MOSFET

安森美半导体发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。

ROHM推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级——SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。

源级跟随器在电路中主要用于实现电压的缓冲，电平的移位。主要表现在：电路的电压增益约等于1，这样实现输出近似跟随输入；饱和条件下输出与输入的变化为：输出电压等于输入电压-阈值电压；电路的输入阻抗趋于无穷大，输出阻抗很小，这样电路可以驱动更小的负载，以保持电路在结构上的匹配。

6 月 29 日，瑞萨电子今日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款HIP2210提供三电平PWM输入，以简化电源和电机驱动器设计

【2020 年 5 月 29 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出新一代首款独立 MOSFET。DMN3012LEG 采用轻巧封装，可提升效率，大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。

5月7日：Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。

2020年4月22日，Nexperia发布了一系列MOSFET产品，采用超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。

3月11日 — 安森美半导体推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。这些新器件适用于各种高要求的高增长应用。