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电容损坏引发的故障在电子设备中是最高的，其中尤其以电解电容的损坏最为常见。电容损坏表现为：容量变小；完全失去容量；漏电；短路。

变压器飞线的PCB孔径需考虑到最大飞线直径，必要是预留两组一大一小的PCB孔。因为安规申请认证通常会有一个系列，比如说24W申请一个系列，其中包含4.2V-36V电压段，输出低压4.2V大电流和高压36V小电流的飞线线径是不一样的。

共模干扰指的是干扰电压在信号线及其回线（一般称为信号地线）上的幅度相同，这里的电压以附近任何一个物体（大地、金属机箱、参考地线板等）为参考电位，干扰电流回路则是在导线与参考物体构成的回路中流动。

电源最常见的三种结构布局是降压（buck）、升压（boost）和降压–升压（buck-boost），这三种布局都不是相互隔离的。the boost converter（或者叫step-up converter），是一种常见的开关直流升压电路，它可以使输出电压比输入电压高。

RF工程师在设计芯片和天线间的阻抗匹配时，根据数据手册的参数进行匹配设计，最后测试发现实际结果和手册的性能大相径庭，你是否考虑过为什么会出现这么大的差别？匹配调试过程中尝试不同的电容、电感，来回焊接元器件，这样的调试方法我们能改善吗？

NAND 闪存内部存储结构单元是基于 MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效应晶体管）， 与普通场效应晶体管的不同之处在于，在栅极（控制栅）与漏极/源极之间存在浮置栅，利用该浮置栅存储数据。

大家可能都知道破解51单片机是很容易的，但为什么容易，又是如何来破解的，可能很多人就不大清楚了。本文结合网上一些前辈整理的资料的经验对MCU破解技术做个简单分析。

本文将为你解析10个电源设计最常用的公式。非常实用，推荐收藏哦~

电子元器件是电子产品的重要组成部分，是电子产品的最基本单元。元器件的可靠性直接关系到整个系统的可靠性。因此，元器件的可靠性是型号研制过程中保证产品可靠性的重要环节之一，同时也对加快型号研制进度、保证研制质量、节约研制经费、降低综合保障费用和寿命周期费用都有重要意义。

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。