芯片

芯片(也称集成电路,IC)是一种将多个电子组件集成在一个小型半导体基板上的电子元件。芯片是现代电子设备的核心部分,负责计算、存储、输入输出等功能。常见的芯片类型包括中央处理器(CPU)、图形处理单元(GPU)、存储芯片等。随着技术的进步,芯片的计算能力和集成度不断提高,推动了智能手机、计算机、物联网设备等电子产品的快速发展。

一.封装是什么?

封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接,封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下 降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。

衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。

二.封装时主要考虑的因素

1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1;
2、 引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性能;
3、 基于散热的要求,封装越薄越好。

三. 封装大致经过了如下发展进程

结构方面:TO->DIP->PLCC->QFP->PGA->BGA ->CSP->MCM;
材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;
引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;
装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装

四.封装的分类:

封装有不同的分类方法。按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型(SMD,见注释)和高级封装。

从不同的角度出发,其分类方法大致有以下几种:1,按芯片的装载方式;2,按芯片的基板类 型;3,按芯片的封接或封装方式;4,按芯片的封装材料等;5,按芯片的外型结构.前三类属一级封装的范畴,涉及裸芯片及其电极和引线的封装或封接,笔者 只作简单阐述,后二类属二级封装的范畴,对PCB设计大有用处,笔者将作详细分析.

1.按芯片的装载方式分类

裸芯片在装载时,它的有电极的一面可以朝上也可以朝下,因此,芯片就有正装片和倒装片之分,布线面朝上为正装片,反之为倒装片.

另外,裸芯片在装载时,它们的电气连接方式亦有所不同,有的采用有引线键合方式,有的则采用无引线键合方式

2.按芯片的基板类型分类

基板的作用是搭载和固定裸芯片,同时兼有绝缘,导热,隔离及保护作用.它是芯片内外电路连接的桥梁.从材料上看,基板有有机和无机之分,从结构上看,基板有单层的,双层的,多层的和复合的.

3.按芯片的封接或封装方式分类

裸芯片裸芯片及其电极和引线的封装或封接方式可以分为两类,即气密性封装和树脂封装,而气密性封装中,根据封装材料的不同又可分为:金属封装,陶瓷封装和玻璃封装三种类型.

4.按芯片的封装材料分类

按芯片的封装材料分有金属封装,陶瓷封装,金属-陶瓷封装,塑料封装.

金属封装:金属材料可以冲,压,因此有封装精度高,尺寸严格,便于大量生产,价格低廉等优点.

陶瓷封装:陶瓷材料的电气性能优良,适用于高密度封装.

金属-陶瓷封装:兼有金属封装和陶瓷封装的优点.

塑料封装:塑料的可塑性强,成本低廉,工艺简单,适合大批量生产.

5.按芯片的外型,结构分类大致有:DIP,SIP,ZIP,S-DIP,SK-DIP,PGA,SOP,MSP,QFP,SVP,LCCC,PLCC,SOJ,BGA,CSP,TCP等,其中前6种属引脚插入型,随后的9种为表面贴装型,最后一种是TAB型(见注释).

DIP:双列直插式封装.顾名思义,该类型的引脚在芯片两侧排列,是插入式封装中最常见的一种,引脚节距为2.54 mm,电气性能优良,又有利于散热,可制成大功率器件.

SIP:单列直插式封装.该类型的引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征与DIP基本相同.ZIP:Z型引脚直插式封装.该类型的引脚也在芯片单侧排列,只是引脚比SIP粗短些,节距等特征也与DIP基本相同.

S-DIP:收缩双列直插式封装.该类型的引脚在芯片两侧排列,引脚节距为1.778 mm,芯片集成度高于DIP.

SK-DIP:窄型双列直插式封装.除了芯片的宽度是DIP的1/2以外,其它特征与DIP相同.PGA:针栅阵列插入式封装.封装底面垂直阵列布置引脚 插脚,如同针栅.插脚节距为2.54 mm或1.27mm,插脚数可多达数百脚.用于高速的且大规模和超大规模集成电路.

SOP:小外型封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,字母L状.引脚节距为1.27mm.

MSP:微方型封装.表面贴装型封装的一种,又叫QFI等,引脚端子从封装的四个侧面引出,呈I字形向下方延伸,没有向外突出的部分,实装占用面积小,引脚节距为1.27mm.

QFP:四方扁平封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈L字形,引脚节距为1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引脚可达300脚以上.

SVP:表面安装型垂直封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的一个侧面引出,引脚在中间部位弯成直角,弯曲引脚的端部与PCB键合,为垂直安装的封装.实装占有面积很小.引脚节距为0.65mm,0.5mm .

LCCC:无引线陶瓷封装载体.在陶瓷基板的四个侧面都设有电极焊盘而无引脚的表面贴装型封装.用于高速,高频集成电路封装.

PLCC:无引线塑料封装载体.一种塑料封装的LCC.也用于高速,高频集成电路封装.

SOJ:小外形J引脚封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈J字形,引脚节距为1.27mm.

BGA:球栅阵列封装.表面贴装型封装的一种,在PCB的背面布置二维阵列的球形端子,而不采用针脚引脚.焊球的节距通常为1.5mm,1.0mm,0.8mm,与PGA相比,不会出现针脚变形问题.

CSP:芯片级封装.一种超小型表面贴装型封装,其引脚也是球形端子,节距为0.8mm,0.65mm,0.5mm等.

TCP:带载封装.在形成布线的绝缘带上搭载裸芯片,并与布线相连接的封装.与其他表面贴装型封装相比,芯片更薄,引脚节距更小,达0.25mm,而引脚数可达500针以上.

五、按封装历史介绍封装形式

(TO->DIP->PLCC->QFP->PGA->BGA->CSP->MCM)

1、DIP双列直插式封装

DIP(DualIn-line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100个。采用 DIP封装的CPU芯片有两排引脚,需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装 的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心,以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点:
适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接,操作方便。
芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积也较大。

Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式,缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。

2、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装

QFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式,其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的 芯片必须采用SMD(表面贴装设备技术)将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔,一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯 片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。

PFP(Plastic Flat Package)方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形,而PFP既可以是正方形,也可以是长方形。

QFP/PFP封装具有以下特点:

1)适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。
2)适合高频使用。
3)操作方便,可靠性高。
4)芯片面积与封装面积之间的比值较小。
Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。

3、PGA插针网格阵列封装

芯片封装知识
PGA封装

PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针,每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少,可以围成2-5圈。安 装时,将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸,从486芯片开始,出现一种名为ZIF的CPU插座,专门用来满足PGA封装的 CPU在安装和拆卸上的要求。

ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起,CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处,利用插座本身的特殊结构生成 的挤压力,将CPU的引脚与插座牢牢地接触,绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起,则压力解除,CPU芯片即可轻松取 出。

PGA封装具有以下特点:

1)插拔操作更方便,可靠性高。

2)可适应更高的频率。

Intel系列CPU中,80486和Pentium、Pentium Pro均采用这种封装形式。

4、BGA球栅阵列封装

芯片封装知识
BGA封装

随着集成电路技术的发展,对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性,当IC的频率超过100MHz时,传统封装方式可能会产生 所谓的“CrossTalk”现象,而且当IC的管脚数大于208 Pin时,传统的封装方式有其困难度。因此,除使用QFP封装方式外,现今大多数的高脚数芯片(如图形芯片与芯片组等)皆转而使用BGA(Ball Grid Array Package)封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。

BGA封装技术又可详分为五大类:

1)PBGA(Plasric BGA)基板:一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中,Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。

2)CBGA(CeramicBGA)基板:即陶瓷基板,芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片(FlipChip,简称FC)的安装方式。Intel系列CPU中,Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。

3)FCBGA(FilpChipBGA)基板:硬质多层基板。

4)TBGA(TapeBGA)基板:基板为带状软质的1-2层PCB电路板。

5)CDPBGA(Carity Down PBGA)基板:指封装中央有方型低陷的芯片区(又称空腔区)。

BGA封装具有以下特点:

1)I/O引脚数虽然增多,但引脚之间的距离远大于QFP封装方式,提高了成品率。

2)虽然BGA的功耗增加,但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善电热性能。

3)信号传输延迟小,适应频率大大提高。

4)组装可用共面焊接,可靠性大大提高。

BGA封装方式经过十多年的发展已经进入实用化阶段。1987年,日本西铁城(Citizen)公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片(即BGA)。 而后,摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行列。1993年,摩托罗拉率先将BGA应用于移动电话。同年,康柏公司也在工作站、PC电脑上加以 应用。直到五六年前,Intel公司在电脑CPU中(即奔腾II、奔腾III、奔腾IV等),以及芯片组(如i850)中开始使用BGA,这对BGA应用 领域扩展发挥了推波助澜的作用。目前,BGA已成为极其热门的IC封装技术,其全球市场规模在2000年为12亿块,预计2005年市场需求将比2000 年有70%以上幅度的增长。

5、CSP芯片尺寸封装

随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮,封装技术已进步到CSP(Chip Size Package)。它减小了芯片封装外形的尺寸,做到裸芯片尺寸有多大,封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍,IC面积只比晶 粒(Die)大不超过1.4倍。

CSP封装又可分为四类:

1)Lead Frame Type(传统导线架形式),代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达(Goldstar)等等。

2)Rigid Interposer Type(硬质内插板型),代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。

3)Flexible Interposer Type(软质内插板型),其中最有名的是Tessera公司的microBGA,CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表厂商包括通用电气(GE)和NEC。

4)Wafer Level Package(晶圆尺寸封装):有别于传统的单一芯片封装方式,WLCSP是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片,它号称是封装技术的未来主流,已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。

CSP封装具有以下特点:

1)满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。

2)芯片面积与封装面积之间的比值很小。

3)极大地缩短延迟时间。

CSP封装适用于脚数少的IC,如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电(IA)、数字电视(DTV)、电子书(E-Book)、无线网络WLAN/GigabitEthemet、ADSL/手机芯片、蓝芽(Bluetooth)等新兴产品中。

6、MCM多芯片模块

芯片封装知识

为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题,把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片,在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样的电子模块系统,从而出现MCM(Multi Chip Model)多芯片模块系统。

MCM具有以下特点:

1)封装延迟时间缩小,易于实现模块高速化。
2)缩小整机/模块的封装尺寸和重量。
3)系统可靠性大大提高。

注释:SMD:它是Surface Mounted Devices的缩写,意为:表面贴装器件,它是SMT(Surface Mount Technology 中文:表面贴装技术)元器件中的一种。 TAB:正载带自动焊(Tape Automated Boning)技术是一种基于将芯片组装在金属化柔性高分子载带上的集成电路封装技术。它的工艺主要是先在芯片上形成凸点,将芯片上的凸点同载带上的焊点 通过引线压焊机自动的键合在一起,然后对芯片进行密封保护。载带既作为芯片的支撑体,又作为芯片同周围电路的连接引线。

转自: 灵动微电MMCU

围观 802

随着信息技术的发展,信息的载体-芯片的使用也越来越多了,随之而来的芯片安全性的要求也越来越高了,各个芯片厂商对芯片保密性要求越来越高,芯片的加密,保证了芯片中的信息的安全性。经常有客户打电话过来问,这个芯片加密了还能不能用啊。本文通过对芯片的加密的介绍来看看不同的Flash,MCU以及DSP加密的效果。

一、Flash类型芯片的加密

Flash类芯片(包括SPI FLASH ,并行FLASH,NAND FLASH等)加密后一般情况下都是禁止“写”以及“擦除”操作,通过状态寄存器写入加密信息,如果该芯片已经加密,则进行编程操作时,编程虽然能成功,但是客户的代码实际上是没有写入到芯片的。

以SPI Flash中的MXIC厂商的芯片为列,下图为其在SmartPRO系列编程器加密设置界面。

【揭秘】芯片加密后究竟能不能再次使用?

按上图的设置可视界面,把对应配置信息写入后,Flash对应的区域即进入保护状态,不能编程,擦除,只能通过清空加密寄存器中的信息,才能从新对芯片进行擦除、编程操作。

二、MCU类型的芯片加密。

经常会有人就MCU加密保护后,能否二次使用的问题进行咨询。对于加密后的芯片能不能二次使用这个问题,得具体看是哪个类型的芯片,类似于TI 的MSP430系列芯片加密后即不可进行二次使用,这个加密为OTP(One Time Programmable)型,只能进行一次烧录。其原理是通过高压烧断熔丝,使外部设备再也无法访问芯片,这个是物理性,不可恢复,如要加密,请慎用!下图为SmartPRO系列编程器的操作按钮。

【揭秘】芯片加密后究竟能不能再次使用?

但对于大部分MCU芯片来说,加密后芯片还是可以进行二次使用的。类似于ST厂商的MCU有3级可选的加密,即Level 1,Level2,Level3。

1、Level1 就是不做读保护级别,即可以读出芯片中的数据,但不能对芯片进行编程、擦除操作。

2、Level2保护,这种状态下,不能读取芯片内的程序代码内容,也不能对芯片再次做存储空间的擦写或芯片调试了。

3、Level3级别的保护就是不可逆的保护,保护后即不能进行其他操作。而Level1,Level2加密后可以通过解密的方式对芯片进行第二次操作。

【揭秘】芯片加密后究竟能不能再次使用?

类似ST MCU的这3种级别的加密方式还是比较人性化的,客户可根据自己的需求来管理不同的加密级别。下图为SmartPRO系列编程器加密设置操作界面。

三、DSP类型的芯片加密

DSP的芯片加密形式是通过在特定的区域写客户的密码进行加密的。这种加密是可逆的,可以通过输入正确的密码,重新对芯片进行任何操作。但如果密码为全“0”,这种方式是不可逆的,属于芯片的一次性设置,须谨慎。其SmartPRO系列编程器加密设置窗口如下。

【揭秘】芯片加密后究竟能不能再次使用?

总结

通过上述简单的介绍,你了解了各类芯片的加密设置了吗?快动手试试这些加密方法吧。

转自: ZLG致远电子

围观 394

- 可编程模块化解决方案简化新智能电表、智能电网硬件、智能路灯、家庭控制器和工业控制器的设计和部署

2017年10月9日 – 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推动全球电能使用和管理智能化浪潮,推出新的模块化电力线通信(PLC)调制解调器芯片组。新芯片组让设备厂商能够灵活地设计电表、智能电网节点、路灯、家庭控制器、工业控制器,目前这款新产品被三家世界一流的智能电表厂商用于设计新的解决方案。

ST电力线通信芯片组解决方案,为新智能电力基础设施的推出铺平道路

作为一个整体解决方案,新芯片组整合了数据封装和转换所需的协议处理功能,可以发送数据,具有通过电网发送数据所需的线路驱动功能,让客户能够研制高成本效益的电力线通信产品,既可以是新设计的内部组件,也可以是旧设备外接模块的内核,能够完美满足某些特定法规的要求。在这些应用场景中,ST PLC调制解调器芯片组用作外部通信模块,用于连接现有的或新的电表或控制器。此外,灵活的可编程功能让多个不同型号产品柯以共用同一个硬件平台,支持软件现场更新,从而进一步降低拥有成本。

意法半导体工业和转换产品部总经理 Domenico Arrigo表示:“从推出第一代数字电表开始,ST为世界一流的智能电表厂商提供服务,今天芯片组部署数量超过6000万颗,遍布欧洲、中国和美洲的家庭和楼宇。利用在初级阶段积累的经验,全球下一代智能电表和其它物联网计划提出了新的设计要求,而是我们的新芯片组是满足新要求的最佳解决方案。新芯片组是一个灵活且高成本效益的PLC连接解决方案,全编程功能可让其在全球部署变得更简单,而且支持不同的PLC标准。”

市场调研公司IHS Markit[1] 称,目前智能电表年销量超过1亿台,预计到2021年销量增长速度超8%。

技术说明

新芯片组由两颗芯片组成:ST8500可编程PLC引擎和STLD1线路驱动器。

ST8500是一个系统芯片(SoC),包括一个高性能的四核DSP处理器和一个ARM® Cortex®-M4F内核处理器,前者用于实时协议处理,后者用于高层处理及系统管理。每个处理器在芯片上都有各自的程序和数据SRAM存储器。该芯片还提供一套智能电表专用外设接口,其中包括AES加密引擎,还集成了用于连接STLD1线路驱动器的模拟前端(AFE)。

ST8500的接收功耗低于100mW,确保新智能电表具有超低功耗,满足最新的能效标准,最大限度降低电网负荷。STLD1线路驱动器通信可靠性很高,甚至能够在有噪声的线缆上通信,在单端18V或差分模式36V宽压输出范围内,具有低阻抗、高驱动能力和高线性。

芯片内置通过认证的G3-PLC和PRIME电力线协议栈,并符合CENELEC、FCC和ARIB频带法规。

新芯片组即日起量产上市。ST8500系统芯片采用7mm x 7mm x 1mm QFN56封装,STLD1采用4mm x 4mm x 1mm QFN24封装。有关价格信息和样片申请,请联系所在地的意法半导体销售处

产品详情访问 www.st.com/powerline

来源: ST社区

围观 411

本文介绍了一种共享高速存储器模块的设计。该高速存储器能够实现多核处理器间的数据交换,同时占用较小的电路面积。相比传统的多核处理器数据交换方式,本设计可以更好地提升系统性能。是一种有市场竞争力的电路设计结构;

1. 共享缓存结构设计

1.1 总体考虑

在多核 CPU中共享高速缓存主要负责缓存多个处理器核的数据,处理访问这些数据的缺失请求并向 DRAM 控制器发送请求以获得 DRAM 返回的数据。共享高速缓存通过交叉开关总线与各个处理器核互连,通过交叉开关总线转发通信数据包进行数据通信。共享高速缓存分为四个缓存组,每个缓存组采用组相联地址映射。每个处理核心都可以发送数据包到任意一个缓存组,同数据包也可以反方向发送从任意一个缓存组到任意一个处理核心。

共享缓存采用四路组相联映射,将缓存分1024 组。缓存块的物理地址分为3部分,包括标签块、索引块以及块内偏移。索引部分用于确定缓存块所在的组。通过比较物理地址的标签块和所选中组内的四路标签,可以确定访问的命中或者缺失。在命中时,比较的结果作为路选择向量发往数据阵列。缓存通过路选择向量和组选择向量确定

1.2 缓存一致性

对称式共享存储器多处理器系统中多处理器2高速缓存子系统共享同一个物理存储器,通过总线连接,对于所有的处理器访问存储器的时间一致,即均匀存储访问 (UMA)。对称式共享存储器系统支持共享和私有数据的缓存。私有数据被单个处理器使用,而共享数据则被多个处理器使用,通过读写共享数据完成处理器之间的通信。共享数据在多个缓存中形成副本,减少了访问时延、降低了对存储器带宽的要求并减少多个处理器读取共享数据时的竞争现象。然而,共享数据带来了缓存一致性问题,实现缓存一致性关键在于跟踪所有共享数据块的状态。目前为了实现缓存一致性而广泛采用的有目录式以及监听式这两种协议。该设计采用目录式缓存一致性协议 ,把物理存储器的共享状态放在目录表中,根据目录跟踪哪一个以及缓存拥有二级缓存块的副本。一级缓存是写直达的,只有无效信息被要求,共享缓存是写回的,数据总可以从共享缓存中重新得到。为减少目录的开销,将目录放在缓存中而不是存储器中。

当一个块还未被缓存有 2 种可能的目录请求:

1) 读缺失:共享缓存向发出请求的处理器送回所要求的数据,发送请求的节点成为唯一的共享节点。块的状态设为共享。

2) 写缺失:向发出请求的处理器送回数据并使它成为共享节点。数据块设为独占状态,指明这是唯一有效的缓存副本。共享者集合中指明所有者。当数据块处于共享状态时,共享缓存中的值是最新的,有 2 种可能的目录请求:

1) 读缺失:共享缓存向发送请求的处理器送回所要求的数据,并将发送请求的处理器放到共享集中。

2) 写缺失:向发送请求的处理器送回数据,无效共享集合中的处理器缓存块,保存发送请求的处理器标识,将数据块设置成独占状态。

当数据块处于独占状态时,块的当前值保存在共享者集所指明的处理器的缓存中,有 3 种可能的目录请求:

1) 读缺失:向所有者处理器发送数据消息,将缓存块状态设为共享。由所有者向目录发送数据,将数据写入共享缓存并发送回发出请求的处理器。再将发出请求的处理器添加到共享者集合中,这时集合中仍然会有其他所有者处理器。

2) 数据写回:执行写回操作,更新存储器副本 ,共享者集合为空。

3) 写缺失:数据块有了新的所有者。向旧的所有者发送消息,使缓存将该数据块设置为无效,并把值发送到目录中,再通过目录把数值发送到发出请求的处理器上。发出请求的处理器成为新的所有者。共享者集合只保留新所有者的标识,而块仍然处于独占状态。

2. 高速共享缓存模块

用户RAM大小为2MB,挂接在双核之间的AHB总线上,两个内核访问区域可以任意配置。其内部是一块 SRAM 和AHB总线从接口电路,如图2-1所示。读访问有一个周期的延迟,写访问无延迟。读写访问时序见图2-2、图2-3。读写都支持字节(byte)访问、半字(half-word)访问或字(word)访问。

用户RAM所在的地址空间范围为0xA0000000 ~ 0xA01FFFFF。

基带处理芯片共享高速存储器模块设计
图 2‑1 用户RAM结构示意图

假设CPU0写数据到用户RAM,接着CPU1从用户RAM读数据。这种情况下,CPU0首先写数据,然后将标志变量置1,表示用户RAM内的数据已更新。标志变量地址位于用户RAM地址范围内。接着CPU1读标志变量,若变量为1,则从用户RAM内对应地址读取CPU0写入的数据,并将标志变量置0;若标志变量为0,则表示用户RAM内数据已被CPU1读取过。

使用以上方法可实现核间数据交互。由于同一时刻AHB总线上只能有一个设备利用总线进行读写,所以可以保证读写操作的原子性,即标志变量不可能被CPU0和CPU1同时访问。从而保证了标志变量的有效性。

基带处理芯片共享高速存储器模块设计
图 2‑2 用户RAM读时序

基带处理芯片共享高速存储器模块设计
图 2‑3 用户RAM写时序

来源: 互联网

围观 352

单片机(MCU)一般都有内部EEPROM/FLASH供用户存放程序和工作数据。什么叫单片机解密呢?如果要非法读出里的程式,就必需解开这个密码才能读出来,这个过程通常称为单片机解密或芯片加密。

为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序,大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节,以保护片内程序;如果在编程时加密锁定位被使能(锁定),就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序,单片机攻击者借助专用设备或者自制设备,利用单片机芯片设计上的漏洞或软件缺陷,通过多种技术手段,就可以从芯片中提取关键信息,获取单片机内程序这就叫单片机解密。大部分单片机程式写进单片机后,工程师们为了防止他人非法盗用,所以给加密,以防他人读出里面的程式。

单片机加解密可划分为两大类,一类是硬件加解密,一类是软件加解密。硬件加密,对于单片机来说,一般是单片机厂商将加密熔丝固化在IC内,熔丝有加密状态及不加密状态,如果处于加密状态,一般的工具是读取不了IC里面的程序内容的,要读取其内容,这就涉及到硬件解密,必须有专业的硬件解密工具及专业的工程师。

其实任何一款单片机从理论上讲,攻击者均可利用足够的投资和时间使用以上方法来攻破。这是系统设计者应该始终牢记的基本原则,因此,作为电子产品的设计工程师非常有必要了解当前单片机攻击的最新技术,做到知己知彼,心中有数,才能有效防止自己花费大量金钱和时间辛辛苦苦设计出来的产品被人家一夜之间仿冒的事情发生。

众所周知,目前凡是涉及到单片机解密的领域一般都是进行产品复制的,真正用来做研究学习的,不能说没有,但是相当罕见。所以,想破解单片机解密芯片破解,就得知道单片机解密芯片破解的原理。

围观 523

相比MCU+模拟的分立解决方案,物联网设备采用定制化SoC设计可以降低BoM和功耗,增加功能和可靠性。过去,像ARM这样的厂商,不管芯片有没有生产、销售,都会先收取一笔授权费,因而对于初创企业来说,想要开发基于Cortex-M0内核的SoC基本是不可能的。而现在,事情变得简单多了。

在这个物联网的时代,万事万物都被赋予智能,即使是最简单的产品也不例外。随着量的增加,厂商们更希望采用定制化的SoC来设计产品,其原因是定制化的SoC可有效降低系统BoM和功耗,并增加功能和可靠性。

根据IMEC IC-link统计,定制化SoC的年复合增长率为15%。那么问题来了,定制化SoC是在哪些领域实现了增长?定制自己的SoC成本和优势又如何?

驱动这波定制化SoC增长的主要有三股力量:传感器和混合信号公司,推出集成化的IoT解决方案;初创公司推出创新的解决方案;以及OEM厂商,以期通过SoC定制降低成本和功耗并实现差异化。

有数据显示,相比MCU+模拟器件的分立式解决方案,定制化SoC可以降低90%的BoM,降低85%的PCB面积并实现差异化。通过将分立器件集成到单个SoC当中,还可以降低器件停产的风险。此外,采用SoC的产品还可以更容易地通过性能试验。

从成本上看,与我们经常听到的28nm、14nm等先进工艺动辄几百万上千万美元的流片成本不同,混合信号芯片采用180nm、90nm和65nm的成熟工艺制造,成本仅需数万美元。同时,IP模块、软件和工具可以重用,子系统也可以通用。

数万美元即可定制芯片,成本不到MCU+模拟十分之一

图1:SoC降成本的优势

此外,据S3集团的数据显示,相比分立式解决方案的BoM成本,设计定制化SoC虽然前期的一次性工程费用较高,但是在12到18个月后,成本即可收回,后期则会实现更多利润。

数万美元即可定制芯片,成本不到MCU+模拟十分之一

以250万美元投入为例,设计定制化SoC虽然前期的一次性工程费用较高,但是在12到18个月后,成本即可收回,后期盈利更高

在讨论了定制化SoC的优势后,再来看看物联网厂商如何实现。我们知道,SoC当中通常包含有一个处理器和许多的模拟功能。Cortex-M0是适合物联网开发的一款主流MCU内核产品。然而,在以前,一个公司想要开发一款基于Cortex-M0内核的SoC,不管芯片有没有生产、销售,ARM都要先收取一笔授权费。

为了因应物联网的碎片化背景和满足初创公司所需,ARM于2015年底推出了DesignStart Cortex-M0计划。它为SoC设计人员提供了免费的ARM Cortex-M0处理器IP,用于设计、仿真和原型建模。

这样,ARM通过将该项服务免费开放给用户进行研发测试,用户在需要正式制造芯片销售时,才需要向ARM支付授权费。这对初创公司开发SoC来说,无疑是一大利好。此外,ARM推出的快速授权服务(售价4万美元)也简化了授权流程,这为创业公司提供了一个绿色快速通道。

设计人员可以通过ARM的DesignStart门户网站获取这一打包服务,具体包括:

● Cortex-M0处理器及系统设计工具包(SDK),其中包括系统IP、外设、测试平台以及相关软件;

● 一份关于完整的ARM Keil MDK开发工具的90天免费授权许可。

这一打包服务为设计人员免除了在采用预配置的Cortex-M0处理器进行新的SoC设计、仿真和测试时通常所需的前期授权所带来的成本压力。此外,这一打包服务还提供价格为995美元的Versatile Express FPGA开发板,可供设计人员将其设计推进到原型建模阶段。

数万美元即可定制芯片,成本不到MCU+模拟十分之一

图3:ARM Cortex-M0 DesignStart设计包实现框图简化

开发者如果希望对其设计进行商业化量产,可以以4万美元的价格购买简化的、标准化的快速授权,从而将ARM Cortex-M0处理器相关IP、SDK和Keli MDK开发工具用于商业目的,同时还能得到来自ARM的技术支持。

无论是初创公司还是已有一定规模的厂商,升级后的DesignStart门户网站为更多的SoC开发人员打开了通往ARM技术的大门,并使其设计的商业化量产更加迅速便捷。

此外,DesignStart平台新增的Cadence和Mentor Graphics EDA工具可以加速嵌入式和IoT领域定制化SoC的研发。当测试芯片可以低至1.6万美元的成本进行制造时(不包括EDA工具和IP授权费用),开发定制化SoC的道路将变得愈发平坦。

总之,ARM DesignStart这一创新的商业模式,满足了物联网时代定制化SoC设计所需。初创公司设计低成本的定制化SoC产品已不再是难事。

围观 424

研究机构IC Insights周二公布2016全球前二十大芯片厂预估营收排名,其中美国有八家半导体厂入榜,日本、欧洲与台湾各有三家,韩国则有两家挤进榜。联发科跟随OPPO、vivo等手机厂商快速成长,今年营收估计将达 86.1 亿美元,年成长 29%。若除去三大纯晶圆代工厂,中国最大的半导体公司华为海思将以37.62亿美元的营收排名第19。

英特尔今年预估营收将来到563.13亿美元,较去年成长8%,依旧稳居半导体业龙头。排名第二的三星,营收预估成长4%至435.35亿美元,与英特尔的差距拉大至29.4%。晶圆代工厂台积电预估营收将成长11%,成为293.24亿美元,居第三名,成长幅度为前五大厂之首。

高通、博通分居第四与第五名,预估营收分别年减4%与年增1%。 整个来看,今年前20大厂仅有五家营收成长幅度来到两位数。除了台积电之外,还有第9名东芝成长16%、第11名(原第13名)联发科成长29%、第14名苹果成长17%、第16名NVIDIA成长35%。

IC Insights 指出,以营收成长速度来看,NVIDIA今年受惠图像处理芯片、Tegra 处理器在电竞、数据中心与车用市场之应用高度成长,营收可望达到 63.4 亿美元,年成长 35%,将是半导体大厂中成长幅度最大的厂商。联发科因中国大陆地区的手机客户 OPPO、vivo 等快速成长,今年营收估计将达 86.1 亿美元,年成长 29%,将是半导体业界成长幅度第二大的厂商,并将超越英飞凌与 ST,升上全球第 11 大厂的位置。

IC Insights报告又指出,若将台积电、格罗方德(GlobalFoundries)与联电等三大纯晶圆代工厂排除,AMD(42.38亿美元)、海思(37.62亿美元)与夏普(37.06亿美元)依序将可名列第18、19与20名。

自 集微网

围观 380

页面

订阅 RSS - 芯片