ET6000

ET6000 MCU/DSP,作为翌创微电子的匠心之作,专为能源主控领域量身打造,凝聚了研发团队对可靠性设计的极致追求。从初步构想到成品问世,每一个环节都经历了严苛的验证与量产监控,从而铸就了这款非凡的高可靠性芯片。

匠心设计,成就非凡可靠性

ET6000系列MCU/DSP是翌创自主研发的首款全国产双核能源主控芯片,搭载了Arm® Cortex®-M7内核,具备高算力、大容量非易失性嵌入式存储、高性能模拟外设等特性。这些特性使得ET6000系列MCU/DSP为光储充行业提供了卓越的实时处理与环路控制能力,有效填补了国内高端能源主控芯片市场的空白。

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其中,ET6001作为首款高端双核能源主控芯片,在国内头部光伏逆变器企业的功能测试中表现出色,其性能指标达到或超越了国际竞品,并已获得批量订单,有力推动光伏逆变、储能、充电桩等行业向高端化、智能化、绿色化以及国产自主可控转型升级。而ET6002更是可以Pin2Pin兼容TI C2000,便于现有方案的国产替代和迭代升级,有效降低了开发成本和供应链风险。

在可靠性设计的理念上,翌创微电子的设计团队秉持“精益求精,细微之处见真章”的匠人精神,紧扣线路布局、版图优化、工艺精湛及封装创新四大核心要素,精准把控每一处细节,通过精心选型与强化设计,赋予ET6000卓越的鲁棒性。

面对芯片对温度变化的敏感性和应力分布不均的挑战,团队采用了精细化的应力管理策略,确保芯片在极限温度环境下依然能够稳定运行,功能参数始终保持在预定的安全阈值之内。针对电迁移这一潜在威胁,团队凭借先进的仿真技术优化版图设计,确保电流均衡流动,从而大幅降低电迁移发生的概率及风险。此外,针对客户普遍关注的ESD(静电放电)问题,ET6000特别增强了ESD防护设计,显著提升了芯片在HBM(人体模型)和CDM(充电模型)下的耐受力,展现出更加出色的防护能力。同时,通过科学的工艺DOE实验不断雕琢封装工艺,使得ET6000能够无惧高温高湿等恶劣环境的考验,展现出稳如磐石的可靠性。

严苛验证,铸就无忧品质

为了确保ET6000在实际应用中能够为用户带来无忧的体验,翌创团队携手国内权威的第三方实验室,严格依据JEDS47标准,对芯片进行了全面而深入的验证与测试。从闪存耐力极限挑战到HTOL老化测试,从加速寿命测试到极端环境适应性检验,每一项测试都旨在验证ET6000的卓越性能与可靠性。

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• 闪存耐力极限挑战:在极端温度环境(-40℃至105℃)下,ET6000成功完成了高达10万次的擦写读循环测试;即便在高达150℃的温度下,亦能维持数据长达1500小时不失,确保数据安全存储长达20年之久。

• HTOL老化测试:该测试模拟了未来10年内的多种使用情境,通过施加1.3倍额定电压与125℃高结温的混合高加速因子,对ET6000的模拟与数字电路实施了动态向量老化。结合三温回测及详尽的电性参数与分布退化分析,确保了ET6000的性能在长期使用中依然保持高效稳定。

• 加速寿命测试:我们并未止步于标准测试时长,而是将ET6000置于远超标准(达两倍之久)的高压、高温、高湿环境中进行严苛考验,从而验证了其超乎预期的耐用性与可靠性。

• 极端环境适应性检验:针对工控产品常面临的腐蚀与凝露问题,我们实施了包括盐雾试验与高压蒸煮测试在内的极端环境模拟,这些测试充分验证了ET6000在极端条件下的卓越防护与适应能力。

• 内部缺陷全面排查:在完成一系列寿命测试后,我们进一步采取了破坏性物理分析方法,深入挖掘并彻底排查了电测手段难以触及的内部潜在缺陷,确保ET6000从内到外均不存在任何潜在风险。

精细管理,夯实供应链保障的基石

凭借20年的供应链管理智慧与经验积累,翌创团队建立了完善的筛选机制和数据分析体系,运用PAT、Stack MAP、GDBN等一系列可靠性筛查和评估工具,对供应链进行严格把控和管理。这些精细化的管理手段,不仅确保了芯片原材料的品质可靠,更为ET6000的卓越性能和可靠性奠定了坚实的基础。

PAT:

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Stack MAP:

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GDBN:

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从设计理念的精心构思,到实践验证的严苛标准,再到批量生产的精细管理,翌创对ET6000的每一步都倾注了无尽的匠心与智慧。正是这份对品质的执着追求和对技术的不断创新,使得ET6000成为了能源应用领域中值得充分信赖的伙伴,为用户带来更加安心、高效的解决方案。

*文中数据以ET6001测试为基础

来源:翌创微

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围观 20

12月7日,由世纪电源网、电子研习社主办的“第三届电源行业配套品牌颁奖典礼”在深圳隆重举行。在众多电源与半导体行业精英的见证下,翌创凭借自身在高端数字能源主控芯片领域的技术积累与创新成果,荣获“国产数字IC行业技术突破奖”。

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作为全国产化高端能源主控芯片领域的领跑者,翌创自成立以来,便针对光储充等数字电源应用的行业痛点,依托全国产化供应链优势,持续坚持技术创新和产品迭代升级,不断推出高性能的“芯片+解决方案”。

截至目前,公司已成功推出ET6000系列微控制器(MCU/DSP),并相继发布了ET6001和ET6002两个产品族。这些产品内置了Arm® Cortex®-M7/32位处理器,集成了大容量非易失性存储(FLASH)和高性能模拟外设(up to 3 12bit ADC),同时配置了灵活的高精度PWM(up to 105ps);以高算力实时控制、丰富的高性能外设为基础,依托全国产供应链、构建高质量高可靠性产品,充分满足了光储充等数字电源相关应用的需求。

其中,ET6001作为首款高端双核能源主控芯片,已在国内头部光伏逆变器企业的功能测试中表现出色,其性能指标达到或超越了国际竞品,并已获得批量订单,有力推动光伏逆变、储能、充电桩等行业向高端化、智能化、绿色化以及国产自主可控转型升级。而ET6002更是可以Pin2Pin兼容TI C2000,便于现有方案的国产替代和迭代升级,有效降低了开发成本和供应链风险。

除了ET6001、ET6002之外,后续还将有ET6003等新产品族问世,不断壮大ET6000系列微控制器(MCU/DSP)的产品矩阵。

今年以来,翌创相继通过了“雏鹰企业”、“潜在独角兽”、“成都市集成电路设计企业”、“科技型中小企业”的认定,并荣登“中国潜在独角兽企业榜单”,还荣获了十九届“中国芯”芯火新锐产品奖,其技术创新和产品研发实力屡获业界认可,成为了科技骨干型企业的中坚力量。此次荣获“国产数字IC行业技术突破奖”,也是业界对翌创在持续推动数字电源行业发展中所作出贡献的再次肯定。

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翌创微电子联席CEO丁京柱博士领取奖杯

在领奖时,翌创联席CEO丁京柱博士表示,公司将继续加大技术创新力度,依托全国产供应链,不断提升产品的性能和可靠性,为光储充等数字电源应用领域的发展提供更多高算力实时控制、高质量高可靠性的产品。同时,公司也将积极拓展国内外市场,与更多合作伙伴携手共进,共同推动数字能源产业的繁荣发展。

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围观 20

翌创微电子ET6000 MCU/DSP系列芯片内置Arm®/Cortex®-M系列中最高性能的32位处理器内核Cortex®-M7,具有高算力、大容量非易失性嵌入式存储、高性能模拟外设、配置灵活的高精度PWM以及快速关断的系统级保护等特性,提供卓越的实时处理与环路控制性能,特别适用于各种功率转换应用,如光伏逆变、储能变换、电机控制以及充电桩等,可为客户提供高性能的数字能源主控芯片解决方案。

为更好支持电机类客户的产品开发,翌创芯片解决方案部门(AEG)发布了基于永磁同步电机的双电机控制器参考设计。

1 应用背景

随着新能源汽车、工业自动化控制和风力发电等行业的快速发展,高性能电机控制类MCU/DSP的需求也不断增长。ET6001芯片是一款双核 M7 处理器,主频高达 300 MHz,具备超强的运算能力和丰富的外设资源,特别适合用于 FOC 算法控制的双电机系统。本期文章将重点介绍永磁同步双电机控制器的软硬件方案。

2 硬件方案

双电机 demo 的硬件整体设计包含电机驱动板和 MCU 转接板,分别实现电机驱动、MCU 控制和调试接口等功能。

电机驱动板采用两个 AD2S1210 旋变解码器和调制解调电路,构成速度和角度信息的采集系统。功率驱动部分采用了两组三相逆变桥,其中功率器件选用 Vdss=80V、Id=60A 的 MOSFET,电流传感器量程为 ±50A。栅极驱动器为非隔离型,支持 3.3V 输入,电源电压范围为 8-20V。此外,驱动板设计了过流保护比较器和 NTC 热敏电阻,以触发过流硬件保护和板级温度监测。

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图1电机驱动板&控制板关键器件和接口

MCU 转接板选用 ET6001(LQFP176 封装)作为主控芯片。该芯片搭载两个 32 位 Cortex-M7 内核,最高主频可达 300MHz,支持双精度浮点运算,能够输出最多 24 路互补高精度 PWM 波形,并支持 34 路 12-bit SAR ADC,满足高性能电机控制算法的需求。同时,转接板还集成了一路串口、六个独立按键和一块 1.3 寸 OLED 显示屏,便于调试。

双电机demo整体硬件设计方案见下设计框图:

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图2双电机demo硬件系统方案

3 软件方案

双电机 demo 的软件控制系统由底层软件驱动、控制算法和应用软件三部分组成:底层软件驱动主要涉及 MCU 外设配置和底层软件驱动;控制算法涵盖 FOC 控制、PID 控制和 PLL 锁相环等内容;应用软件则包括简单的按键加减速、OLED 显示以及 VOFA+ 上位机调试等功能。 

下图展示了FOC 控制算法结构框图。双电机 demo 采用磁场矢量控制(FOC)来驱动永磁同步电机,控制系统使用 PID 控制算法,分为速度环和电流环控制。

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图3双电机demo控制算法结构框图

4 测试平台和视频展示

双电机demo测试结果主要在AEG部门的电机实验平台完成测试,电机实验平台主要包含集成开发编译器、VOFA+等上位机调试软件、电机性能分析仪、大功率直流DC电源、永磁同步电机、电机驱动板、电机控制板等组成。

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图4双电机实验平台

以下视频展示了电机实验平台的动态加载过程:

5 总结

随着智能化的发展,电机在多种应用场景中扮演着重要角色。不同类型的电机、功率器件和传感器对 MCU 所需的外设资源各不相同。ET6000 系列高性能 MCU 特别适合电机控制,提供强大的算力和丰富的外设资源。后续的 ET6002 将引入 EQEP 和 SDFM 接口,以满足更复杂的电机控制需求;同时ET3000 系列将支持高功能安全等级和 AEC-Q100 标准,满足车规级产品的开发要求。翌创芯片解决方案部门(AEG)也将在未来推出更多电机控制场景的解决方案,融入新的产品需求和技术应用,期待与大家的见面。

来源:翌创微

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围观 57

ET6000系列芯片采用ARM 高性能32位微控制器内核Cortex-M7。相较于M3/M4的内存,TCM(紧耦合内存)是Cortex-M7的一项重要特性,它允许设计者配置高速、低延迟的内存区域,通常用于存储关键的,时间敏感的程序代码或数据,以减少对外部RAM的访问延迟,提高系统响应速度。

同时ET6000系列芯片配备了高速指令缓存(I-Cache)和数据缓存(D-Cache)以及超大容量的SRAM。高效的内存访问机制、优化的指令执行和灵活的存储资源配置,能够满足高性能嵌入式应用的需求。在此篇文章中,我们将对 ET6000系列MCU 片上存储资源使用和配置进行详细说明。

ET6000 各类存储类型介绍

  • TCM

    • TCM 在物理上是非常靠近CPU核的, 与CPU直接连接
    • TCM包含ITCM和DTCM
    • DTCM 通常用于存储关键变量和经常更新的变量
    • ITCM 通常用于访问关键函数、异常向量表和中断服务程序
    • ITCM和DTCM之间可以相互借用
    • TCM的访问速度远高于SRAM
  • Cache

    • 作为CPU和SRAM/eFlash之间的桥梁,缓存应用程序的部分指令和部分数据
    • 对于应用程序程序员来说,Cache内容是不可见的
    • Cache包含ICache和DCache
    • 开启Cache可以显著提升指令在eFlash中执行的速度
    • 多核或DMA访问场景,需要注意cache一致性
  • SRAM

    • 物理上与CPU核距离较远,通过总线与CPU连接
    • 存储应用程序指令
    • 存储和更新应用程序数据
    • 访问速度高于Flash, 低于 TCM
    • 使用时,建议开启cache
  • eFlash

    • 存储应用程序指令
    • 访问速度最慢
    • 使用时,建议开启cache

TCMSRAMeFlash
容量大小⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐
访问速度⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐
应用场景中断服务函数或实时任务,栈, 算法存储应用程序指令
存储和更新应用程序数据
存储和执行应用程序指令
掉电可以保存

C2000 vs ET6000

C2000ET6000相同点差异点
M0/M1 RAMTCM与CPU紧耦合 ,带ECCC2000: 只有CPU可以访问
ET6001: 单核:CPU和DMA都可以访问
双核:每个核只能访问自己的TCM;DMA可访问2个核的TCM
LSx RAMSRAM带ECCC2000: 默认只有CPU可以访问,配置后可以与CLA共享或CLA独享
ET6001: CPU和DMA都可以访问
GSx RAMSRAM带ECCC2000: CPU,DMA,HIC共享
ET6001: CPU和DMA都可以访问

TCM 应用示例

针对一些对执行时间有严格要求的代码段,应用开发者在优化性能时,可优先考虑将此部分代码段重定位到TCM区域中。

ET6000 SDK提供了标准的宏,用户声明函数将重映射到ITCM中(默认在eFlash中),如下示例:

1)在代码中将需要重映射的函数 增加宏定义声明__ITCM_FUNC

/* SDK 头文件已定义 */
#define __ITCM_FUNC    __attribute__((section(".ITCMFunc")))
__RAM_FUNC void Pfc_Isr(void)  /* 只需要增加 __ITCM_FUNC 即可 */
{ 
    register float dCorrOut; 
    register float dLineVoltageV; 
    register float dAdPfcVolt; 
    register float dRmsOrderA; 
    static float dLineVoltageVReg = 0; 
    ....
}

2)编译程序,编译前选择SDK默认的链接脚本link_flash.sct

3)编译成功后查看map文件,已重映射成功

Memory Map of the image
Image Entry point : 0x08000801
Load Region LR_PFLASH_CODE (Base: 0x08000400, Size: 0x0000e6f0, Max: 0x00080000, ABSOLUTE, COMPRESSED[0x0000e168])
Execution Region ITCM_RAMCODE (Exec base: 0x00000000, Load base: 0x0800a274, Size: 0x000039c0, Max: 0x00008000)
Exec Addr    Load Addr    Size         Type   Attr      Idx    E Section Name        Object
0x00000490   0x0800a704   0x00000e70   Code   RO         6377    RAMCODE             et6001acdc_isr.o

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围观 32

ET6000系列芯片内部都包含了一个XBAR模块,它在提升系统整体性能、优化信号流管理和降低处理延时方面起到重要作用。

XBAR在PWM(脉冲宽度调制)信号的封波应用中,扮演着关键的角色。具体来说,XBAR可以用来协调和控制PWM信号的生成与其它系统组件(ADC,GPIO)之间的互动,以实现精确的电机控制或电源转换等功能。比如当系统检测到异常情况需要迅速反应时(例如电机过载或短路),XBAR可以迅速调整PWM信号的路由,立即将PWM输出设置为安全状态(如低电平或零输出),以实施紧急封锁,保护电机和电力电子器件免受损害。

在此篇文章中,我们将对 ET6000系列MCU XBAR在PWM封波中的应用进行详细说明。

1.XBAR功能介绍

XBAR模块主要功能,是为芯片的输入管脚,输出管脚和内部模块之间提供灵活的连接关系,这些连接关系可通过配置进行路由选择,同时可以通过内部集成的可配置逻辑单元(CLU)对部分连接关系进行逻辑运算,以提供更大的灵活性和可能性。

XBAR模块主要包含以下常用5种类型的XBAR单元:

  • INXB(Input XBAR 输出到其他XBAR子模块)
  • PFXB (SrPWM Fault XBAR , 输出到SRPWM模块)
  • ETXB(ETimer XBAR, 输出到ETIMER模块)
  • CLU(ADC CLU, ETIMER CLU, OPXB CLU 输出到其他XBAR子模块)
  • OPXB(OUTPUT XBAR, 输出到芯片IO管脚)

以下就PWM保护常用的XBAR子模块进行详细讲解。

1.1 INXB

Input XBAR 的输入信号来源于GPIO, 总共支持5组GPIO共80个GPIO。可输出到3个CLU子单元以及PFXB,ETXB,OPXB XBAR模块。Input XBAR 的输入源最大支持80路,输出最大支持16路。

表1
输入Index输出
GPIO0_0~GPIO0_15
GPIO1_0~GPIO1_15
GPIO2_0~GPIO2_15
GPIO3_0~GPIO3_15
GPIO4_0~GPIO4_15
0:79XCSA
XCET
XCOX
PFXB
PSXB
EFXB
OPXB

1.2 PFXB

SrPWM Fault XBAR 的输入信号来源内部各自信号, 总共支持65个输入源。可输出18路SPWM Fault Out信号。

SrPWM Fault XBAR 的输入源最大支持68路,输出最大支持18路。

表2
输入Index输出
Dflash_ecc_err0SrPWM Fault_Out[0:17]
Dflash_bus_err1
Pflash_ecc_err2
Pflash_bus_err3
Sar_core_err[2:0]4:6
Sar_wdt_evt[11:0]7:18
Cmpc_cmp0_rls[3:0]19:22
Cmpc_cmp1_rls[3:0]23:26
Wdt0_rst27
Wdt1_rst28
Cpu0_rst_evt29
Cpu1_rst_evt30
Cpu0_lockup31
Cpu1_lockup32
Cpu0_ecc_err33
Cpu1_ecc_err34
Sram_ecc_err35
Sysc_can_ecc_err36
Bus_timeout37
Cpu0_bus_err_flag38
Cpu1_bus_err_flag39
Clock_fault40
Por_uv_warn41
Pwr_ocp_warn42
Power_err43
Sysc_temp_warn44
InputXBAR[15:0]45:60
Epwm_xbar_sync[3:0]61:64
N/A65:67

1.3 OPXB

Output XBAR 的输入信号来源内部各信号, 总共支持78个输入源。可输出8路Output XBAR Out信号, 该8路信号直接输出到芯片管脚。Output XBAR 的输入源最大支持80路,输出最大支持8路。

表3
输入Index输出
Wdt0_rst0Output XBAR_Out[0:7]
Wdt1_rst1
Cpu0_rst_evt2
Cpu1_rst_evt3
Cpu0_lockup4
Cpu1_lockup5
Cpu0_ecc_err6
Cpu1_ecc_err7
Sram_ecc_err8
Sysc_can_ecc_err9
Bus_timeout10
Cpu0_bus_err_flg11
Cpu1_bus_err_flg12
Clock_fault13
Por_uv_warn14
Pwr_ocp_warn15
Power_err16
Sysc_temp_warn17
Inputxbar[15:0]18:33
Inputxbar_clu2out[3:0]34:37
Epwm_xbar_sync[3:0]38:41
Sar_xbar_in[11:0]42:53
Pit_of_exp[3:0]54:57
Stm_oc0_exp[3:0]58:61
Stm_oc1_exp[3:0]62:65
Stm_oc2_exp[3:0]66:69
Stm_oc3_exp[3:0]70:73
Cfg_opxb_sw[3:0]74:77
N/A78:79

2. XBAR输入与输出信号对应关系

输入信号经过每个XBAR子模块的预处理后,会基于输出通道进行选择,每个输出通道可以选择所有输入信号中的其中一路或多路信号 进行或逻辑操作后作为输出。所有的输入信号需经过4选1选通选择,选通后的Mux信号再经过或逻辑后才会输出到输出通道。

需要注意的是:!!!在选择输入信号时,如果2个信号同时存在于一个4选1组中,则只会有一个输入信号有效,所以应该避免需要的输入信号同时存在于一个4选1组,或者将这个2个信号单独安排输出在2个输出通道上。

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图1
3. XBAR配置流程
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图2 XBAR详细设计

XBAR模块软件配置流程如下:

  1. 根据输入信号MUX表选择对应的输入信号

  2. 根据每个模块的特性,分别设置对应输入通道的输入滤波,输入极性。

  3. 选择对应的输出通道,并配置输出通道的配置参数,如输出是否取反,输出信号处理方式,输出是否展宽等。

  4. 配置XBAR MUX寄存器,选择XBAR模块输入的信号对应的输出通道

  5. 设置输出通道使能

另外:如果配置INXB模块,还需要考虑INXB输出是否经过CLU单元,如果需要,还需要进行以下额外配置:

  1. 配置对应CLU单元,选择需要输入的INXB 输出信号

  2. 选择是否需要BYBASS该信号

  3. 选择对应CLU单元对信号处理的逻辑算法模式

  4. 配置对应输出的中断触发类型,并使能该通道中断

  5. 配置对应输出的输出极性,最后使能输出

4. PWM故障保护模块应用

4.1 PWM故障保护输入路径

PWM模块故障保护输入信号主要有以下三种:

  • 外部GPIO输入

    故障信号通过GPIO输入,先经过Input XBAR再给到SrPWM Fault XBAR模块输出故障保护信号,最后输入到SRPWM的故障保护模块。

  • 模拟比较器ACMP输入

    预先设定模拟比较器参考端的保护门限电压,实时监测模拟比较器的输入端电压,比较器输出给到SrPWM Fault XBAR模块输出故障保护信号,最后输入到SRPWM的故障保护模块。

  • ADC模块输入

    预先设定ADC模块子模块模拟看门狗的保护门限电压,实时采集输入电压,模拟看门狗告警信号输出给到SrPWM Fault XBAR模块输出故障保护信号,最后输入到SRPWM的故障保护模块。

3.jpg

图3

4.2 SrPWM模块故障输入信号说明

由表2 可以看出,XBAR的PFXB子模块最多可输出18路输出信号送往SrPWM模块的故障保护单元。这18路信号被分成3组(每组6bit)送往三组SRPWM通道(每组4个通道)。在每一组的6bit信号中,前4bit被送往SrPWM模块的前级保护单元,后2bit被送往SrPWM模块的后级保护单元。

SrPWM对故障输入的配置请参考《AN0002 SRPWM前后级保护应用指南.pdf》。

4.jpg

图4
4.3 ADC模块故障输入信号说明

每个ADC模块总共有16个虚拟通道,每个虚拟通道可产生:

  • 滤波前超上门限事件

  • 滤波前超下门限事件

  • 滤波后超上门限事件

  • 滤波后超下门限事件

共64个信号,在送入XBAR模块后,选出4个信号后送入PFXB子模块用于封波保护。筛选可通过调用XBAR驱动APIXBAR_ADC_WdgMux_Sel来完成。

5.jpg

图5
4.3 应用示例

假设GPIO2_15输入为故障信号,用于PWM的封波保护。输入信号为低电平有效。需要封波保护的SrPWM通道为PWM5,封波后PWM输出置0,保护类型为无约束保护, 使用前级保护单元封波。

参考[第三章节XBAR配置流程](#3. XBAR配置流程)如下:

  1. 参考PWM故障保护输入路径图3可得知,GPIO输入信号作为封波输入,需要经过XBAR的INXB和PFXB。所以需要这2个模块分别进行配置。
  2. INXB的输入信号为GPIO2_15, 参考表1, 则输入的index 为47. INXB的输出总共有16个通道,可以选择任意一个通道输出,此例程选择通道0.
  3. PFXB的输入信号为INXB的输出0通道,参考表2,则PFXB输入信号的index为45, PFXB的输出总共有18个通道,参考图4可得知,若要对PWM5封波,需要将PFXB的输出信号安排到CH6~9的任意一个上, 此例程选择通道6。ch6 对应前级保护的ch0。

XBAR配置参考代码如下:

/** 
    * @brief  XBAR Configure for GPIO input  to PWM  Fault in
*/
void BSP_XBAR_GPIO2PwmProtectInit(void)
{    
    XBAR_INXB_InCfg_TypeDef  inputCfg;    
    XBAR_PFSXB_InCfg_TypeDef pfxb_inputCfg;    
    XBAR_InChMsk_TypeDef     inputChMsk;
    
    /* 1. input channel configure  */    
    memset(&inputCfg, 0, sizeof(XBAR_INXB_InCfg_TypeDef));    
    memset(&pfxb_inputCfg, 0, sizeof(XBAR_PFSXB_InCfg_TypeDef));    
    XBAR_InputChMsk_Init(&inputChMsk);
    
    /* whether to enable edge trigger */    
    inputCfg.inEdgeEn = DISABLE;    
    /* whether to enable input filter */    
    inputCfg.inFilterEn = DISABLE;    
    /* whether to invert the input signal level */    
    inputCfg.inInvertEn = DISABLE;    
    /* select edge trigger type */    
    inputCfg.inEdgeType = XBAR_IN_EDGE_FALLING;
    
    /*      
        * 2. select Input XBAR input channel     
        * IN:  GPIO2_15     * OUT: INXB_OUT0     
    */    
    /* add GPIO2_15 */    
    XBAR_Input_Add_Source(&inputChMsk, INXB_SRC_GPIO2_GRP + 15); /* 47 */    
    XBAR_INXB_Input_Channel_Init(&inputCfg, &inputChMsk);    
    /* configure XBAR output channel  out_ch0  */    
    XBAR_INXB_Output_Mux_Config((uint16_t)BIT_MASK(0), &inputChMsk);    
    /* output config */    
    XBAR_INXB_Output_Latch_Disable((uint16_t)BIT_MASK(0));    
    XBAR_INXB_Output_Invert_Disable((uint16_t)BIT_MASK(0));    
    XBAR_INXB_Output_Enable((uint16_t)BIT_MASK(0));
    
    /*      
        * 3. select PFXB XBAR input channel     
        * IN:  INXB_OUT0     
        * OUT: OUT: PFXB_OUT[5:0]-> PWM_CH0~3 PFXB_OUT[11:6]-> PWM_CH4~7  PFXB_OUT[17:12]-> PWM_CH8~11    
    */    
    /* add INXB_OUT0 */    
    XBAR_InputChMsk_Init(&inputChMsk);    
    XBAR_Input_Add_Source(&inputChMsk, PFSXB_SRC_INXB_OUT_GRP + 0);      /* 45 */   
    /* whether to enable edge trigger */   
    pfxb_inputCfg.inEdgeEn = DISABLE;    
    /* whether to invert the input signal level */    
    pfxb_inputCfg.inInvertEn = DISABLE;    
    /* select edge trigger type */    
    pfxb_inputCfg.inEdgeType = XBAR_IN_EDGE_FALLING;    
    XBAR_PFXB_Input_Channel_Init(&pfxb_inputCfg, &inputChMsk);    
    /* configure XBAR output channel  out_ch6 -> PWM_CH4~7 */    
    XBAR_PFXB_Output_Mux_Config((uint16_t)BIT_MASK(6), &inputChMsk);    
    /* output config */    
    XBAR_PFXB_Output_Latch_Disable((uint16_t)BIT_MASK(6));    
    XBAR_PFXB_Output_Invert_Enable((uint16_t)BIT_MASK(6));    
    XBAR_PFXB_Output_Enable((uint16_t)BIT_MASK(6));
}

SrPWM故障保护配置参考代码如下:

SRPWM_PREPInitTypeDef stPREPInit;

memset(&stPREPInit, 0, sizeof(SRPWM_PREPInitTypeDef));

stPREPInit.a.unresFaultProtectSig   = SRPWM_PREP_SIG_FAULT_REAL0;   /* 0/1/2/3 */
stPREPInit.a.unresFaultProtectState = SRPWM_PREP_STATE_CLR;
stPREPInit.b.unresFaultProtectSig   = SRPWM_PREP_SIG_FAULT_REAL0;
stPREPInit.b.unresFaultProtectState = SRPWM_PREP_STATE_CLR;
SRPWM_PREPInit(SRPWM5, &stPREPInit);

4.4 总结

模拟比较器ACMP和ADC模拟看门狗输入封波的配置与GPIO输入封波配置类似,只是PFXB的输入信号选择变为:

  • Sar_wdt_evt[0:11],来自经过XBAR模块选择后的ADC看门狗事件。
  • Cmpc_cmp0_rls[0:3],来自模拟比较器模块输出比较结果
  • Cmpc_cmp1_rls[0:3],来自模拟比较器模块输出比较结果

来源:翌创微

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围观 52

翌创微电子ET6000 MCU/DSP系列芯片内置Arm®/Cortex®-M系列中最高性能的32位处理器内核Cortex®-M7,具有高算力、大容量非易失性嵌入式存储、高性能模拟外设、配置灵活的高精度PWM以及快速关断的系统级保护等特性,提供卓越的实时处理与环路控制性能,特别适用于各种功率转换应用,如光伏逆变、储能变换、电机控制以及充电桩等,同时满足有功能安全要求的汽车级应用,可为客户提供高性能的数字能源主控芯片解决方案。

为更好支持能源客户的产品开发,翌创芯片解决方案部门(AEG)发布了针对户用微型光伏逆变场景的第一代参考设计(微逆1.0)。

应用背景

根据《巴黎气候变化协定》,我国计划到2030年单位GDP的二氧化碳排放比2005年下降60%~65%,到2030年非化石能源在一次能源消费中的比例提高到20%左右。我国太阳能资源丰富,陆地表面年接受太阳能约为50×1018kJ,有2/3面积以上的地区太阳能资源丰富。得益于得天独厚的条件,我国光伏发电技术和产业化应用得到长足发展。

在光伏应用场景,目前常用的光伏并网系统架构主要有集中式逆变器(Centralized Inverter)、串式逆变器(String Inverter)、多串式逆变器(Multi-String Inverter)和交流模块(AC-Module)。

交流模块将光伏组件和逆变器集成为一体化设备(如图1所示),是一个独立的太阳能发电系统,在不需要任何人工干预的情况下,完成将太阳能转换成交流电能馈入电网。智能化、模块化使得它在微小功率分布式并网发电系统中备受青睐,一般它处理的功率等级不超过500W,因此又把这一功率处理单元称作微型逆变器 (Micro-Inverter)或交流模块(AC Modules),后续文章都简称微逆。

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图1:微型逆变器的并网架构

反激类变换器通常具有电路结构简单、输入与输出电气隔离、升/降压范围宽和成本低等优点,广泛应用于中小功率开关电源中。因此,光伏并网微型逆变器常以反激式变换器为基础,在反激式变换器输出侧接工频换向桥并网,通过并网电流控制技术、高频PWM调制技术和软开关等技术满足微逆的设计需求。但随着微逆拓扑方案的逐步演进,微逆客户对MCU也提出了更高的要求;ET6000系列产品采用M7架构设计,在性价比上可满足不同类型的开发需求。

微逆1.0方案主要规格

依据各国光伏行业的准入标准以及智能化要求,微逆不仅仅是进行电能转换、最大功率点追踪和并网,还需要考虑孤岛检测、无线通讯、快速保护策略和功率测量等功能。ET6001的M7内核支持单周期乘加,DSP和浮点运算和依托成熟的算法库,可以满足复杂电网场景下的运算需求。

为了验证ET6001在微逆场景下的应用,我们开发了微逆1.0方案(250W基于反激的伪母线方案),实现:

  • 输入范围20V-60VDC,输出范围200V-240VAC;

  • 交错并联有源钳位反激;

  • M7单核实现单级控制(同步采样、环路计算和PWM更新频率100KHz);

  • 并网功率250W/峰值效率大于92.7%。

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图2 微逆1.0方案原理框图

微逆1.0方案主要算法

图2是微逆1.0方案的原理框图,前级实现最大功率点追踪(MPPT)和输出电流的THD调节功能,后级工频管子实现并网功能。通过对光伏组件进行最大功率点追踪,实现光伏组件的最高效率利用,将太阳能量回馈到电网上。反激电路通过SPWM调制,将直流电流转换为正弦电流输出,再通过后级工频管回馈到电网上,实现并网功能。

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图3  微逆1.0控制框图

图3则是详细展示了上述控制策略,其中需要调用MPPT(最大效率跟踪)和PLL(锁相环)两个重要子模块。PLL部分采用了基于内积的闭环锁相理念,可支撑无功调节的未来需求。MPPT部分则采用常规的扰动观测法,先扰动输出电压值,然后测其功率变化与扰动之前的功率值比较,不断寻找更大的功率输出点。

微逆1.0方案实物及测试结果

图4展示了微逆1.0方案的实物照片,已完成各类测试。

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图3 250W 微逆DEMO

基于以下工作条件: Vin_dc=40V;Vout=220V;Iout=1.14A,我们针对常规的指标(效率、PF、THD)进行了测试,详细数据如下:

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微逆方案展望

作为中小功率场景的应用,微逆对拓扑方案的创新在不断往前推进,高频化、GaN也是微逆方案绕不开的研究热点。而阳台光储这类新兴产品需求,也对小功率DC-AC方案提出了双向的开发需求。翌创芯片解决方案部门(AEG)正在开发的微逆2.0方案,会融入更新的产品需求和新的技术应用,期待与大家见面。

来源:翌创微

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围观 32

6月13日,翌创微电子在上海虹桥绿地铂瑞酒店成功举办了“‘翌’路领航,创‘芯’能源”ET6000系列MCU/DSP产品发布会。在此次发布会上,翌创微电子荣耀发布了首款全国产双核Cortex-M7能源主控MCU/DSP——ET6000系列芯片。

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翌创荣耀发布首款全国产双核Cortex-M7能源主控MCU/DSP

公司CEO罗翔鲲:以“芯”力量助推新能源高质量发展

发布会开场,公司CEO罗总满腔热情地发表了开场致辞。他带领大家回顾了公司从创立至今的历程:翌创微电子是在全球从化石能源向清洁能源转型和双碳目标确定的大背景下应运而生的。他强调,公司自成立之初,就立志通过技术创新与产品研发,为新能源领域带来新的活力,推动光储充行业向更高质量的发展迈进

在演讲中,罗总深入剖析了当前全球能源市场的状况及未来走势,他表示:“在全球追求碳中和目标的大环境下,新能源正逐步从辅助能源转变为主体能源,而技术的持续革新将为这一变革提供坚实支撑。翌创团队正积极面对挑战,紧抓机遇,为实现碳中和目标贡献我们的‘芯’力量。”

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公司CEO罗翔鲲满腔热情地发表了开场致辞

“未来,几乎所有行业都将需要与以光伏为代表的新能源协同发展。”罗总提到,“就拿当前最火热的AI来说,AI的尽头是算力,算力的尽头是电力,电力的尽头是新能源、是光伏。”

绿色发展是未来高质量发展的核心,而新能源技术本身就是推动这种绿色发展的新质生产力。罗总表示,在这个历史性的转型过程中,公司将不遗余力地投入研发,为推动碳中和目标的实现贡献力量。

在发布会上,罗总宣布:翌创ET6000系列MCU/DSP荣耀发布。“我们希望与客户、合作伙伴一起,创新赋能新能源生态,共谋光储充行业发展!”

ET6000系列揭开面纱:高性能实时控制,绿色能源未来可期

随后,翌创微电子CMO丁京柱向与会嘉宾全面介绍了ET6000系列产品的卓越特性和完备的开发生态。他介绍道,ET6000系列凭借高算力、高性能模拟外设以及高精度PWM发波等关键技术特性,精准满足光储充行业实时控制应用场景的多样化需求。

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公司CMO丁京柱介绍ET6000系列的卓越特性和完备的开发生态

翌创团队围绕ET6000系列MCU/DSP,精心打造了一系列与数字能源应用相关的专业级解决方案,包括PFC、LLC、车载充电机(OBC)、组串式逆变器、微型逆变器、充电桩模块等参考设计。

“以车载充电机为例,团队采用碳化硅器件作为PFC级的主功率器件,通过ET6001芯片的高速环路控制,实现了两路交错120kHz高频硬开关,既降低了磁元件尺寸,又维持了较高的转换效率。”

这些实际应用案例充分展示了ET6000系列在新能源领域的广泛潜力和价值,引起了与会嘉宾的广泛关注和热烈讨论。

此外,翌创团队还为ET6000系列配备了完善的开发生态系统,包括软件应用生态、EVB测试平台和场景测试平台,旨在降低客户工程师的学习成本,缩短开发周期,加速产品上市。

ET6000系列推出:彰显新能源主控“芯”实力

此次发布会的成功举办,不仅彰显了翌创微电子在新能源主控芯片领域的技术实力和创新能力,更传递了其推动绿色发展的坚定决心。随着ET6000系列的正式推出,翌创微电子有望在全球能源革命和碳中和目标实现过程中发挥更加重要的作用。

此次发布会不仅是一场技术与产品的盛宴,更是一次行业交流与合作的契机。固德威副总裁方刚,以及合肥一维新能源、厦门宝沃尔、阳光电源、天青元储、美的合康等行业嘉宾及代理商、相关投资机构代表也亲临现场,共同见证了这一荣耀时刻。

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发布会现场

除了到访嘉宾外,还有来自全国各地的数千位电源工程师在线上观看了本次发布会,大家踊跃发言提问,对技术细节、产品应用、未来趋势的探讨等细节进行询问和探讨,并表达出对ET6000系列MCU/DSP量产上市的期待。

参会嘉宾们纷纷表示,将密切关注翌创微电子的后续发展,期待与之展开更紧密的合作,共同书写能源行业的新篇章!

关于翌创

成都翌创微电子有限公司于2021年9月在成都成立,在上海、深圳、武汉均有分部。公司立足新能源领域的“源、网、荷、储”,聚焦工业(光伏、储能、充电桩、电机等)、新能源汽车(电源、电池、电控、域控)等领域,为客户提供高性能的“芯片+产品”解决方案。

公司立足中国应用市场,紧跟工业、车载等领域的发展趋势,深入了解客户需求,精准定义芯片规格,快速推出新品,提供具有竞争力的产品和服务,确保供应链、产业链安全自主可控。

公司地址:成都高新区高朋大道3号东方希望大厦A座9楼901室

电话:028-83350520

网址:https://www.etmcu.com

邮箱:support@etmcu.comsales@etmcu.com

来源:翌创微

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