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硬件设计中，需要考虑的一个重要问题就是低功耗设计，但是如果你火候不够，往往会误入“自以为是低功耗”的怪圈。现在让我们来看看老司机是如何点评低功耗设计中的8大现象的。 现象一：我们这系统是220V供电，就不用在乎功耗问题了。 点评：低功耗设计并不仅仅是为了省电，更多的好处在于降低了电源模块及散热系统的成本、由于电流的减小也减少了电磁辐射和热噪声的干扰。随着设备温度的降低，器件寿命则相应延长（... 阅读详情

对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用，有不同的解决方案。 一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V。这样的规格不仅在信息技术市场的服务器应用中很常见，在电信应用中同样常见。 如果将一个降压转换器（降压器）用于此单一转换步骤，如图 1 所示，会出现小占空比的问题。 图1. 通过单一转换步骤将电压从48 V降至3.3 V 占空比反映导通时间（当主 开关导通时）和断开时间（当主开关断开时）... 阅读详情

我们先来说说电容，都说大电容低频特性好,小电容高频特性好,那么根据容抗的大小与电容C及频率F成反比来说的话,是不是大电容不仅低频特性好,高频特性更好呢,因为频率越高,容量越大,容抗就越低,高频就是否越容易通过大电容呢,但从大电容充放电的速度慢来说的话,高频好象又不容易通过的,这不很矛盾吗？ 首先，高频低频是相对的。如果频率太高，那么，电容的容量变得再大也没有意义，因为，大家知道，线圈是电感，... 阅读详情

MOS管损耗的8个组成部分 在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。 MOSFET 的工作损耗基本可分为如下几部分： 1、导通损耗Pon 导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流（即漏源电流） IDS(on)(t) 在导通电阻... 阅读详情

2.2 可变电阻 可变电阻就是电阻值可以变化，可以有两种：一是可以手动调整阻值的电阻；另一种就是电阻值可以根据其他物理条件而变化。 2.2.1 可调电阻 上中学的时候，应该都使用过滑动变阻器做实验，动一动滑动变阻器，小灯泡可以变亮或变暗。滑动变阻器就是可调电阻，原理都是一样的。 可调电阻，通常分成了三种：   •   Potentiometer 电位器或分压计，这是一种三端口器件。... 阅读详情

元器件选型基本原则： 1）普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。 2）高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。 3）采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 4）持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件。 5）可替代原则：尽量选择pin to... 阅读详情