航顺HK32F030A/031A已批量供货

2021年11月1日，国内领先半导体厂商“航顺芯片”推出全新升级后的软硬件全兼容HK32F030A/031A系列32位MCU，该系列产品完全兼容旧版本030/031系列并具有更高的工艺标准、更高主频、更高集成度以及软件更兼容国外进口，还具有更高的抗干扰能力以及稳定性，ESD高达6000V以上。全系列均采用12寸晶圆以及最新工艺制程搭载Arm Cortex-M0 内核，主频高达96MHz，提供128KB FLASH 和10KB SRAM，在老版本的基础上增加了超低功耗串口、超低功耗定时器，具有更丰富的资源，可大批量应用消费、家电、汽车、医疗、物联网、马达驱动等领域。

HK32F030A/031A系列主要性能特点

◆Arm Cortex-M0 32位内核，运行频率高达 96MHz
◆提供最高128KB FLASH，10KB SRAM
◆2路USART、1路LPUART、2路 SPI/ I2S、2路 I2C
◆1个高级定时器，可输出 4 通道带互补端口的 PWM，支持死区和刹车
◆1个32位通用定时器、5个16位通用定时器、1个LPTimer、基本定时器、RTC定时器
◆1组12-bit SAR ADC，支持最高 1MSPS 采样率和 16 路外部通道输入
◆支持 HSE、LSE、HSI、LSI，内部HSI可以直接倍频到96M
◆内置 7 通道DMA、提供更快的数据传输
◆1.8-3.6V宽电压设计，I/O支持5V-tolerant
◆-40℃-105℃工业级温度范围设计 ,应用范围广
◆高可靠性：支持最高 ±6000V HBM ESD，高温 Latch-up 可耐受更高脉冲电流

供货情况以及订货信息

HK32F030A/031A 系列提供多种封装：

LQFP64/LQFP48/LQFP32/QFN32/QFN28/TSSOP20

HK32F030A系列提供以下型号：

HK32F030RBT6A HK32F030CBT6A

HK32F030R8T6A HK32F030C8T6A

HK32F030C6T6A HK32F030K6T6A

HK32F030F4P6A

HK32F031A系列提供以下型号：

HK32F031C6T6A HK32F031C4T6A

HK32F031K6T6A HK32F031K6U6A

HK32F031K4U6A HK32F031G6U6A

HK32F031G4U6A HK32F031F6P6A

HK32F031F4P6A

全系列支持-40℃-105℃工作温度范围，可直接替换老版本同型号，开发工具以及套件兼容老版本，目前已大批量到货且后续供货稳定，欢迎大家订购！

航顺HK32ASPIN010已批量供货

2021年11月1日，国内领先半导体厂商“航顺芯片”推出电机驱动专用HK32ASPIN010系列32位MCU，该系列产品采用12寸晶圆以及最新工艺制程搭载ARM Cortex-M0 内核并向下兼容030A/031A系列。全系列主频高达96MHz，提供128KB FLASH 和10KB SRAM ，片内集成FOC硬件加速算法、电压比较器、CLU逻辑单元、CAN通讯接口，具有更好的性能以及更高的集成度，适用于电动工具，家电、机器人、电动车等BLDC专用领域。

HK32ASPIN010系列主要特点

◆Arm Cortex-M0 内核，运行频率高达 96MHz
◆提供最高128KB FLASH，10KB SRAM
◆2 路USART、1路LPUART、2 路 SPI/ I2S、2路 I2C
◆1 个高级定时器，可输出 4 通道带互补端口的 PWM，支持死区和刹车
◆1个32位通用定时器、5个16位通用定时器、1个LPTimer、基本定时器、RTC定时器
◆1 组 12-bit SAR ADC，支持最高 1MSPS 采样率和 16 路外部通道输入
◆内置FOC硬件加速算法、3路电压比较器、4路CLU，丰富电机应用
◆支持 HSE、LSE、HSI、LSI,内部HSI可以直接倍频到96M
◆内置 7 通道 DMA、提供更快的数据传输
◆1.8-3.6V宽电压设计 ，I/O支持 5V-tolerant
◆-40℃-105℃工业级温度范围设计 ,应用范围广
◆高可靠性：支持最高 ±6000V HBM ESD，高温 Latch-up 可耐受更高脉冲电流 ch-up 可耐受更高脉冲电流

供货情况以及订货信息

HK32ASPIN010系列提供多种封装：

LQFP64/LQFP48/LQFP32/QFN32/QFN28/TSS0P20

HK32ASPIN010系列提供以下型号：

HK32ASPIN010RBT6 HK32ASPIN010CBT6 HK32ASPIN010KBT6

HK32ASPIN010KBU6 HK32ASPIN010GBU6 HK32ASPIN010FBP6

全系列支持-40℃-105℃工作温度范围，可向下兼容030/031，开发工具兼容其他M0系列产品，目前已大批量到货且后续供货稳定，欢迎大家订购！

航顺芯片推出HK32ATCH040X家族MCU，新产品是基于ARM® Cortex®-M0内核的高性能、超低功耗、触摸MCU，待机功耗最低至2µA，并为用户提供了丰富多样的产品类型和封装形式。

HK32ATCH040X家族MCU拥有先进的触摸感应控制器（TSC)

概述

触摸感应控制器（Touch Sensing Controller，TSC）模块支持24通道触摸按键检测和单通道防水功能。
每个触摸按键通道支持最大电容200 pF，单防水通道支持最大电容1.2 nF。
TSC 模块具备硬件检测功能，可过滤无效触摸，更好地支持低功耗应用场景。

主要特性

• 24个触控通道，1个防水通道支持4组参数（充电电流缩放比率，积分次数）配置，每个通道可单独配置支持每个通道多次采样取平均值

• 内嵌4 KBytes 的SRAM和32 KBytes 的Flash

• 支持高达 48 MHz 的系统工作频率

• 内部集成高精度RC 时钟，可支持免晶振的应用场景

• 提供丰富的外设接口，如：支持推挽/开漏模式的 GPIO、标准的通信接口 SPI1、支持 FM+模式的I2C1、同步异步串行收发器USART1、标准的数字音频接口I2S1、转换率可达 1MSPS的12-bit ADC、5 个支持比较与捕获功能的Timer、可校准工作时钟的高精度RTC、多达24通道的TSC、2 个独立的OPAMP

• 独立的Shielding 通道使其可支持防水功能

• 慢/快时钟（Slow/Fast Timer）工作模式，时钟频率可配置

• 支持最多4个通道硬件检测，各通道检测阈值可单独配置

• 中断工作方式

• 每个触摸按键通道支持的最大自容电容为200pF，Shielding通道支持的最大Shielding电容为1.2 nF。针对低功耗应用场景，提供从Stop、Standby模式唤醒的功能，支持4通道可选

• 支持通道重映射

功能描述

TSC初始化后，如果工作在硬件检测模式下，当慢时钟（Slow Timer）计数超时，会对已使能硬件检测的通道进行采样。如果采样结果符合条件，则硬件检测通过，否则失败。

硬件检测成功时，TSC模块将切换到快时钟（Fast Timer），周期性对符合条件的通道Ckey电容进行采样，然后产生TSC中断，并将数据保存到TSC数据寄存器（TSC_DATAx）中。

软件处理完数据后，可以配置SLTIMER位域切换至Slow Timer下的硬件检测模式。

出道即巅峰 2 µA待机功耗

在低功耗领域国际厂商布局相对较早，随着各类物联网应用的普及，近两年国内厂商也开始逐步推出低功耗乃至超低功耗产品，以拓展智能物联网的应用范围。HK32ATCH040X家族MCU，待机功耗最低至2µA，专为超低功耗而生。

HK32ATCH040X家族MCU为Cortex-M0内核的32位RISC处理器，专为低成本、低功耗触摸芯片的嵌入式系统设计，具有运算性能高、中断响应速度快等特性，共有6种不同的封装形式，支持Sleep 、Stop、Standby三种低功耗模式，系统工作频率高达 48 MHz。

产品列表

丰富多样的产品类型，可根据CPU频率、内存容量、外设资源、封装形式等特性进行产品选型，满足不同应用场景的需求。

市场应用

HK32ATCH040X家族触摸屏控制MCU广泛应用于国内智能家居、汽车、电机、小家电、智能交通等产品。伴随着显示技术和智能终端的创新发展，我们在技术上不断推陈出新，拓展人机交互技术在更多领域的创新应用，为全球消费者带来精准控制与流畅自然的极致用户体验。

• 电机应用：

有感，无感方波/FOC BLDC电机应用，如小风扇、风机、电动工具、电动自行车控制器、可以提供各种电机应用算法支持。

• 家电应用：

触摸现专用电机功能支持需要BLDC控制的家电应用产品，如破壁机、果汁机、空气净化器等，可以提供各种电机应用算法支持。

• 小家电：

触摸功能与多PIN脚封装功能选择可以支持多种小家电应用,如电饭煲、咖啡机、浴霸。

• 电子烟：

2.2 X2.2的封装可以支持电子烟小封装应用，并支持触摸功能。 

• 其它应用：

健康医疗电子（血氧仪，血压计）、仪表盘、LED灯控光控制、智能家居、智能酒店管理（触摸控制）
 
应用案例

智能家居触控芯片

该系列产品类别丰富，支持各类屏幕尺寸，并已广泛应用于智能音箱、冰箱、遥控器等智能家电产品，可为全球客户提供稳定可靠，精准灵敏的触控解决方案。

热烈祝贺航顺HK32MCU仅用四年时间强势跻身中国MCU 综合实力TOP 5！独有核心技术推动航顺芯片飞速发展，超越众多友商二十年进度。

采用AspenCore专有的量化模型：主要参数包括2021年营收和利润、公司总员工人数和研发人员人数、研发投入占营收的比例，以及累积专利数量。

航顺芯片作为MCU唯一国家级专精特新重点小巨人、国家级重点集成电路设计企业是由小微民营企业自主投入发展起来的国产MCU领军企业。航顺芯片在发展过程中经历过无数的困难和质疑，但我们坚持专心专注矢志不渝做难而正确的事情，慢即是快，始终弘扬工匠精神。

经过短短4年的发展成为中国MCU综合实力前五强。航顺人越努力钻研越深入越充满敬畏，矢志不移为推动中国MCU国产化做出卓越贡献。

HK32F103x/C/D/E是深圳市航顺芯片技术研发有限公司推出的中大容量的F103系列芯片。作为32位MCU，大多会内置flash以便应用程序的存储及更新，其可靠性及访问速度也远远优于外部flash。

01、Flash闪存主要特性

高达512 Kbyte Flash存储器

存储器结构：

◆主闪存模块：512Kbyte,该存储块划分为256（Page）×2Kbyte

◆选项字节有256个字

闪存的接口特征：

◆带预取缓冲器的读接口

◆选择字节加载器

◆闪存编程/擦除操作

◆访问/写保护

◆低功耗模式

Flash空间由32位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块有256页（每页2Kbyte）。模块如下表所示：

02、Flash写和擦除操作

Flash擦写模块处理Flash的编程和擦除，它包含12个32位的寄存器。在产品的整个工作电压范围内支持执行Flash编程和擦除操作。该操作由下列12个寄存器完成：

●Flash关键字寄存器（FLASH_KEYR）

●Flash选项关键字寄存器(FLASH_OPTKEYR)

●Flash控制寄存器(FLASH_CR)

●Flash状态寄存器(FLASH_SR)

●Flash地址寄存器(FLASH_AR)

●Flash选项字节寄存器(FLASH_OBR)

●Flash写保护寄存器(FLASH_WRPR)

●Flash控制寄存器2(FLASH_ECR)

●4个编程数据寄存器(PW0~PW3)

只要CPU不访问Flash空间，正在执行的Flash写操作不会妨碍CPU的运行。即，在执行写/擦除操作的同时，不能对Flash取指和访问其数据。否则，总线访问将暂停。

03、对Flash空间的解锁

复位后，Flash存储器默认处于受保护状态，以避免意外擦除。FLASH_CR寄存器的值通常不允许改写，只有对FLASH_KEYR寄存器进行解锁操作后，才具有对FLASH_ CR寄存器的访问权限。解锁操作包括以下步骤：

1.向FLASH_KEYR寄存器写入关键字KEY1=0x45670123。

2.向FLASH_KEYR寄存器写入关键字KEY2=0xCDEF89AB。

任何错误的顺序将会锁死FLASH_CR直至下次复位。当发生关键字错误时，会由总线错误引发一次硬件错误中断。

●如果KEY1出错，就会立即中断。

●如果KEY1正确但KEY2错误时，就会在KEY2错的时刻触发中断。

可以对比以下该系列芯片的主要储存器映射图：

04、标准编程

Flash 存储器接口会预读待编程地址的内容，然后判断其是否已经被擦除，如果不是，那么编程操作会自动取消，并且在FLASH_SR寄存器的PGERR位上提示编程错误告警。如果被编程的内容为全零，则会例外，这时会正确编程并且不告警。

如果待编程地址所对应的FLASH_WRPR中的写保护位有效，同样也不会有编程动作，同样也会产生编程错误告警。编程动作结束后，FLASH_SR寄存器中的EOP位会给出提示。

主Flash存储器标准模式下的编程过程如下：

●半字、字编程：

1.检查FLASH_SR中的BSY位，以确认上次操作已经结束。

2.置位FLASH_CR寄存器中的PG位或者FLASH_ECR的WPG位。

3.根据配置，以半字/字为单位向目标地址写入数据。

4.等待FLASH_SR寄存器中的 BSY 归零。

5、读取编程的值然后验证。

●双字和四字编程：

1.检查FLASH_SR中的BSY位，以确认上次操作已经结束。

2.置位FLASH_ECR寄存器中的2WPG位或者4WPG位。

3.根据配置，向PW0~PW1或者PW0~PW4写入数据。

4.向FLASH_AR写入待编程位置最低位置地址。

5.置位FLASH_CR寄存器中的STRT位为1。

6.等待FLASH_SR寄存器中的BSY归零。

7.读取编程的值然后验证。

注意：当 FLASH_SR中的BSY被置’1’时，写模式下的寄存器不能被读。

Flash存储器擦除

Flash存储器可以按页或半页为单位擦除，也可以整片擦除。

页擦除

擦除页的步骤如下：

1.检查FLASH_SR中的BSY位，以确认上次操作已经结束。

2.将FLASH_CR寄存器中的PER位置为1，以选择按页擦除。

3.写FLASH_AR寄存器的FAR位，写入待擦除页的地址。

4.将FLASH_CR寄存器中的 STRT 位置为1，以启动擦除操作。

5.等待FLASH_SR中的BSY变为0，表明擦除操作完成。

6.检查LASH_SR寄存器的EOP标志（若Flash擦除成功会置位EOP），然后软件清除该标志位。

半页擦除

Flash的半页为1Kbyte，半页擦除流程和页擦除流程类似，区别在于把FLASH_ECR中的HPER位置’1’。擦除半页的步骤如下：

1.检查FLASH_SR寄存器中的BSY位，以确认上次操作已经结束。

2.将FLASH_CR寄存器中的HPER位置为1，以选择按半页擦除。

3.写FLASH_AR寄存器的FAR位，写入待擦除半页的地址。

4.将FLASH_CR寄存器中的STRT位置为1，以启动擦除操作。

5.等待FLASH_SR中的BSY变为0，表明擦除操作完成。

6.检查LASH_SR寄存器的EOP标志（若Flash擦除成功会置位EOP），然后软件清除该标志位。

整片擦除

可以用整片擦除命令一次擦除整个Flash区，但该命令不会影响信息块，具体步骤如下：

1.检查FLASH_SR寄存器的BS位，以确认上次操作已经结束。

2.将FLASH_CR寄存器中的MER位置为1，以选择整片擦除。

3.将FLASH_CR寄存器中的STRT位置为1，以启动擦除操作。

4.等待FLASH_SR中的BSY位置0，表明整片擦除操作结束。

5.检查FLASH_SR寄存器的EOP标志位（如果Flash擦除成功会置位EOP），然后软件清除该标志位。

05、flash在写及擦除使用过程中需要注意的地方

问题描述：

CACHE打开的情况下，FLASH写及擦除操作时产生错误。

根本原因：设计原因。

解决方案：

在写了FLASH->AR寄存器后,操作FLASH->CR寄存器前执行CACHE->CTL|=0x0800指令清一下CACHE。对于HK32F103xCxDxE，我们已经在hk32f10x_flash.c 中已经修改。