55页PPT！很火的MOS管电路工作原理及详解，没有之一！
这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解，从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等，都做了详细的解释与说明，还配了相关的图片。绝对能让你彻底理解MOS管，不可多得的学习资料，赶快收藏！
MOS
功率MOS管烧毁的原因（米勒效应）
Mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
关于MOS 你还需要知道的东西
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
一文讲透开关电源MOS开关损耗推导过程与计算方法
电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所以有部分人对于它计算还有些迷茫。
开关电源MOS的8大损耗有哪些？
MOS管损耗的8个组成部分
在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。
6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门
由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助。当MOSFET作用在电路中时，由于MOSFET速度比较快，因此关断过程中不会产生负压，但值得一提的是，在干扰较重的情况下，这一现象是有助于提高可靠性的。本文将针对IGBT以及MOSFET器件的隔离驱动技术进行大致的介绍，帮助大家理解。