我用的是STM32库函数：两个知识点：
一、RTC时钟框图分析（重要）
二、时间是怎样显示出来的（简析）
一、RTC时钟框图分析（重要）
先熟悉一下几个知识点：
1、STM32的实时时钟（RTC）是一个独立的定时器！
2、RTC模块和时钟配置系统（RCC_BDCR寄存器）是在后备区域，即在系统复位火从待机模式唤醒后RTC的设置和时间维持不变。
RTC这章中，对RTC相关的寄存器的操作特别重要，我在这里不解释了，请查阅手册。。
先上图！
RTC时钟框图分为完全独立的两个部分：1、APB1接口部分（用来RTC相关的寄存器）；2、RTC核心；
第一部分：APB1接口。注意：这里涉及到寄存器RTC_CRL中的RSF位，这位是寄存器的同步标志，具体内容去看STM32参考手册RTC这一章。
成为一名嵌入式工程师，简单的单片机基础学习与应用是不可缺少的。学习单片机就是学习单片机的硬件结构，内部资源与外设的应用。在C语言中（极少量的汇编）掌握各种功能的初始化，启动与停止，实现各种功能函数的编写与调试。
电源工程师最怕什么？炸机！用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢？这一切都和SOA相关。
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。
一、什么是安全工作区？
安全工作区：SOA（Safe operating area）是由一系列（电压，电流）坐标点形成的一个二维区域，开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简单的讲，只要器件工作在SOA区域内就是安全的，超过这个区域就存在危险。
二、SOA具体如何应用和测试呢？
开关器件的各项参数在数据手册中都会明确标注，这里我们先来解读两个参数：
lVDS（Drain-source voltage）：漏源电压标称值，反应的是漏源极能承受的最大的电压值；
lIDM（Drain current(pulsed)）：漏源最大单脉冲电流（非重复脉冲），反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强。
中央处理器是一块超大规模的集成电路，是一台计算机的运算核心和控制核心，它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。主要包括运算器和高速缓冲存储器及实现它们之间联系的数据、控制及状态的总线。它与内部存储器和输入/输出设备合称为电子计算机三大核心部件。
目前，嵌入式处理器的高端产品有：Advanced RISC Machines公司的ARM、Silicon Graphics公司的MIPS、IBM和Motorola的Power PC 、Intel的X86和i960芯片、AMD的Am386EM、Hitachi的SH RISC芯片。
微处理器和微控制器区别所在
微处理器和微控制器的区别，这样的区别主要集中在硬件结构、应用领域和指令集特征三个方面：
问题：
此问题由某客户提出，应用处理器AP 与MCU 进行I2C 通信，通信会经常发生异常，需要定位原因.
调研：
首先需要定位的是因为哪个器件发的波形不正确导致通信异常，所以我们在I2C 线路上增加了以下处理，
增加2 个电阻去测试波形:
测试波形如下示意图:
结论 :
本篇文章三个主题：FSMC有关配置、一串字符显示原理、汉字显示原理。
一、FSMC的有关配置（博主用的是FSMC_A10）：
来自别人家的博客 http://blog.csdn.net/jxnu_xiaobing/article/details/8718566
FSMC的介绍就不介绍了，网上一大片。我们就讨论讨论为什么用FSMC的地址线与TFTLCD的RS引脚相连？以及我们如何往LCD写数据/命令？
FSMC称为可变静态存储控制器。可变：之所以称为“可变”，是由于通过对特殊功能寄存器的设置，FSMC 能够根据不同的外部存储器类型，发出相应的数据/地址/控制信号类型以匹配信号的速度。（这点很重要，后文会提到。）
简单说明一下吧~为什么不拿STM32的IO口直接接LCD的对应引脚？（看看我上边发的链接就清楚了），大致就是操作麻烦，效率低嘛。。好，FSMC是吧TFTLCD当成SRAM设备来用的，其操作时序和SRAM的控制完全类似，唯一不同的就是TFTLCD有RS信号，但是没有地址信号。
电磁干扰是电子电路设计过程中最常见的问题，设计师们一直在寻找能够完全消除或降低电磁干扰，也就是EMI的方法。但想要完全的消除EMI的干扰，首先需要的就是了解EMI是什么，它的传播过程是怎样的，本文就将对EMI的传播过程进行一个大致的介绍。
EMI是电磁干扰的统称，但实际上电磁干扰分为两种，一种是传到干扰，另一种是辐射干扰。传导干扰主要是电子设备产生的干扰信号是通过导线或公共电源线进行传输，互相产生干扰。进一步细分，传导干扰又分共模干扰和差模干扰。
EMI的传播过程
EMI的传播过程主要途经三个部分，干扰源、干扰途径、接收器。对于开关电源来说，最后一部分是不需要考虑的，干扰源也不能消灭，因为它也是开关电源之所以能工作的源头，但是可以通过软开关、加缓冲等方式来使干扰源的干扰小一些。控制干扰途径是降低开关电源EMI的重要一环，也是本文的重点。
信号源波形产生的频谱
分层的思想，并不是什么神秘的东西，事实上很多做项目的工程师本身自己也会在用。看了不少帖子都发现没有提及这个东西，然而分层结构确是很有用的东西，参透后会有一种恍然大悟的感觉。如果说我不懂LCD怎么驱动，那好办，看一下datasheet，参考一下别人的程序，很快就可以做出来。但是如果不懂程序设计的思想的话，会给你做项目的过程中带来很多很多的困惑。
众所周知，在电子行业有这样一个形象的比喻：如果把MCU比作电路的“大脑”，那么晶振毫无疑问就是“心脏”了。同样，电路对“晶体晶振”（以下均简称：“晶振”）的要求也如一个人对心脏的要求一样，最需要的就是稳定可靠。晶振在电路中的作用就是为系统提供基本的频率信号，如果晶振不工作，MCU就会停止导致整个电路都不能工作。然而很多工程师对晶振缺乏足够的重视和了解，而一旦出了问题却又表现的束手无策，缺乏解决问题的思路和办法。
晶振不起振问题归纳
1、 物料参数选型错误导致晶振不起振
例如：某MCU需要匹配6PF的32.768KHz，结果选用12.5PF的，导致不起振。
解决办法：更换符合要求的规格型号。必要时请与MCU原厂或者我们确认。
2、 内部水晶片破裂或损坏导致不起振
运输过程中损坏、或者使用过程中跌落、撞击等因素造成晶振内部水晶片损坏，从而导致晶振不起振。
解决办法：更换好的晶振。平时需要注意的是：运输过程中要用泡沫包厚一些，避免中途损坏;制程过程中避免跌落、重压、撞击等，一旦有以上情况发生禁止再使用。
3、 振荡电路不匹配导致晶振不起振
影响振荡电路的三个指标：频率误差、负性阻抗、激励电平。
电容器是电子设备中常用的电子元件，下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍，以供大家参考。
1.铝电解电容器
它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。
2.钽铌电解电容器
它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。
3.陶瓷电容器
用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。
4.云母电容器