ET6000 MCU/DSP，作为翌创微电子的匠心之作，专为能源主控领域量身打造，凝聚了研发团队对可靠性设计的极致追求。从初步构想到成品问世，每一个环节都经历了严苛的验证与量产监控，从而铸就了这款非凡的高可靠性芯片。
匠心设计，成就非凡可靠性
ET6000系列MCU/DSP是翌创自主研发的首款全国产双核能源主控芯片，搭载了Arm® Cortex®-M7内核，具备高算力、大容量非易失性嵌入式存储、高性能模拟外设等特性。这些特性使得ET6000系列MCU/DSP为光储充行业提供了卓越的实时处理与环路控制能力，有效填补了国内高端能源主控芯片市场的空白。
其中，ET6001作为首款高端双核能源主控芯片，在国内头部光伏逆变器企业的功能测试中表现出色，其性能指标达到或超越了国际竞品，并已获得批量订单，有力推动光伏逆变、储能、充电桩等行业向高端化、智能化、绿色化以及国产自主可控转型升级。而ET6002更是可以Pin2Pin兼容TI C2000，便于现有方案的国产替代和迭代升级，有效降低了开发成本和供应链风险。
在可靠性设计的理念上，翌创微电子的设计团队秉持“精益求精，细微之处见真章”的匠人精神，紧扣线路布局、版图优化、工艺精湛及封装创新四大核心要素，精准把控每一处细节，通过精心选型与强化设计，赋予ET6000卓越的鲁棒性。
面对芯片对温度变化的敏感性和应力分布不均的挑战，团队采用了精细化的应力管理策略，确保芯片在极限温度环境下依然能够稳定运行，功能参数始终保持在预定的安全阈值之内。针对电迁移这一潜在威胁，团队凭借先进的仿真技术优化版图设计，确保电流均衡流动，从而大幅降低电迁移发生的概率及风险。此外，针对客户普遍关注的ESD（静电放电）问题，ET6000特别增强了ESD防护设计，显著提升了芯片在HBM（人体模型）和CDM（充电模型）下的耐受力，展现出更加出色的防护能力。同时，通过科学的工艺DOE实验不断雕琢封装工艺，使得ET6000能够无惧高温高湿等恶劣环境的考验，展现出稳如磐石的可靠性。
严苛验证，铸就无忧品质
为了确保ET6000在实际应用中能够为用户带来无忧的体验，翌创团队携手国内权威的第三方实验室，严格依据JEDS47标准，对芯片进行了全面而深入的验证与测试。从闪存耐力极限挑战到HTOL老化测试，从加速寿命测试到极端环境适应性检验，每一项测试都旨在验证ET6000的卓越性能与可靠性。
• 闪存耐力极限挑战：在极端温度环境（-40℃至105℃）下，ET6000成功完成了高达10万次的擦写读循环测试；即便在高达150℃的温度下，亦能维持数据长达1500小时不失，确保数据安全存储长达20年之久。
• HTOL老化测试：该测试模拟了未来10年内的多种使用情境，通过施加1.3倍额定电压与125℃高结温的混合高加速因子，对ET6000的模拟与数字电路实施了动态向量老化。结合三温回测及详尽的电性参数与分布退化分析，确保了ET6000的性能在长期使用中依然保持高效稳定。
• 加速寿命测试：我们并未止步于标准测试时长，而是将ET6000置于远超标准（达两倍之久）的高压、高温、高湿环境中进行严苛考验，从而验证了其超乎预期的耐用性与可靠性。
• 极端环境适应性检验：针对工控产品常面临的腐蚀与凝露问题，我们实施了包括盐雾试验与高压蒸煮测试在内的极端环境模拟，这些测试充分验证了ET6000在极端条件下的卓越防护与适应能力。
• 内部缺陷全面排查：在完成一系列寿命测试后，我们进一步采取了破坏性物理分析方法，深入挖掘并彻底排查了电测手段难以触及的内部潜在缺陷，确保ET6000从内到外均不存在任何潜在风险。
精细管理，夯实供应链保障的基石
凭借20年的供应链管理智慧与经验积累，翌创团队建立了完善的筛选机制和数据分析体系，运用PAT、Stack MAP、GDBN等一系列可靠性筛查和评估工具，对供应链进行严格把控和管理。这些精细化的管理手段，不仅确保了芯片原材料的品质可靠，更为ET6000的卓越性能和可靠性奠定了坚实的基础。
PAT：
Stack MAP:
GDBN:
从设计理念的精心构思，到实践验证的严苛标准，再到批量生产的精细管理，翌创对ET6000的每一步都倾注了无尽的匠心与智慧。正是这份对品质的执着追求和对技术的不断创新，使得ET6000成为了能源应用领域中值得充分信赖的伙伴，为用户带来更加安心、高效的解决方案。
*文中数据以ET6001测试为基础
来源：翌创微
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