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在进行EMS项目测试时，需测试出产品的最大程序，直到产品损坏为止。例如ESD 雷击等，一定要打到产品损坏为止，并做好相关记录，看产品余量有多少，做到心中有数。

嵌入式软件开发流程——第一步：工程建立和配置。第二步：编辑源文件。第三步：工程编译和链接。第四步：软件的调试。第五步：执行文件的固化。

我们学习单片机的目的就是为了进行嵌入式系统的开发，学好单片机首先要有一个整体认识，下面将简要介绍一下单片机应用系统的开发流程......

1）数据传送类指令（7种助记符）；（2）算术运算类指令（8种助记符）；(3)逻辑运算类指令（10种助记符）；(4)控制转移类指令（17种助记符）；（5）位操作指令（1种助记符）

电容损坏引发的故障在电子设备中是最高的，其中尤其以电解电容的损坏最为常见。电容损坏表现为：容量变小；完全失去容量；漏电；短路。

变压器飞线的PCB孔径需考虑到最大飞线直径，必要是预留两组一大一小的PCB孔。因为安规申请认证通常会有一个系列，比如说24W申请一个系列，其中包含4.2V-36V电压段，输出低压4.2V大电流和高压36V小电流的飞线线径是不一样的。

共模干扰指的是干扰电压在信号线及其回线（一般称为信号地线）上的幅度相同，这里的电压以附近任何一个物体（大地、金属机箱、参考地线板等）为参考电位，干扰电流回路则是在导线与参考物体构成的回路中流动。

电源最常见的三种结构布局是降压（buck）、升压（boost）和降压–升压（buck-boost），这三种布局都不是相互隔离的。the boost converter（或者叫step-up converter），是一种常见的开关直流升压电路，它可以使输出电压比输入电压高。

RF工程师在设计芯片和天线间的阻抗匹配时，根据数据手册的参数进行匹配设计，最后测试发现实际结果和手册的性能大相径庭，你是否考虑过为什么会出现这么大的差别？匹配调试过程中尝试不同的电容、电感，来回焊接元器件，这样的调试方法我们能改善吗？

NAND 闪存内部存储结构单元是基于 MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效应晶体管）， 与普通场效应晶体管的不同之处在于，在栅极（控制栅）与漏极/源极之间存在浮置栅，利用该浮置栅存储数据。