利用C2000™ 实时MCU 提高GaN 数字电源设计实用性


与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。
为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。
大多数芯片都是5V的TTL电平,要做到电平兼容,电平匹配,避免要电平转换操作,所有很多单片机的工作电压都是5V。
中断系统中,MCU正常情况下运行的程序称为主程序,把产生申请中断信号的单元和事件称为中断源......
时钟信号好比是单片机的脉搏,了解STM32时钟系统是必要的。
共集放大电路只有电流放大作用,输入电阻高,输出电阻低,具有电压跟随的特点,常做多级放大电路的输入级和输出级。
随着对嵌入式系统的要求越来越高,作为其核心的嵌入式微处理器的综合性能也受到日益严峻的考验。
在电子电路设计中,干扰的存在让设计者们苦不堪言,干扰会导致电路发生异常,甚至会导致最终的产品无法正常使用。
多数中间总线转换器(IBC)通过大型变压器实现从输入端到输出端的隔离。
近两年,国内芯片设计类企业呈现出一种趋势,之前专注于存储、模拟、电源、射频甚至AI等领域的设计公司,纷纷开始调整方向涉足MCU业务。
每项新应用设计都需要一个单片机或微处理器。当在两者之间选择其一时,需要考虑一些因素。