在ON状态下，MOSFET和三极管的区别大着呢！
MOSFET是一种在模拟电路和数字电路中都应用的非常广泛的一种场效晶体管。三极管也成为双极型晶体管，他能够控制电流的的流动，将较小的信号放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态，那么在处于ON状态时，这两者有什么区别呢?
MOSFET
10步法则：实用的MOSFET选型方法
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019
日前，Vishay宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆（Anaheim，California）举行的2019年国际应用电力电子展会（APEC）上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。
Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装，有效提升板级可靠性。
Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。
MOSFET与三极管的ON状态区别
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。
MOS管在ON状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变，所以MOS管采用Rds方式。
电流可以双向流过 MOSFET的D和S ，正是MOSFET这个突出的优点，让同步整流中没有DCM的概念，能量可以从输入传递到输出，也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。
意法半导体高效超结MOSFET瞄准节能型功率转换拓扑
意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。
针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16 nC的栅极电荷量（Qg）可实现高开关频率，这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。
一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别
1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。
2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ。
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET
新器件进一步提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。