MOSFET

<font color="#FD8900">新器件进一步提高电源效率</font>

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件，而出现脉冲电流(IDP)时，可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源极导通电阻RDS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计，该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。

关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的这一重要指标提升40%，这意味着电源效率显著提高，据测量，2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。

该款新器件采用业界标准的TO-247封装，既实现了与旧版设计的兼容性，也适用于新项目。

为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。

<font color="#FD8900">- 新器件尺寸显著减小，适用于汽车用三相无刷电机应用</font>

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用，例如，12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器。

东芝的IPD产品为高边和低边功率开关提供保护，在汽车应用中尤为有用。通常，它们可提供负载短路、负载开路和电源输出短路保护以及包括过热保护在内的ECU异常保护。IPD可直接由微控制器(MCU)控制，同时还向MCU提供诊断反馈。其可减少所需的元件数量，同时提高汽车ECU电路的可靠性。

全新的TPD7212F MOSFET栅极驱动器IPD采用东芝0.13μm BiCD工艺制造，支持在同一芯片上将模拟电路和大量逻辑与功率(DMOS)器件相集成，进而减小汽车系统的尺寸，降低其功耗。

Diodes Incorporated (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商和供货商，其产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟和混合讯号半导体等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器，可将 AC 电源转成 DC 电源，提供5V 至 20V 的电压，提升脱机式变压器的效率。

APR346 可运作于连续导通模式 (CCM)、不连续导通模式 (DCM) 与准共振模式 (QR)，旨在驱动外部MOSFET，充分发挥同步整流 (SR) 效益。相较于次级侧二极管整流，同步整流不仅能显著改善产品效能，亦能提高效率。同步整流 (SR) 目前是变压器制造商的首选，未来预计成为变压器的核心技术，应用范围涵盖笔记本电脑、手机及多种便携设备，其中许多将采用搭载 PD (电力传输) 功能的 USB Type-C 接头。

<font color="#FD8900">器件提供双片、单相桥和单开关拓扑结构，并有各种电流和电压额定值可供选择</font>

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，拓宽其SOT-227封装电源模块产品线，将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准、FRED Pt®和沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS®）二极管。Vishay 的这些模块提供双片、单相桥和单开关拓扑结构，并有多种额定电流和额定电压可供选择。

采用ThunderFET功率MOSFET的VS-FC420SA15和VS-FC270SA20单开关模块是Vishay首款电压分别为150V和200V的产品。这两款器件是高性能DC/DC转换器、电池充电器、AC电机驱动器和UPS的理想选择。提供可达400A的电流，在10V时低至1.93mΩ的导通电阻，以及250nC的栅极电荷。

<font color="#FD8900">高效率节省空间和系统成本； 对于安全攸关的设计极其可靠。</font>

Nexperia，作为分立、 逻辑和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布推出本公司最低Rds(on)的汽车级MOSFET。符合AEC-Q101规范，第9代Trench技术，40 V汽车级超级结 MOSFET 采用了坚固耐用、高电与热效率的LFPAK56E封装，与传统的裸片模块、D2PAK 或 D2PAK-7 器件相比，减少了高达81%的占用空间。这款导通内阻0.9 mΩ，额定直流电流220A的 BUK9J0R9-40H MOSFET 适用于功率高达 1.2 kW 的应用，与之前最佳的解决方案 D2PAK 器件相比，成本更低。

除了降低 RDS(on) ，这款新器件还将直流电流额定值增加到 220 A – 这对于汽车级 Power-SO8 封装尺寸的器件而言尚属首次。它可在较小的占用空间里实现更高的功率密度，这对于需要双冗余电路的安全攸关汽车应用特别有用。超级结技术的使用提供了更高的抗雪崩能力和更大的安全工作区间，改善了在故障情况下应用的性能表现。

<font color="#FD8900"> 该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在电源转换系统中实现超快切换</font>

MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驱 动 器。MIC4609具有300 ns的典型输入滤波时间，旨在避免出现意外的脉冲和获得550 ns的传播延时。MIC4609具有TTL输入阈值。

MIC4609的稳健运行可确保输出不受电源毛刺、低于地电压的上桥臂（High Side，HS）振铃或高速电压转换HS摆动的影响。下桥臂和上桥臂驱动器上均提供了欠压保护。

<font color="#0000C6" size="4"><a href="http://mcu.eetrend.com/files/2018-02/wen_zhang_/100010275-35545-00.pdf"…《600V三相MOSFET/IGBT驱动器》</a></font>

意法半导体的 PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路，能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。

不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%，PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品，而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET，是一个能效特别高的替代方案。与这些产品不同，只用一个PWD13F60即可完成一个单相全桥设计，这让内部MOSFET管没有一个被闲置。新全桥模块可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。

利用意法半导体的高压 BCD6s-Offline制造工艺，PWD13F60集成了功率 MOSFET栅驱动器和上桥臂驱动自举二极管，这样设计的好处是简化电路板设计，精简组装过程，节省外部元器件。栅驱动器经过优化改进，取得了高开关可靠性和低EMI(电磁干扰)。该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能，有助于进一步降低占位面积，同时确保系统安全。

凭借600 V CoolMOS™ CFD7，英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。

这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。

该600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势，还兼具高换相稳固性，同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 V CoolMOS CFD7拥有更低的栅极电荷（Qg）和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷（Qrr）比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 V CoolMOS CFD7可为THD和SMD器件提供业内领先的解决方案，从而能够支持高功率密度解决方案。

<strong>供货</strong>