大的芯片消费国。很多在当地制造的系统芯片在中国出口后随后又被返销回来。

中国拥有相当规模的本土半导体产业。中国的半导体产业始建于1980年代,国家也开展了几次重大“工程”希望借此提振半导体产业。每次重大工程的宗旨都是期望本土的半导体制造商能够生产大部分自用芯片,并且参与全球化市场竞争。在这些重大项目推动下,中国的半导体产业在每个回合都取得了一些进步,但每一次重大项目推进的结果,似乎都没有达到预定目标。在集成电路制造工艺上一直落后于竞争对手,国家进口的集成电路产品数量和品种也一年比一年多。

由于这些问题的存在,中国在2014年发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》,同时建立了$19.3 billion的集成电路产业基金,基金将被用来投资国内的半导体企业。在接下来的十年里,将会投入$100 billion资金用于加速提升中国的半导体产业。《纲要》制定了中国IC产业的发展目标和途径:

• 2020年实现40%的芯片国产化,2025年达到70%。

• 推进14nm finFET工艺、先进封装、MEMS和存储器工艺技术。

• 在依靠自身努力不能达到目标时,通过引进外国先进技术来提升技术水平。

以上战略从理论上给出一个信号,“作为全球电子产品消费领导者的中国,还不能够自主制造满足国内市场需要的大部分芯片,”Coventor的CTO David Fried说,“用国产化芯片来满足消费者需求的做法是明智的,所以中国正在重点投资数字逻辑领域和存储器领域,并希望尽快取得成果。”

至今为止,中国在IC领域所做的努力亮点和问题并存。据IC Insights的统计,中国芯片制造占全球代工市场的比例2011年是8.5%,到2016年提升到9.2%。因此,IC Insights总裁Bill McClean评论说, “中国在代工领域取得了一些进步,但总的来说,我不认为中国目前在代工领域的做法和它所确立的目标能够完全实现。”

目前中国的电子企业还是要持续依赖外国芯片,这一做法一直没有改变。IC Insights统计指出,2016年中国消费了价值$112 billion的芯片,这个数字占世界IC总产量的38%。而中国本土芯片制造商贡献的比例仅仅是$13 billion,这个数字占中国2016年集成电路市场的11.6%,比2011年的9.8%增加了些许。基于这些数据,很难相信中国在2020年能够实现40%的国产化。“40%这一目标几乎是不可能实现的,”McClean如是说。


▲ Fig. 1: Semiconductor manufacturing in China. Source: IC Insights

当然中国的进步还是有目共睹。“中国在2000年宣布要大举进军芯片制造业时,中国的GDP大约是1万亿美元。那时中国先进的半导体制造商、设计公司和半导体人才在中国非常缺乏,”D2S的执行副总裁兼首席生产执行官Linyong Pang说,“2015年中国的GDP上升到11万亿美元,这个数字是前十五年的10倍。现在中国有了十多家先进的半导体制造企业,上千家设计公司(Fabless)和上百万的半导体从业者。”

通过近十年的发展,这些从业者在中国半导体领域取得了新的收获。“许多人进入到企业的高管层,他们有良好的教育和专业背景以及创造能力,”Pang乐观地表示,“在这样的前提下,这一波规划的20多家fab项目-即使不是全部都完成,但大多数都将会在未来一一落地。”

疯狂建厂的背后

这些规划中的fab有多少能实现?什么时间建成?生产什么产品?目前这些问题还都不是很确定。

但有两种产品类型是确定的-存储器和逻辑代工(foundry/logic)。存储器正面临两大阵营,一个是跨国集团公司-以Intel,三星和SK Hynix为代表,他们在中国都有工厂并还在扩张产能。还有一个就是本土制造商,已经有几家本土的存储器制造商开始出现了。例如长江存储(YRST),这是一家有政府背景的公司,最近宣布投资两家fab工厂,初期投资$54 billion,希望将来生产3D NAND和DRAM。

针对中国进军存储器市场的计划,不少分析师心有疑虑。他们不清楚的是中国从哪里可以获得制造存储器芯片的技术?“这些新的存储器制造商需要更多的技术支持,” 来自台湾的一家市调机构Market Intelligence & Consulting Institute (MIC)的分析师Alex Yang说,“他们需要从国外公司引进技术以增强他们的制造能力。我认为在短时间内是不容易做到的。”


▲ Fig. 2: New foundry fabs in China. Source: MIC

对于本土企业和跨国集团这两大阵营,似乎跨国集团公司成功的系数要大一些,本土制造商能否成功还需要时间来判定。但不管你在哪一个阵营,新的fab制造能力取决于你是否拥有成熟的技术。“我们看到的是一边是新fab不断设立,一边是原有的fab产能还在不断扩充,”来自Axcelis的市场与战略副总裁Doug Lawson说,“这主要是源于大部分的投资是针对成熟技术的。因此2017年主要的投资领域是成熟的半导体技术,2018年投资将会转向存储器领域。”

总体来说,中国本土的制造商能够提供的是已经过了上升期的工艺,例如数字电路、混合信号和RF。事实上,中国的制造商通过对这些工艺的精雕细刻也得到了一个极好的盈利商机。上海华力的40nm工艺就是一个很好的例子,“说明市场对这个工艺还有很大需求,”上海华力的毛志标(音译)对我们说。

从长远看,中国芯片制造商需要更进一步推进技术发展。“中国现有的工艺技术与世界先进技术相比还处于落后态势,”Gartner的Wang认为,“中国要想取得成功的关键是开发出更先进的工艺技术。那样他们就能用先进的工艺节点赢得市场份额,而不是现在只是使用过时的工艺节点。“使中国政府沮丧的是中国的本土制造商还没有掌握那些处于领先的前沿芯片制造技术,国内的代工客户要想得到这些技术必须依赖跨国制造商。中国最大的芯片制造商中芯国际(SMIC),目前可以提供的是28nm工艺(这也是国内最先进的技术)。相比之下,某些跨国公司已经上升到10nm或7nm的finFETs工艺。

为了提升现有的逻辑芯片工艺,2015年中芯国际、华为、Imec和高通在中国成立了一个联合研发中心。该组织计划在2020年前开发14nm finFETs技术。“我们会力争提前实现14nm工艺的量产,”中芯国际执行长Tzu-Yin Chiu说。SMIC还很看重市场对于65nm,55nm和40nm工艺的需求,这个需求是来源于数字电视、机顶盒和RF的应用驱动。为了满足市场需求,SMIC目前正在新建三座工厂。去年十月在天津开工的世界最大的八英寸生产线,上海开工的新的12英寸工厂。11月深圳动工的12英寸生产线,尚不清楚将采用何种工艺技术。上海另一家华力半导体,最近在上海启动了可容纳三条生产线的12英寸工厂项目,一期是建设一条28nm工艺技术的生产线。新fab造价$5.9 billion,预计2018年下半年试生产。

在这段时间内,跨国集团制造商也开始陆续进入中国市场。TSMC在上海已经有一座8英寸工厂,UMC在苏州也有一座8英寸工厂。最近跨国厂商在中国又开始了新的一轮fab建设。为了吸引更多的芯片制造商,很多省市的政府都给出了相当诱人的政策吸引跨国厂商。去年底,UMC在厦门新建一座12英寸合资工厂“联合半导体”,合作方的另一方是厦门市政府和福建省电子信息集团。工程一期提供55nm/40nm工艺,到年底fab产能从3000wspm提升到11,000wspm,未来将采用28nm工艺。UMC执行长Po Wen Yen告诉我们,“这座工厂将使UMC完美的定位于充分利用大陆巨大的市场机会,使我们能够更加贴近我们的大陆客户。”

UMC负责人补充道,“我们会随时把控包括大陆在内的全球产能的波动,大陆有巨大的市场机会,如无线通信和物联网市场,极其需要一种能够在成本和性能之间获得平衡的高收益技术。在这种市场区间里40nm和28nm都是理想的选择;因此我们正在这座新的fab扩张40nm产能,如果台湾当局批准我们将开始实施28nm工艺计划,UMC在这个节点已经做到了稳定量产。”

去年TSMC与当地政府合作在南京新建了一条12英寸生产线,整个投资在$3 billion左右。生产线将生产16nm finFETs产品,计划2018年下半年投产。计划分两个阶段,大陆的设计业者对新的前沿技术有需求,TSMC共同执行长Mark Liu说,“他们也对我们现有的技术有需求。”

还有一个消息是GlobalFoundries与重庆市政府曾签署建厂备忘录,但不久被取消了。替代的是GlobalFoundries和成都市政府在成都建设一座12英寸合资工厂,整个投资大约$10billion。一期GlobalFoundries将新加坡工厂的180nm/130nm技术转移到成都,计划2018年投产。2019年开发22nm FD-SOI 工艺。“这些新的投资将使我们有能力扩张我们已有的fab,同时利用合作加强我们在中国的存在感,”GlobalFoundries的执行长Sanjay Jha说。

“中国是世界上最大的半导体市场,也是增长最快的市场,全球制造规模是我们的战略支柱,中国是下一个最值得开发的领地。中国客户喜欢采购本国芯片,也有利于我们对市场的需求反应更加敏捷。”GlobalFoundries的官员说,“我们已看到全球市场对我们的几种工艺有着很强的需求,特别是22FDX。他们需要更多的产能并希望有第二货源来补充我们在Dresden的产能。“乐此不疲的是,还有一家叫做“Powerchip“的台湾专用芯片制造商,最近正在合肥设厂,还有包括TowerJazz等等厂商,也正在努力开发中国市场力求分得一杯羹。中国是否能如期完成它所勾画的半导体产业宏伟蓝图,只有时间能给出答案。如果说未来的中国是世界半导体行业的中心还为时过早的话,但目前看来中国至少是这个行业的一片热土,而且很热。

2017年5月18-20日,CSHE/CICE将在深圳会展中心强势出击。在展示内容上,展会围绕智慧生活应用场景,同时结合新产品与服务方案落地案例,深入发掘行业应用需求,将为促进中国智慧产业驶入健康快速发展的快车道打下坚实的基础。

来源:智慧产品圈

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