ET6000

ET6000系列芯片采用ARM 高性能32位微控制器内核Cortex-M7。相较于M3/M4的内存,TCM(紧耦合内存)是Cortex-M7的一项重要特性,它允许设计者配置高速、低延迟的内存区域,通常用于存储关键的,时间敏感的程序代码或数据,以减少对外部RAM的访问延迟,提高系统响应速度。

同时ET6000系列芯片配备了高速指令缓存(I-Cache)和数据缓存(D-Cache)以及超大容量的SRAM。高效的内存访问机制、优化的指令执行和灵活的存储资源配置,能够满足高性能嵌入式应用的需求。在此篇文章中,我们将对 ET6000系列MCU 片上存储资源使用和配置进行详细说明。

ET6000 各类存储类型介绍

  • TCM

    • TCM 在物理上是非常靠近CPU核的, 与CPU直接连接
    • TCM包含ITCM和DTCM
    • DTCM 通常用于存储关键变量和经常更新的变量
    • ITCM 通常用于访问关键函数、异常向量表和中断服务程序
    • ITCM和DTCM之间可以相互借用
    • TCM的访问速度远高于SRAM
  • Cache

    • 作为CPU和SRAM/eFlash之间的桥梁,缓存应用程序的部分指令和部分数据
    • 对于应用程序程序员来说,Cache内容是不可见的
    • Cache包含ICache和DCache
    • 开启Cache可以显著提升指令在eFlash中执行的速度
    • 多核或DMA访问场景,需要注意cache一致性
  • SRAM

    • 物理上与CPU核距离较远,通过总线与CPU连接
    • 存储应用程序指令
    • 存储和更新应用程序数据
    • 访问速度高于Flash, 低于 TCM
    • 使用时,建议开启cache
  • eFlash

    • 存储应用程序指令
    • 访问速度最慢
    • 使用时,建议开启cache

TCMSRAMeFlash
容量大小⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐
访问速度⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐
应用场景中断服务函数或实时任务,栈, 算法存储应用程序指令
存储和更新应用程序数据
存储和执行应用程序指令
掉电可以保存

C2000 vs ET6000

C2000ET6000相同点差异点
M0/M1 RAMTCM与CPU紧耦合 ,带ECCC2000: 只有CPU可以访问
ET6001: 单核:CPU和DMA都可以访问
双核:每个核只能访问自己的TCM;DMA可访问2个核的TCM
LSx RAMSRAM带ECCC2000: 默认只有CPU可以访问,配置后可以与CLA共享或CLA独享
ET6001: CPU和DMA都可以访问
GSx RAMSRAM带ECCC2000: CPU,DMA,HIC共享
ET6001: CPU和DMA都可以访问

TCM 应用示例

针对一些对执行时间有严格要求的代码段,应用开发者在优化性能时,可优先考虑将此部分代码段重定位到TCM区域中。

ET6000 SDK提供了标准的宏,用户声明函数将重映射到ITCM中(默认在eFlash中),如下示例:

1)在代码中将需要重映射的函数 增加宏定义声明__ITCM_FUNC

/* SDK 头文件已定义 */
#define __ITCM_FUNC    __attribute__((section(".ITCMFunc")))
__RAM_FUNC void Pfc_Isr(void)  /* 只需要增加 __ITCM_FUNC 即可 */
{ 
    register float dCorrOut; 
    register float dLineVoltageV; 
    register float dAdPfcVolt; 
    register float dRmsOrderA; 
    static float dLineVoltageVReg = 0; 
    ....
}

2)编译程序,编译前选择SDK默认的链接脚本link_flash.sct

3)编译成功后查看map文件,已重映射成功

Memory Map of the image
Image Entry point : 0x08000801
Load Region LR_PFLASH_CODE (Base: 0x08000400, Size: 0x0000e6f0, Max: 0x00080000, ABSOLUTE, COMPRESSED[0x0000e168])
Execution Region ITCM_RAMCODE (Exec base: 0x00000000, Load base: 0x0800a274, Size: 0x000039c0, Max: 0x00008000)
Exec Addr    Load Addr    Size         Type   Attr      Idx    E Section Name        Object
0x00000490   0x0800a704   0x00000e70   Code   RO         6377    RAMCODE             et6001acdc_isr.o

来源:翌创微

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围观 22

ET6000系列芯片内部都包含了一个XBAR模块,它在提升系统整体性能、优化信号流管理和降低处理延时方面起到重要作用。

XBAR在PWM(脉冲宽度调制)信号的封波应用中,扮演着关键的角色。具体来说,XBAR可以用来协调和控制PWM信号的生成与其它系统组件(ADC,GPIO)之间的互动,以实现精确的电机控制或电源转换等功能。比如当系统检测到异常情况需要迅速反应时(例如电机过载或短路),XBAR可以迅速调整PWM信号的路由,立即将PWM输出设置为安全状态(如低电平或零输出),以实施紧急封锁,保护电机和电力电子器件免受损害。

在此篇文章中,我们将对 ET6000系列MCU XBAR在PWM封波中的应用进行详细说明。

1.XBAR功能介绍

XBAR模块主要功能,是为芯片的输入管脚,输出管脚和内部模块之间提供灵活的连接关系,这些连接关系可通过配置进行路由选择,同时可以通过内部集成的可配置逻辑单元(CLU)对部分连接关系进行逻辑运算,以提供更大的灵活性和可能性。

XBAR模块主要包含以下常用5种类型的XBAR单元:

  • INXB(Input XBAR 输出到其他XBAR子模块)
  • PFXB (SrPWM Fault XBAR , 输出到SRPWM模块)
  • ETXB(ETimer XBAR, 输出到ETIMER模块)
  • CLU(ADC CLU, ETIMER CLU, OPXB CLU 输出到其他XBAR子模块)
  • OPXB(OUTPUT XBAR, 输出到芯片IO管脚)

以下就PWM保护常用的XBAR子模块进行详细讲解。

1.1 INXB

Input XBAR 的输入信号来源于GPIO, 总共支持5组GPIO共80个GPIO。可输出到3个CLU子单元以及PFXB,ETXB,OPXB XBAR模块。Input XBAR 的输入源最大支持80路,输出最大支持16路。

表1
输入Index输出
GPIO0_0~GPIO0_15
GPIO1_0~GPIO1_15
GPIO2_0~GPIO2_15
GPIO3_0~GPIO3_15
GPIO4_0~GPIO4_15
0:79XCSA
XCET
XCOX
PFXB
PSXB
EFXB
OPXB

1.2 PFXB

SrPWM Fault XBAR 的输入信号来源内部各自信号, 总共支持65个输入源。可输出18路SPWM Fault Out信号。

SrPWM Fault XBAR 的输入源最大支持68路,输出最大支持18路。

表2
输入Index输出
Dflash_ecc_err0SrPWM Fault_Out[0:17]
Dflash_bus_err1
Pflash_ecc_err2
Pflash_bus_err3
Sar_core_err[2:0]4:6
Sar_wdt_evt[11:0]7:18
Cmpc_cmp0_rls[3:0]19:22
Cmpc_cmp1_rls[3:0]23:26
Wdt0_rst27
Wdt1_rst28
Cpu0_rst_evt29
Cpu1_rst_evt30
Cpu0_lockup31
Cpu1_lockup32
Cpu0_ecc_err33
Cpu1_ecc_err34
Sram_ecc_err35
Sysc_can_ecc_err36
Bus_timeout37
Cpu0_bus_err_flag38
Cpu1_bus_err_flag39
Clock_fault40
Por_uv_warn41
Pwr_ocp_warn42
Power_err43
Sysc_temp_warn44
InputXBAR[15:0]45:60
Epwm_xbar_sync[3:0]61:64
N/A65:67

1.3 OPXB

Output XBAR 的输入信号来源内部各信号, 总共支持78个输入源。可输出8路Output XBAR Out信号, 该8路信号直接输出到芯片管脚。Output XBAR 的输入源最大支持80路,输出最大支持8路。

表3
输入Index输出
Wdt0_rst0Output XBAR_Out[0:7]
Wdt1_rst1
Cpu0_rst_evt2
Cpu1_rst_evt3
Cpu0_lockup4
Cpu1_lockup5
Cpu0_ecc_err6
Cpu1_ecc_err7
Sram_ecc_err8
Sysc_can_ecc_err9
Bus_timeout10
Cpu0_bus_err_flg11
Cpu1_bus_err_flg12
Clock_fault13
Por_uv_warn14
Pwr_ocp_warn15
Power_err16
Sysc_temp_warn17
Inputxbar[15:0]18:33
Inputxbar_clu2out[3:0]34:37
Epwm_xbar_sync[3:0]38:41
Sar_xbar_in[11:0]42:53
Pit_of_exp[3:0]54:57
Stm_oc0_exp[3:0]58:61
Stm_oc1_exp[3:0]62:65
Stm_oc2_exp[3:0]66:69
Stm_oc3_exp[3:0]70:73
Cfg_opxb_sw[3:0]74:77
N/A78:79

2. XBAR输入与输出信号对应关系

输入信号经过每个XBAR子模块的预处理后,会基于输出通道进行选择,每个输出通道可以选择所有输入信号中的其中一路或多路信号 进行或逻辑操作后作为输出。所有的输入信号需经过4选1选通选择,选通后的Mux信号再经过或逻辑后才会输出到输出通道。

需要注意的是:!!!在选择输入信号时,如果2个信号同时存在于一个4选1组中,则只会有一个输入信号有效,所以应该避免需要的输入信号同时存在于一个4选1组,或者将这个2个信号单独安排输出在2个输出通道上。

1.jpg


图1
3. XBAR配置流程
2.jpg


图2 XBAR详细设计

XBAR模块软件配置流程如下:

  1. 根据输入信号MUX表选择对应的输入信号

  2. 根据每个模块的特性,分别设置对应输入通道的输入滤波,输入极性。

  3. 选择对应的输出通道,并配置输出通道的配置参数,如输出是否取反,输出信号处理方式,输出是否展宽等。

  4. 配置XBAR MUX寄存器,选择XBAR模块输入的信号对应的输出通道

  5. 设置输出通道使能

另外:如果配置INXB模块,还需要考虑INXB输出是否经过CLU单元,如果需要,还需要进行以下额外配置:

  1. 配置对应CLU单元,选择需要输入的INXB 输出信号

  2. 选择是否需要BYBASS该信号

  3. 选择对应CLU单元对信号处理的逻辑算法模式

  4. 配置对应输出的中断触发类型,并使能该通道中断

  5. 配置对应输出的输出极性,最后使能输出

4. PWM故障保护模块应用

4.1 PWM故障保护输入路径

PWM模块故障保护输入信号主要有以下三种:

  • 外部GPIO输入

    故障信号通过GPIO输入,先经过Input XBAR再给到SrPWM Fault XBAR模块输出故障保护信号,最后输入到SRPWM的故障保护模块。

  • 模拟比较器ACMP输入

    预先设定模拟比较器参考端的保护门限电压,实时监测模拟比较器的输入端电压,比较器输出给到SrPWM Fault XBAR模块输出故障保护信号,最后输入到SRPWM的故障保护模块。

  • ADC模块输入

    预先设定ADC模块子模块模拟看门狗的保护门限电压,实时采集输入电压,模拟看门狗告警信号输出给到SrPWM Fault XBAR模块输出故障保护信号,最后输入到SRPWM的故障保护模块。

3.jpg

图3

4.2 SrPWM模块故障输入信号说明

由表2 可以看出,XBAR的PFXB子模块最多可输出18路输出信号送往SrPWM模块的故障保护单元。这18路信号被分成3组(每组6bit)送往三组SRPWM通道(每组4个通道)。在每一组的6bit信号中,前4bit被送往SrPWM模块的前级保护单元,后2bit被送往SrPWM模块的后级保护单元。

SrPWM对故障输入的配置请参考《AN0002 SRPWM前后级保护应用指南.pdf》。

4.jpg

图4
4.3 ADC模块故障输入信号说明

每个ADC模块总共有16个虚拟通道,每个虚拟通道可产生:

  • 滤波前超上门限事件

  • 滤波前超下门限事件

  • 滤波后超上门限事件

  • 滤波后超下门限事件

共64个信号,在送入XBAR模块后,选出4个信号后送入PFXB子模块用于封波保护。筛选可通过调用XBAR驱动APIXBAR_ADC_WdgMux_Sel来完成。

5.jpg

图5
4.3 应用示例

假设GPIO2_15输入为故障信号,用于PWM的封波保护。输入信号为低电平有效。需要封波保护的SrPWM通道为PWM5,封波后PWM输出置0,保护类型为无约束保护, 使用前级保护单元封波。

参考[第三章节XBAR配置流程](#3. XBAR配置流程)如下:

  1. 参考PWM故障保护输入路径图3可得知,GPIO输入信号作为封波输入,需要经过XBAR的INXB和PFXB。所以需要这2个模块分别进行配置。
  2. INXB的输入信号为GPIO2_15, 参考表1, 则输入的index 为47. INXB的输出总共有16个通道,可以选择任意一个通道输出,此例程选择通道0.
  3. PFXB的输入信号为INXB的输出0通道,参考表2,则PFXB输入信号的index为45, PFXB的输出总共有18个通道,参考图4可得知,若要对PWM5封波,需要将PFXB的输出信号安排到CH6~9的任意一个上, 此例程选择通道6。ch6 对应前级保护的ch0。

XBAR配置参考代码如下:

/** 
    * @brief  XBAR Configure for GPIO input  to PWM  Fault in
*/
void BSP_XBAR_GPIO2PwmProtectInit(void)
{    
    XBAR_INXB_InCfg_TypeDef  inputCfg;    
    XBAR_PFSXB_InCfg_TypeDef pfxb_inputCfg;    
    XBAR_InChMsk_TypeDef     inputChMsk;
    
    /* 1. input channel configure  */    
    memset(&inputCfg, 0, sizeof(XBAR_INXB_InCfg_TypeDef));    
    memset(&pfxb_inputCfg, 0, sizeof(XBAR_PFSXB_InCfg_TypeDef));    
    XBAR_InputChMsk_Init(&inputChMsk);
    
    /* whether to enable edge trigger */    
    inputCfg.inEdgeEn = DISABLE;    
    /* whether to enable input filter */    
    inputCfg.inFilterEn = DISABLE;    
    /* whether to invert the input signal level */    
    inputCfg.inInvertEn = DISABLE;    
    /* select edge trigger type */    
    inputCfg.inEdgeType = XBAR_IN_EDGE_FALLING;
    
    /*      
        * 2. select Input XBAR input channel     
        * IN:  GPIO2_15     * OUT: INXB_OUT0     
    */    
    /* add GPIO2_15 */    
    XBAR_Input_Add_Source(&inputChMsk, INXB_SRC_GPIO2_GRP + 15); /* 47 */    
    XBAR_INXB_Input_Channel_Init(&inputCfg, &inputChMsk);    
    /* configure XBAR output channel  out_ch0  */    
    XBAR_INXB_Output_Mux_Config((uint16_t)BIT_MASK(0), &inputChMsk);    
    /* output config */    
    XBAR_INXB_Output_Latch_Disable((uint16_t)BIT_MASK(0));    
    XBAR_INXB_Output_Invert_Disable((uint16_t)BIT_MASK(0));    
    XBAR_INXB_Output_Enable((uint16_t)BIT_MASK(0));
    
    /*      
        * 3. select PFXB XBAR input channel     
        * IN:  INXB_OUT0     
        * OUT: OUT: PFXB_OUT[5:0]-> PWM_CH0~3 PFXB_OUT[11:6]-> PWM_CH4~7  PFXB_OUT[17:12]-> PWM_CH8~11    
    */    
    /* add INXB_OUT0 */    
    XBAR_InputChMsk_Init(&inputChMsk);    
    XBAR_Input_Add_Source(&inputChMsk, PFSXB_SRC_INXB_OUT_GRP + 0);      /* 45 */   
    /* whether to enable edge trigger */   
    pfxb_inputCfg.inEdgeEn = DISABLE;    
    /* whether to invert the input signal level */    
    pfxb_inputCfg.inInvertEn = DISABLE;    
    /* select edge trigger type */    
    pfxb_inputCfg.inEdgeType = XBAR_IN_EDGE_FALLING;    
    XBAR_PFXB_Input_Channel_Init(&pfxb_inputCfg, &inputChMsk);    
    /* configure XBAR output channel  out_ch6 -> PWM_CH4~7 */    
    XBAR_PFXB_Output_Mux_Config((uint16_t)BIT_MASK(6), &inputChMsk);    
    /* output config */    
    XBAR_PFXB_Output_Latch_Disable((uint16_t)BIT_MASK(6));    
    XBAR_PFXB_Output_Invert_Enable((uint16_t)BIT_MASK(6));    
    XBAR_PFXB_Output_Enable((uint16_t)BIT_MASK(6));
}

SrPWM故障保护配置参考代码如下:

SRPWM_PREPInitTypeDef stPREPInit;

memset(&stPREPInit, 0, sizeof(SRPWM_PREPInitTypeDef));

stPREPInit.a.unresFaultProtectSig   = SRPWM_PREP_SIG_FAULT_REAL0;   /* 0/1/2/3 */
stPREPInit.a.unresFaultProtectState = SRPWM_PREP_STATE_CLR;
stPREPInit.b.unresFaultProtectSig   = SRPWM_PREP_SIG_FAULT_REAL0;
stPREPInit.b.unresFaultProtectState = SRPWM_PREP_STATE_CLR;
SRPWM_PREPInit(SRPWM5, &stPREPInit);

4.4 总结

模拟比较器ACMP和ADC模拟看门狗输入封波的配置与GPIO输入封波配置类似,只是PFXB的输入信号选择变为:

  • Sar_wdt_evt[0:11],来自经过XBAR模块选择后的ADC看门狗事件。
  • Cmpc_cmp0_rls[0:3],来自模拟比较器模块输出比较结果
  • Cmpc_cmp1_rls[0:3],来自模拟比较器模块输出比较结果

来源:翌创微

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围观 23

翌创微电子ET6000 MCU/DSP系列芯片内置Arm®/Cortex®-M系列中最高性能的32位处理器内核Cortex®-M7,具有高算力、大容量非易失性嵌入式存储、高性能模拟外设、配置灵活的高精度PWM以及快速关断的系统级保护等特性,提供卓越的实时处理与环路控制性能,特别适用于各种功率转换应用,如光伏逆变、储能变换、电机控制以及充电桩等,同时满足有功能安全要求的汽车级应用,可为客户提供高性能的数字能源主控芯片解决方案。

为更好支持能源客户的产品开发,翌创芯片解决方案部门(AEG)发布了针对户用微型光伏逆变场景的第一代参考设计(微逆1.0)。

应用背景

根据《巴黎气候变化协定》,我国计划到2030年单位GDP的二氧化碳排放比2005年下降60%~65%,到2030年非化石能源在一次能源消费中的比例提高到20%左右。我国太阳能资源丰富,陆地表面年接受太阳能约为50×1018kJ,有2/3面积以上的地区太阳能资源丰富。得益于得天独厚的条件,我国光伏发电技术和产业化应用得到长足发展。

在光伏应用场景,目前常用的光伏并网系统架构主要有集中式逆变器(Centralized Inverter)、串式逆变器(String Inverter)、多串式逆变器(Multi-String Inverter)和交流模块(AC-Module)。

交流模块将光伏组件和逆变器集成为一体化设备(如图1所示),是一个独立的太阳能发电系统,在不需要任何人工干预的情况下,完成将太阳能转换成交流电能馈入电网。智能化、模块化使得它在微小功率分布式并网发电系统中备受青睐,一般它处理的功率等级不超过500W,因此又把这一功率处理单元称作微型逆变器 (Micro-Inverter)或交流模块(AC Modules),后续文章都简称微逆。

1.png

图1:微型逆变器的并网架构

反激类变换器通常具有电路结构简单、输入与输出电气隔离、升/降压范围宽和成本低等优点,广泛应用于中小功率开关电源中。因此,光伏并网微型逆变器常以反激式变换器为基础,在反激式变换器输出侧接工频换向桥并网,通过并网电流控制技术、高频PWM调制技术和软开关等技术满足微逆的设计需求。但随着微逆拓扑方案的逐步演进,微逆客户对MCU也提出了更高的要求;ET6000系列产品采用M7架构设计,在性价比上可满足不同类型的开发需求。

微逆1.0方案主要规格

依据各国光伏行业的准入标准以及智能化要求,微逆不仅仅是进行电能转换、最大功率点追踪和并网,还需要考虑孤岛检测、无线通讯、快速保护策略和功率测量等功能。ET6001的M7内核支持单周期乘加,DSP和浮点运算和依托成熟的算法库,可以满足复杂电网场景下的运算需求。

为了验证ET6001在微逆场景下的应用,我们开发了微逆1.0方案(250W基于反激的伪母线方案),实现:

  • 输入范围20V-60VDC,输出范围200V-240VAC;

  • 交错并联有源钳位反激;

  • M7单核实现单级控制(同步采样、环路计算和PWM更新频率100KHz);

  • 并网功率250W/峰值效率大于92.7%。

2.jpg

图2 微逆1.0方案原理框图

微逆1.0方案主要算法

图2是微逆1.0方案的原理框图,前级实现最大功率点追踪(MPPT)和输出电流的THD调节功能,后级工频管子实现并网功能。通过对光伏组件进行最大功率点追踪,实现光伏组件的最高效率利用,将太阳能量回馈到电网上。反激电路通过SPWM调制,将直流电流转换为正弦电流输出,再通过后级工频管回馈到电网上,实现并网功能。

3.png

图3  微逆1.0控制框图

图3则是详细展示了上述控制策略,其中需要调用MPPT(最大效率跟踪)和PLL(锁相环)两个重要子模块。PLL部分采用了基于内积的闭环锁相理念,可支撑无功调节的未来需求。MPPT部分则采用常规的扰动观测法,先扰动输出电压值,然后测其功率变化与扰动之前的功率值比较,不断寻找更大的功率输出点。

微逆1.0方案实物及测试结果

图4展示了微逆1.0方案的实物照片,已完成各类测试。

1724808339121707.png

图3 250W 微逆DEMO

基于以下工作条件: Vin_dc=40V;Vout=220V;Iout=1.14A,我们针对常规的指标(效率、PF、THD)进行了测试,详细数据如下:

5.png

6.png

7.png

微逆方案展望

作为中小功率场景的应用,微逆对拓扑方案的创新在不断往前推进,高频化、GaN也是微逆方案绕不开的研究热点。而阳台光储这类新兴产品需求,也对小功率DC-AC方案提出了双向的开发需求。翌创芯片解决方案部门(AEG)正在开发的微逆2.0方案,会融入更新的产品需求和新的技术应用,期待与大家见面。

来源:翌创微

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围观 21

6月13日,翌创微电子在上海虹桥绿地铂瑞酒店成功举办了“‘翌’路领航,创‘芯’能源”ET6000系列MCU/DSP产品发布会。在此次发布会上,翌创微电子荣耀发布了首款全国产双核Cortex-M7能源主控MCU/DSP——ET6000系列芯片。

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翌创荣耀发布首款全国产双核Cortex-M7能源主控MCU/DSP

公司CEO罗翔鲲:以“芯”力量助推新能源高质量发展

发布会开场,公司CEO罗总满腔热情地发表了开场致辞。他带领大家回顾了公司从创立至今的历程:翌创微电子是在全球从化石能源向清洁能源转型和双碳目标确定的大背景下应运而生的。他强调,公司自成立之初,就立志通过技术创新与产品研发,为新能源领域带来新的活力,推动光储充行业向更高质量的发展迈进

在演讲中,罗总深入剖析了当前全球能源市场的状况及未来走势,他表示:“在全球追求碳中和目标的大环境下,新能源正逐步从辅助能源转变为主体能源,而技术的持续革新将为这一变革提供坚实支撑。翌创团队正积极面对挑战,紧抓机遇,为实现碳中和目标贡献我们的‘芯’力量。”

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公司CEO罗翔鲲满腔热情地发表了开场致辞

“未来,几乎所有行业都将需要与以光伏为代表的新能源协同发展。”罗总提到,“就拿当前最火热的AI来说,AI的尽头是算力,算力的尽头是电力,电力的尽头是新能源、是光伏。”

绿色发展是未来高质量发展的核心,而新能源技术本身就是推动这种绿色发展的新质生产力。罗总表示,在这个历史性的转型过程中,公司将不遗余力地投入研发,为推动碳中和目标的实现贡献力量。

在发布会上,罗总宣布:翌创ET6000系列MCU/DSP荣耀发布。“我们希望与客户、合作伙伴一起,创新赋能新能源生态,共谋光储充行业发展!”

ET6000系列揭开面纱:高性能实时控制,绿色能源未来可期

随后,翌创微电子CMO丁京柱向与会嘉宾全面介绍了ET6000系列产品的卓越特性和完备的开发生态。他介绍道,ET6000系列凭借高算力、高性能模拟外设以及高精度PWM发波等关键技术特性,精准满足光储充行业实时控制应用场景的多样化需求。

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公司CMO丁京柱介绍ET6000系列的卓越特性和完备的开发生态

翌创团队围绕ET6000系列MCU/DSP,精心打造了一系列与数字能源应用相关的专业级解决方案,包括PFC、LLC、车载充电机(OBC)、组串式逆变器、微型逆变器、充电桩模块等参考设计。

“以车载充电机为例,团队采用碳化硅器件作为PFC级的主功率器件,通过ET6001芯片的高速环路控制,实现了两路交错120kHz高频硬开关,既降低了磁元件尺寸,又维持了较高的转换效率。”

这些实际应用案例充分展示了ET6000系列在新能源领域的广泛潜力和价值,引起了与会嘉宾的广泛关注和热烈讨论。

此外,翌创团队还为ET6000系列配备了完善的开发生态系统,包括软件应用生态、EVB测试平台和场景测试平台,旨在降低客户工程师的学习成本,缩短开发周期,加速产品上市。

ET6000系列推出:彰显新能源主控“芯”实力

此次发布会的成功举办,不仅彰显了翌创微电子在新能源主控芯片领域的技术实力和创新能力,更传递了其推动绿色发展的坚定决心。随着ET6000系列的正式推出,翌创微电子有望在全球能源革命和碳中和目标实现过程中发挥更加重要的作用。

此次发布会不仅是一场技术与产品的盛宴,更是一次行业交流与合作的契机。固德威副总裁方刚,以及合肥一维新能源、厦门宝沃尔、阳光电源、天青元储、美的合康等行业嘉宾及代理商、相关投资机构代表也亲临现场,共同见证了这一荣耀时刻。

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发布会现场

除了到访嘉宾外,还有来自全国各地的数千位电源工程师在线上观看了本次发布会,大家踊跃发言提问,对技术细节、产品应用、未来趋势的探讨等细节进行询问和探讨,并表达出对ET6000系列MCU/DSP量产上市的期待。

参会嘉宾们纷纷表示,将密切关注翌创微电子的后续发展,期待与之展开更紧密的合作,共同书写能源行业的新篇章!

关于翌创

成都翌创微电子有限公司于2021年9月在成都成立,在上海、深圳、武汉均有分部。公司立足新能源领域的“源、网、荷、储”,聚焦工业(光伏、储能、充电桩、电机等)、新能源汽车(电源、电池、电控、域控)等领域,为客户提供高性能的“芯片+产品”解决方案。

公司立足中国应用市场,紧跟工业、车载等领域的发展趋势,深入了解客户需求,精准定义芯片规格,快速推出新品,提供具有竞争力的产品和服务,确保供应链、产业链安全自主可控。

公司地址:成都高新区高朋大道3号东方希望大厦A座9楼901室

电话:028-83350520

网址:https://www.etmcu.com

邮箱:support@etmcu.comsales@etmcu.com

来源:翌创微

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