射频

一、功能介绍 

CW32W031 提前中断功能是在芯片读取一帧数据的过程中,查看已经解出来的数据,判断是不是自己想要的, 再决定继续读取还是放弃这帧数据。 

流程图如下所示: 

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图 1-1 提前中断流程图

二、软件设计参考 

2.1 软件设计流程 

1. 芯片初始化;

2. 将芯片配置为提前中断模式; 

3. 通过寄存器设置包头长度,或者称为计数器门限值。提前中断功能需要设置确定从第几个字节开始检查, 以及检查多少个字节的数据(只支持 8 字节或 16 字节,分别使用 PLHD_LEN8/PLHD_LEN16 表示); 

4. 芯片进入接收模式; 

5. 芯片接收数据,内部计数器开始计数,收到一个字节加 1,直至计数器达到包头长度之后,芯片会产生 提前中断信号,供软件读取; 

6. 软件判断是否为自己想要的数据,如果是,则继续往下读取,如果不是,则停止读取

2.2 软件设计验证 

2.2.1 验证步骤 

1. 发送模组周期性发送 100 字节数据包,前 30 字节数据为

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2. 接收模组配置提前中断模式,并设置从第 5 字节开始,共检查 16 字节数据;

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3. 当产生提前中断信号时,将提前中断得到的数据打印出来;

4. 继续往下接收,将本帧数据全部打印出来;

5. 通过串口助手查看打印结果。

2.2.2 SDK 示例

main.c 参考代码:

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示例代码配置了提前中断模式,并设置从第 5 字节开始,共检查 16 字节数据。接收到提前中断信号后,主 函数中选择将提前中断接收到的内容打印出来,并继续接收;随后模组会再产生一个接收中断信号,主函数 中再将完整接收到的数据内容打印出来。 

如果需要提前中止接收,只需要在接收到提前中断信号后执行“PAN3028_rst();”,即:

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2.2.3 验证结果 

串口助手显示结果为:

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根据结果显示,接收模组发生了提前中断,获取到了指定的数据,并继续执行接收,接收到完整数据包。

2.3 逻辑分析仪抓取 

2.3.1 验证步骤 

1. 发送模组周期性发送数据包; 

2. 接收模组分别使用提前中断接收模式和正常接收模式进行接收 

3. 使用逻辑分析仪 Channel1 抓取提前中断信号,Channel1 抓取正常接收端信号

2.3.2 验证结果 

抓取结果如下图所示:

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图 2-1 逻辑分析仪抓取结果

由结果可以看出,提前中断接收模式在 1.35ms 时就产生了提前中断,供用户判断。正常接收模式需要在 57.39ms 才产生完整的接收中断。

2.4 注意事项 

提前中断功能只支持读取两种数据长度,即 8 字节 /16 字节,分别 PLHD_LEN8/PLHD_LEN16 表示。不可以使用自定义参数。 

提前中断功能获取数据时,使用 PAN3028_plhd_receive() 接口函数,与普通数据包 PAN3028_recv_packet() 接口函数不同,其内部 FIFO 地址不同。

来源:武汉芯源半导体

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围观 19

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5月18日,杭州地芯科技有限公司(以下简称:地芯科技)在上海举办云腾系列新品发布会,发布了全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多频功率放大器模块(MMMB PAM),它应用于3G/4G手持设备(包括手机及其他手持移动终端)以及Cat1.物联网设备,支持的多频段多制式应用。本模块还支持可编程MIPI控制。

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地芯科技副总裁张顶平表示CMOS工艺是集成电路中最为广泛使用的工艺技术,具有高集成度、低成本、漏电流低、导热性好、设计灵活等特性,但也存在击穿电压低、线性度差两大先天性弊端,使其在射频PA应用上面临巨大的技术挑战。

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“业界一直有将CMOS工艺应用于射频的尝试,我们都知道在饱和PA领域,CMOS是主流,但是在线性PA领域,砷化镓PA是主流,地芯科技率先将CMOS PA进入饱和PA领域。因为我们看到,CMOS工艺目前从设计到制造到封测已经成熟 ,可以去替代中低端砷化镓PA了。”张顶平指出,“地芯科技的创始团队深耕线性CMOS PA技术十多年,在过往的经验基础上开拓创新,攻克了击穿电压低、线性度差两大世界级工艺难题,在全球范围内率先量产支持4G的线性CMOS PA,将使得CMOS 工艺的PA进入主流射频前端市场成为可能。”

他从放大器的FOM指标,线性度、可靠性方面做了对比。

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从这些指标上可以看出在低发射功率领域,CMOS PA的指标不输砷化镓PA,在可靠性领域,CMOS PA的指标完胜砷化镓PA,如下图所示。测试 条件 Pin = 6dB m , Vbatt = 4.6 V。“在非常极端条件下,在6dBm 在如此苛刻条件下,我们通过了,而砷化镓PA会烧掉。” 他总结说。

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此外,他表示    CMOS PA直接采用封装没有额外打线,因此可以保持良好的一致性,还有就是 CMOS PA有更高的集成度,下图显示了新品在集成度上的优势。

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据他介绍,GC0643是一款多模多频带(MMMB)功率放大器模块(PAM),支持3G/4G手机和物联网应用,并在WCDMA、TD-SCDMA和LTE模式下高效运行。该模块可通过移动工业处理器接口(MIPI®)进行完全编程。“它支持支持3G/4G IoT及手机应用 ;支持TD/FDD模式;支持B1/B3/B5/B8/B34/B39/B40/B4频带。”他指出。

3G:GC0643支持WCDMA、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSMPA)、高速分组接入(HSPA+)和TD-SCDMA调制。在各个功率范围和调制模式下,通过改变输入功率和DC-DC提供的电压值,来最大化功率放大器的效率

4G:GC0643支持1.4、3、5、10、15、20 MHz信道带宽。类似于3G操作,通过改变输入功率和DC-DC提供的电压值,来最大化功率放大器的效率。其中,PAM由一个用于低频、高频和中频的WCDMA/LTE模块和一个多功能控制模块组成,RF输入/输出端口内部匹配到50Ω,以减少外部组件的数量。CMOS集成电路使用标准MIPI控制来提供内部MFC接口和操作。极低的漏电流可最大限度地延长手机待机时间。

硅芯片和无源元件安装在多层层压基板上。29焊盘 4.0 mm x 4.0 mm x 0.81 mm LGA封装,可提供高度可制造、低成本的解决方案。

GC0643具体性能如下:在3.4V的电源电压下,在CMOS工艺难以企及的2.5G高频段,该CMOS PA可输出32dBm的饱和功率,效率接近50%;在LTE10M 12RB的调制方式下,-38dBc UTRA ACLR的线性功率可达27.5dBbm(MPR0),FOM值接近70,比肩GaAs工艺的线性PA。在4.5V的电源电压下,Psat更是逼近34dBm,并在Psat下通过了VSWR 1:10的SOA可靠性测试。该设计成功攻克了CMOS PA可靠性和线性度的主要矛盾,预示了线性CMOS PA进入Psat为30-36dBm主流市场的可能性。

GC0643技术亮点如下:

1、基于CMOS工艺路线的全新多模多频PA设计思路

2、创新型开关设计支持多频多模单片集成

3、创新的线性化电路设计

4、低功耗、低成本、高集成度、高可靠性的最佳解决方案

地芯科技CEO吴瑞砾表示,“Common-Source架构的CMOS PA和HBT的架构类似,其非线性实际上并非特别棘手到难以处理,主要问题在于无法承受太高的电源电压。”他也指出,“CMOS工艺提供了丰富种类的器件,以及灵活的设计性,通过巧妙的电路设计,可以通过模拟和数字的方式补偿晶体管本身的非线性。这也是CMOS PA设计最重要的课题之一。”

其实这款CMOS PA并不是地芯科技首款新品,作为国内为数不多的在射频领域深耕的企业,地芯科技在2022年就发布了国内首款超宽频、超宽带、低功耗、高性能、高集成度,且支持Sub 6GHz软件无线电的SDR射频收发机芯片——GC080X系列。

GC080X系列芯片运用了 Virtual Chip-Split芯片架构,该架构可以把模拟的IQ信号拉出来,把这颗芯片做一个自由组合,客户可以根据自己的需求灵活配置。此外,Virtual Chip-Split架构还可以实现射频信号到模拟信号之间的转化,也可以实现模拟信号到数字信号之间的转化。

GC080X系列芯片还集成了12bit的模数转换器ADC和12bit的数模转换器DAC。内置可编程模拟滤波器,支持最小0.7MHz带宽的模拟低通滤波器以及TX最大50MHz带宽的模拟低通滤波器,RX最大50MHz的模拟低通滤波器。混频器和锁相环也都集成在芯片内部,并且发射部分集成有驱动级放大器,可以输出8dBm以上单音信号。

GC080X系列能够支持的频率范围为200MHz到5GHz,可配置射频带宽能够支持小于200KHz到100MHz的范围,覆盖了几乎所有通信的频率需求,包括从物联网到射频的专网通信、卫星通信、航空航天等需求。

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这款收发机芯片直接对标某国际大厂同类产品,张顶平表示地芯科技在模拟领域有深厚积累,在ADC、时钟、混频器领域都有顶尖的产品,未来也有将各种融合的计划。

“这款CMOS PA在成本上有非常好的竞争力,我们的目标是首打物联网应用,其次是3G4G低端智能手机,功能机等应用。”他总结说。

关于地芯科技

杭州地芯科技有限公司成立于2018年,总部位于中国(杭州)人工智能小镇,并在上海及深圳设有公司分部。公司研发方向包括5G无线通信高端芯片、低功耗高性能的物联网芯片、高端工业电子模拟射频芯片以及无线通信模组等产品,横跨信号链、监测链、时钟链等多类型芯片,终端应用场景覆盖无线通信、消费电子、工业控制、医疗器械等多种领域。

公司的核心研发团队成员80%以上为硕士与博士学历,具有10至20年的芯片研发与量产经验,曾工作于高通、联发科、三星、TI等半导体企业,毕业于清华大学、浙江大学、加州大学洛杉矶分校、新加坡国立大学等海内外名校,涵盖系统、射频、模拟、数字、算法。软件、测试、应用、版图等技术人才,具有完备的芯片研发与量产能力。

作为国家高新技术企业、浙江省科技型中小企业,杭州市雏鹰计划企业以及杭州市余杭区企业研发中心,地芯科技致力于成为全球领先的5G无线通信、物联网以及工业电子的高端模拟射频芯片的设计者。

围观 16
  • IDCH系列产品的输出功率在8W-300W之间,适用于频率最高4GHz的工业、科学、医疗、卫星、航空电子和雷达设备

  • IDDE系列包含10W-700W产品,用于最高频率1.5GHz的商业、工业和科学宽带通信设备

  •  IDEV系列适合最高频率250MHz的工业、科学、医疗应用,包括驱动大功率CO2激光器、等离子体发生器和MRI系统,以及最高频率1.5GHz的航空电子和雷达设备

意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品,该产品家族有三个不同的产品系列,均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 

“意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管"

STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻,封装芯片可处理高射频功率,兼备短导通沟道和高击穿电压,这些特点使射频功率放大解决方案具有成本效益、低功耗和高可靠性。 

新的STPOWER LDMOS IDCH和IDDE两个系列是28V/32V共源N沟道增强式横向扩散金属氧化物场效应射频功率晶体管,扩大了产品的目标应用范围。IDCH系列的输出功率是8W到300W,为最高工作频率4GHz的应用专门设计,包括2.45GHz工业、科学和医疗(ISM)设备、无线基础设施、卫星通信、航空电子和雷达设备。该系列LDMOS器件适用于所有类型的调制格式。 

IDDE系列包含10W-700W产品,用于频率高达1.5GHz的商业、工业和科学宽带通信,可在所有相位承受10:1的负载VSWR(电压驻波比),适用于所有典型的信号调制格式,也适用于大多数类别的射频功率放大,包括A类、AB类和C类。高能效可大限度地减少达到目标输出功率所需电能,降低工作成本和散热量,简化热管理设计,实现更紧凑的系统。 

意法半导体的IDEV系列也推出了新的50V共源N通道增强式横向场效应射频功率晶体管。IDEV产品组合的输出功率范围是15W到2.2kW,设计用于频率高达250MHz的工业、科学和医疗设备,包括驱动高功率CO2激光器、等离子体发生器、MRI系统、88MHz–108MHz的广播调频无线电发射机,以及频率高达1.5GHz的航空电子设备和雷达。该系列适用于所有典型调制格式以及A类、AB类和C类功放。 

在高频(3-30MHz)到250MHz频率范围内,性能强大的IDEV系列能够提供高达2.2kW的连续波(CW)输出功率,而且只采用一个陶瓷封装,因此减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管的总数量。能效高于82%,有助于将系统电能需求降至最低水平,并确保系统工作可靠,热管理设计简单。 

意法半导体在这三个产品系列内总共推出了30款新的STPOWER RF LDMOS产品,采用工业标准封装。

关于意法半导体

意法半导体拥有46,000名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商,意法半导体与十万余客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,电力和能源管理更高效,物联网和5G技术应用更广泛。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com

围观 17
  • 新一代Airfast射频多芯片模块(MCM)利用恩智浦最新LDMOS技术的强大性能,采用集成设计技术,将频率范围扩展至4.0 GHz
  • 提供比前一代产品更高的输出功率,支持更强大的5G mMIMO无线电的部署,能够覆盖更大的城市区域
  • 在2.6 GHz频率下实现高达45%的效率提升,帮助降低5G网络的整体耗电量

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克代码:NXPI)今日宣布推出第2代Airfast射频功率多芯片模块(MCM),其设计目的是满足蜂窝基站的5G mMIMO有源天线系统的演进要求。全新的一体式功率放大器模块系列的重点是加快5G网络的覆盖,它基于恩智浦的最新LDMOS技术,提供更高的输出功率、更广的频率范围和更高的效率,外形尺寸与恩智浦前一代MCM产品相同。

新型AFSC5G26E38 Airfast模块是在第2代MCM系列中提供更高性能的典范。与前一代产品相比,该器件的输出功率提高了20%,从而满足每个基站塔提供更广5G覆盖范围的需求,而无需增加无线电装置的尺寸。它还提供45%的功率增加效率,相比前一代产品高出4个点,从而降低了5G网络的整体耗电量。新型AFSC5G40E38充分利用恩智浦最新一代LDMOS技术在高频率下的性能,能够在从3.7至4.0 GHz的5G C频段下工作,最近还被日本Rakuten Mobile公司选择采用。

恩智浦执行副总裁兼射频功率业务部总经理Paul Hart指出:“恩智浦的最新多芯片模块大幅提升了效率,这要归功于LDMOS的最新增强功能,以及集成度的提升。我们努力提高集成度,将更多功能集成到每个模块中,这意味着客户只需采购、组装和测试更少的元器件。因此,我们的产品能够提供更高的功率,采用更加经济高效和紧凑的设计。这样可以加快客户和网络移动运营商的产品上市速度,帮助他们满足对5G扩展的需求。”

用于5G扩展的全面多芯片模块产品组合

恩智浦的射频功率多芯片模块包括LDMOS IC,配合采用集成式Doherty分路器和合路器,进行50欧姆输入/输出匹配。这种高集成度消除了射频复杂性,避免多次原型制作,元器件数量减少则有助于提高产量,缩短认证周期时间。第2代产品完善了去年发布的初代系列产品,提高了频率和功率级。两代产品具有相同的引脚输出格式,让射频设计人员能够快速从一种设计升级到另一种设计,从而缩短整体开发时间。

第2代Airfast MCM包括10款新器件,覆盖从2.3至4.0 GHz的5G频段,平均输出功率为37至39 dBm。这些器件现已经过认证,恩智浦的全新射频功率参考电路数字资料库射频电路集将会支持它们。

恩智浦5G接入边缘技术产品组合

从天线到处理器,恩智浦提供了强大的技术产品组合,以支持5G接入边缘技术,为基础设施、工业和汽车应用提供一流的性能和安全性。其中包括恩智浦的Airfast射频功率解决方案系列,以及Layerscape系列可编程基带处理器,适用于无线数据链路、固定无线接入和小型基站设备。如需了解更多信息,请访问nxp.com.cn/5G。

关于恩智浦半导体

恩智浦半导体秉持“智慧生活 安全连结”的理念,致力于通过领先技术推动更便捷、智能、安全的生活。作为全球领先的嵌入式应用安全连接解决方案提供商,恩智浦不断引领汽车、工业物联网、移动设备和通信基础设施市场的创新。恩智浦拥有超过60年的专业技术及经验,在全球30多个国家设有业务机构,员工达29,000人,2019年全年营业收入88.8亿美元。更多信息请登录www.nxp.com.cn

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Skyworks,Qorvo,Broadcom,Murata,Qualcomm面临新挑战

尽管有些公司和分析师声称4G和5G 射频(RF)增长迅猛,但Strategy Analytics认为,射频(RF)前端元件市场在2018年和2019年保持平稳,并将在2020年保持平稳。 Strategy Analytics射频和无线元件研究团队发布的研究报告《功率放大器和RF前端市场份额和预测更新》表明,智能手机销售放缓、OEM无法承受更高的物料清单、贸易局势紧张以及中国经济放缓,均导致用于移动电话和其他蜂窝用户设备中的射频(RF)前端元件的销售增长停滞。

Strategy Analytics射频和无线元件研究总监兼报告作者Christopher Taylor表示:“ 2018年和2019年的市场变化对Skyworks的打击最大,但Qorvo和Broadcom总体上保持了功率放大器,滤波器和其它前端模块的销量,而高通从5G订单中获得了一些份额。同时,许多新市场玩家(大部分在中国)占有一定份额,主要是在低端手机中。”

Strategy Analytics战略技术研究副总裁Stephen Entwistle补充说:“由于COVID-19疫情,2020年的前景似乎并没有改善。RF元件供应商还必须继续开发新产品来支持5G设备的更高频段和更高的RF复杂性。我们仍然乐观地认为,随着5G移动设备的兴?6?7?6?7起以及新RF元件的生产成本随着产量的增加而开始下降,市场增长将会恢复。”

About Strategy Analytics

Strategy Analytics, Inc. 是一家全球性的市场研究与咨询机构,为处于信息、通信和娱乐技术融合趋势中的企业就市场动态和行业趋势提供真知灼见,及战略性业务解决方案。Strategy Analytics的总部位于美国波士顿,在北美、欧洲和亚太设有分支机构。公司主要关注新兴技术、无线及移动、智慧家庭、汽车电子相关的市场机会和挑战。详情请访问公司网站www.strategyanalytics.com

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射频(RF)电路板设计由于在理论上还有很多不确定性,因此常被形容为一种“黑色艺术”,但这个观点只有部分正确,RF电路板设计也有许多可以遵循的准则和不应该被忽视的法则。

不过,在实际设计时,真正实用的技巧是当这些准则和法则因各种设计约束而无法准确地实施时如何对它们进行折衷处理。当然,有许多重要的RF设计课题值得讨论,包括阻抗和阻抗匹配、绝缘层材料和层叠板以及波长和驻波,所以这些对手机的EMC、EMI影响都很大,下面就对手机PCB板的在设计RF布局时必须满足的条件加以总结:

1. 尽可能地把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离开来。简单地说,就是让高功率RF发射电路远离低功率RF接收电路。手机功能比较多、元器件很多,但是PCB空间较小,同时考虑到布线的设计过程限定最高,所有的这一些对设计技巧的要求就比较高。这时候可能需要设计四层到六层PCB了,让它们交替工作,而不是同时工作。高功率电路有时还可包括RF缓冲器和压控制振荡器(VCO)。确保PCB板上高功率区至少有一整块地,最好上面没有过孔,当然,铜皮越多越好。敏感的模拟信号应该尽可能远离高速数字信号和RF信号。

1. 设计分区可以分解为物理分区和电气分区。物理分区主要涉及元器件布局、朝向和屏蔽等问题;电气分区可以继续分解为电源分配、RF走线、敏感电路和信号以及接地等的分区。

2. 我们讨论物理分区问题。元器件布局是实现一个优秀RF设计的关键,最有效的技术是首先固定位于RF路径上的元器件,并调整其朝向以将RF路径的长度减到最小,使输入远离输出,并尽可能远地分离高功率电路和低功率电路。

最有效的电路板堆叠方法是将主接地面(主地)安排在表层下的第二层,并尽可能将RF线走在表层上。将RF路径上的过孔尺寸减到最小不仅可以减少路径电感,而且还可以减少主地上的虚焊点,并可减少RF能量泄漏到层叠板内其他区域的机会。在物理空间上,像多级放大器这样的线性电路通常足以将多个RF区之间相互隔离开来,但是双工器、混频器和中频放大器/混频器总是有多个RF/IF信号相互干扰,因此必须小心地将这一影响减到最小。

3. RF与IF走线应尽可能走十字交叉,并尽可能在它们之间隔一块地。正确的RF路径对整块PCB板的性能而言非常重要,这也就是为什么元器件布局通常在手机PCB板设计中占大部分时间的原因。在手机PCB板设计上,通常可以将低噪音放大器电路放在PCB板的某一面,而高功率放大器放在另一面,并最终通过双工器把它们在同一面上连接到RF端和基带处理器端的天线上。需要一些技巧来确保直通过孔不会把RF能量从板的一面传递到另一面,常用的技术是在两面都使用盲孔。可以通过将直通过孔安排在PCB板两面都不受RF干扰的区域来将直通过孔的不利影响减到最小。有时不太可能在多个电路块之间保证足够的隔离,在这种情况下就必须考虑采用金属屏蔽罩将射频能量屏蔽在RF区域内,金属屏蔽罩必须焊在地上,必须与元器件保持一个适当距离,因此需要占用宝贵的PCB板空间。尽可能保证屏蔽罩的完整非常重要,进入金属屏蔽罩的数字信号线应该尽可能走内层,而且最好走线层的下面一层PCB是地层。RF信号线可以从金属屏蔽罩底部的小缺口和地缺口处的布线层上走出去,不过缺口处周围要尽可能地多布一些地,不同层上的地可通过多个过孔连在一起。

4. 恰当和有效的芯片电源去耦也非常重要。许多集成了线性线路的RF芯片对电源的噪音非常敏感,通常每个芯片都需要采用高达四个电容和一个隔离电感来确保滤除所有的电源噪音。一块集成电路或放大器常常带有一个开漏极输出,因此需要一个上拉电感来提供一个高阻抗RF负载和一个低阻抗直流电源,同样的原则也适用于对这一电感端的电源进行去耦。有些芯片需要多个电源才能工作,因此你可能需要两到三套电容和电感来分别对它们进行去耦处理,电感极少并行靠在一起,因为这将形成一个空芯变压器并相互感应产生干扰信号,因此它们之间的距离至少要相当于其中一个器件的高度,或者成直角排列以将其互感减到最小。

5. 电气分区原则大体上与物理分区相同,但还包含一些其它因素。手机的某些部分采用不同工作电压,并借助软件对其进行控制,以延长电池工作寿命。这意味着手机需要运行多种电源,而这给隔离带来了更多的问题。电源通常从连接器引入,并立即进行去耦处理以滤除任何来自线路板外部的噪声,然后再经过一组开关或稳压器之后对其进行分配。手机PCB板上大多数电路的直流电流都相当小,因此走线宽度通常不是问题,不过,必须为高功率放大器的电源单独走一条尽可能宽的大电流线,以将传输压降减到最低。为了避免太多电流损耗,需要采用多个过孔来将电流从某一层传递到另一层。此外,如果不能在高功率放大器的电源引脚端对它进行充分的去耦,那么高功率噪声将会辐射到整块板上,并带来各种各样的问题。高功率放大器的接地相当关键,并经常需要为其设计一个金属屏蔽罩。在大多数情况下,同样关键的是确保RF输出远离RF输入。这也适用于放大器、缓冲器和滤波器。在最坏情况下,如果放大器和缓冲器的输出以适当的相位和振幅反馈到它们的输入端,那么它们就有可能产生自激振荡。在最好情况下,它们将能在任何温度和电压条件下稳定地工作。实际上,它们可能会变得不稳定,并将噪音和互调信号添加到RF信号上。如果射频信号线不得不从滤波器的输入端绕回输出端,这可能会严重损害滤波器的带通特性。为了使输入和输出得到良好的隔离,首先必须在滤波器周围布一圈地,其次滤波器下层区域也要布一块地,并与围绕滤波器的主地连接起来。把需要穿过滤波器的信号线尽可能远离滤波器引脚也是个好方法。

此外,整块板上各个地方的接地都要十分小心,否则会在引入一条耦合通道。有时可以选择走单端或平衡RF信号线,有关交叉干扰和EMC/EMI的原则在这里同样适用。平衡RF信号线如果走线正确的话,可以减少噪声和交叉干扰,但是它们的阻抗通常比较高,而且要保持一个合理的线宽以得到一个匹配信号源、走线和负载的阻抗,实际布线可能会有一些困难。缓冲器可以用来提高隔离效果,因为它可把同一个信号分为两个部分,并用于驱动不同的电路,特别是本振可能需要缓冲器来驱动多个混频器。当混频器在RF频率处到达共模隔离状态时,它将无法正常工作。缓冲器可以很好地隔离不同频率处的阻抗变化,从而电路之间不会相互干扰。缓冲器对设计的帮助很大,它们可以紧跟在需要被驱动电路的后面,从而使高功率输出走线非常短,由于缓冲器的输入信号电平比较低,因此它们不易对板上的其它电路造成干扰。压控振荡器(VCO)可将变化的电压转换为变化的频率,这一特性被用于高速频道切换,但它们同样也将控制电压上的微量噪声转换为微小的频率变化,而这就给RF信号增加了噪声。

6. 要保证不增加噪声必须从以下几个方面考虑:首先,控制线的期望频宽范围可能从DC直到2MHz,而通过滤波来去掉这么宽频带的噪声几乎是不可能的;其次,VCO控制线通常是一个控制频率的反馈回路的一部分,它在很多地方都有可能引入噪声,因此必须非常小心处理VCO控制线。要确保RF走线下层的地是实心的,而且所有的元器件都牢固地连到主地上,并与其它可能带来噪声的走线隔离开来。此外,要确保VCO的电源已得到充分去耦,由于VCO的RF输出往往是一个相对较高的电平,VCO输出信号很容易干扰其它电路,因此必须对VCO加以特别注意。事实上,VCO往往布放在RF区域的末端,有时它还需要一个金属屏蔽罩。谐振电路(一个用于发射机,另一个用于接收机)与VCO有关,但也有它自己的特点。简单地讲,谐振电路是一个带有容性二极管的并行谐振电路,它有助于设置VCO工作频率和将语音或数据调制到RF信号上。所有VCO的设计原则同样适用于谐振电路。由于谐振电路含有数量相当多的元器件、板上分布区域较宽以及通常运行在一个很高的RF频率下,因此谐振电路通常对噪声非常敏感。信号通常排列在芯片的相邻脚上,但这些信号引脚又需要与相对较大的电感和电容配合才能工作,这反过来要求这些电感和电容的位置必须靠得很近,并连回到一个对噪声很敏感的控制环路上。要做到这点是不容易的。

自动增益控制(AGC)放大器同样是一个容易出问题的地方,不管是发射还是接收电路都会有AGC放大器。AGC放大器通常能有效地滤掉噪声,不过由于手机具备处理发射和接收信号强度快速变化的能力,因此要求AGC电路有一个相当宽的带宽,而这使某些关键电路上的AGC放大器很容易引入噪声。设计AGC线路必须遵守良好的模拟电路设计技术,而这跟很短的运放输入引脚和很短的反馈路径有关,这两处都必须远离RF、IF或高速数字信号走线。同样,良好的接地也必不可少,而且芯片的电源必须得到良好的去耦。如果必须要在输入或输出端走一根长线,那么最好是在输出端,通常输出端的阻抗要低得多,而且也不容易感应噪声。通常信号电平越高,就越容易把噪声引入到其它电路。在所有PCB设计中,尽可能将数字电路远离模拟电路是一条总的原则,它同样也适用于RFPCB设计。公共模拟地和用于屏蔽和隔开信号线的地通常是同等重要的,因此在设计早期阶段,仔细的计划、考虑周全的元器件布局和彻底的布局*估都非常重要,同样应使RF线路远离模拟线路和一些很关键的数字信号,所有的RF走线、焊盘和元件周围应尽可能多填接地铜皮,并尽可能与主地相连。如果RF走线必须穿过信号线,那么尽量在它们之间沿着RF走线布一层与主地相连的地。如果不可能的话,一定要保证它们是十字交叉的,这可将容性耦合减到最小,同时尽可能在每根RF走线周围多布一些地,并把它们连到主地。此外,将并行RF走线之间的距离减到最小可以将感性耦合减到最小。一个实心的整块接地面直接放在表层下第一层时,隔离效果最好,尽管小心一点设计时其它的做法也管用。在PCB板的每一层,应布上尽可能多的地,并把它们连到主地面。尽可能把走线靠在一起以增加内部信号层和电源分配层的地块数量,并适当调整走线以便你能将地连接过孔布置到表层上的隔离地块。应当避免在PCB各层上生成游离地,因为它们会像一个小天线那样拾取或注入噪音。在大多数情况下,如果你不能把它们连到主地,那么你最好把它们去掉。

在手机PCB板设计时,应对以下几个方面给予极大的重视:

1. 电源、地线的处理

既使在整个PCB板中的布线完成得都很好,但由于电源、地线的考虑不周到而引起的干扰,会使产品的性能下降,有时甚至影响到产品的成功率。所以对电、地线的布线要认真对待,把电、地线所产生的噪音干扰降到最低限度,以保证产品的质量。对每个从事电子产品设计的工程人员来说都明白地线与电源线之间噪音所产生的原因,现只对降低式抑制噪音作以表述:

(1)、众所周知的是在电源、地线之间加上去耦电容。
(2)、尽量加宽电源、地线宽度,最好是地线比电源线宽,它们的关系是:地线>电源线>信号线,通常信号线宽为:0.2~0.3mm,最经细宽度可达0.05~0.07mm,电源线为1.2~2.5mm。对数字电路的PCB可用宽的地导线组成一个回路,即构成一个地网来使用(模拟电路的地不能这样使用)
(3)、用大面积铜层作地线用,在印制板上把没被用上的地方都与地相连接作为地线用。或是做成多层板,电源,地线各占用一层。

2. 数字电路与模拟电路的共地处理

现在有许多PCB不再是单一功能电路(数字或模拟电路),而是由数字电路和模拟电路混合构成的。因此在布线时就需要考虑它们之间互相干扰问题,特别是地线上的噪音干扰。数字电路的频率高,模拟电路的敏感度强,对信号线来说,高频的信号线尽可能远离敏感的模拟电路器件,对地线来说,整人PCB对外界只有一个结点,所以必须在PCB内部进行处理数、模共地的问题,而在板内部数字地和模拟地实际上是分开的它们之间互不相连,只是在PCB与外界连接的接口处(如插头等)。数字地与模拟地有一点短接,请注意,只有一个连接点。也有在PCB上不共地的,这由系统设计来决定。

3. 信号线布在电(地)层上

在多层印制板布线时,由于在信号线层没有布完的线剩下已经不多,再多加层数就会造成浪费也会给生产增加一定的工作量,成本也相应增加了,为解决这个矛盾,可以考虑在电(地)层上进行布线。首先应考虑用电源层,其次才是地层。因为最好是保留地层的完整性。

4. 大面积导体中连接腿的处理

在大面积的接地(电)中,常用元器件的腿与其连接,对连接腿的处理需要进行综合的考虑,就电气性能而言,元件腿的焊盘与铜面满接为好,但对元件的焊接装配就存在一些不良隐患如:①焊接需要大功率加热器。②容易造成虚焊点。所以兼顾电气性能与工艺需要,做成十字花焊盘,称之为热隔离(heatshield)俗称热焊盘(Thermal),这样,可使在焊接时因截面过分散热而产生虚焊点的可能性大大减少。多层板的接电(地)层腿的处理相同。

5. 布线中网络系统的作用

在许多CAD系统中,布线是依据网络系统决定的。网格过密,通路虽然有所增加,但步进太小,图场的数据量过大,这必然对设备的存贮空间有更高的要求,同时也对象计算机类电子产品的运算速度有极大的影响。而有些通路是无效的,如被元件腿的焊盘占用的或被安装孔、定们孔所占用的等。网格过疏,通路太少对布通率的影响极大。所以要有一个疏密合理的网格系统来支持布线的进行。标准元器件两腿之间的距离为0.1英寸(2.54mm),所以网格系统的基础一般就定为0.1英寸(2.54mm)或小于0.1英寸的整倍数,如:0.05英寸、0.025英寸、0.02英寸等。

进行高频PCB设计的技巧和方法如下:

1. 传输线拐角要采用45°角,以降低回损

2. 要采用绝缘常数值按层次严格受控的高性能绝缘电路板。这种方法有利于对绝缘材料与邻近布线之间的电磁场进行有效管理。

3. 要完善有关高精度蚀刻的PCB设计规范。要考虑规定线宽总误差为+/-0.0007英寸、对布线形状的下切(undercut)和横断面进行管理并指定布线侧壁电镀条件。对布线(导线)几何形状和涂层表面进行总体管理,对解决与微波频率相关的趋肤效应问题及实现这些规范相当重要。

4. 突出引线存在抽头电感,要避免使用有引线的组件。高频环境下,最好使用表面安装组件。

5. 对信号过孔而言,要避免在敏感板上使用过孔加工(pth)工艺,因为该工艺会导致过孔处产生引线电感。

6. 要提供丰富的接地层。要采用模压孔将这些接地层连接起来防止3维电磁场对电路板的影响。

7. 要选择非电解镀镍或浸镀金工艺,不要采用HASL法进行电镀。这种电镀表面能为高频电流提供更好的趋肤效应(图2)。此外,这种高可焊涂层所需引线较少,有助于减少环境污染。

8. 阻焊层可防止焊锡膏的流动。但是,由于厚度不确定性和绝缘性能的未知性,整个板表面都覆盖阻焊材料将会导致微带设计中的电磁能量的较大变化。一般采用焊坝(solderdam)来作阻焊层。的电磁场。这种情况下,我们管理着微带到同轴电缆之间的转换。在同轴电缆中,地线层是环形交织的,并且间隔均匀。在微带中,接地层在有源线之下。这就引入了某些边缘效应,需在设计时了解、预测并加以考虑。当然,这种不匹配也会导致回损,必须最大程度减小这种不匹配以避免产生噪音和信号干扰。

电磁兼容性设计

电磁兼容性是指电子设备在各种电磁环境中仍能够协调、有效地进行工作的能力。电磁兼容性设计的目的是使电子设备既能抑制各种外来的干扰,使电子设备在特定的电磁环境中能够正常工作,同时又能减少电子设备本身对其它电子设备的电磁干扰。

1. 选择合理的导线宽度

由于瞬变电流在印制线条上所产生的冲击干扰主要是由印制导线的电感成分造成的,因此应尽量减小印制导线的电感量。印制导线的电感量与其长度成正比,与其宽度成反比,因而短而精的导线对抑制干扰是有利的。时钟引线、行驱动器或总线驱动器的信号线常常载有大的瞬变电流,印制导线要尽可能地短。对于分立元件电路,印制导线宽度在1.5mm左右时,即可完全满足要求;对于集成电路,印制导线宽度可在0.2~1.0mm之间选择。

2. 采用正确的布线策略

采用平等走线可以减少导线电感,但导线之间的互感和分布电容增加,如果布局允许,最好采用井字形网状布线结构,具体做法是印制板的一面横向布线,另一面纵向布线,然后在交叉孔处用金属化孔相连。

3. 为了抑制印制板导线之间的串扰,在设计布线时应尽量避免长距离的平等走线,尽可能拉开线与线之间的距离,信号线与地线及电源线尽可能不交叉。在一些对干扰十分敏感的信号线之间设置一根接地的印制线,可以有效地抑制串扰。

4. 为了避免高频信号通过印制导线时产生的电磁辐射,在印制电路板布线时,还应注意以下几点:

(1)尽量减少印制导线的不连续性,例如导线宽度不要突变,导线的拐角应大于90度禁止环状走线等。
(2)时钟信号引线最容易产生电磁辐射干扰,走线时应与地线回路相靠近,驱动器应紧挨着连接器。
(3)总线驱动器应紧挨其欲驱动的总线。对于那些离开印制电路板的引线,驱动器应紧紧挨着连接器。
(4)数据总线的布线应每两根信号线之间夹一根信号地线。最好是紧紧挨着最不重要的地址引线放置地回路,因为后者常载有高频电流。
(5)在印制板布置高速、中速和低速逻辑电路时,应按照图1的方式排列器件。

5. 抑制反射干扰

为了抑制出现在印制线条终端的反射干扰,除了特殊需要之外,应尽可能缩短印制线的长度和采用慢速电路。必要时可加终端匹配,即在传输线的末端对地和电源端各加接一个相同阻值的匹配电阻。根据经验,对一般速度较快的TTL电路,其印制线条长于10cm以上时就应采用终端匹配措施。匹配电阻的阻值应根据集成电路的输出驱动电流及吸收电流的最大值来决定。

6. 电路板设计过程中采用差分信号线布线策略
布线非常靠近的差分信号对相互之间也会互相紧密耦合,这种互相之间的耦合会减小EMI发射,通常(当然也有一些例外)差分信号也是高速信号,所以高速设计规则通常也都适用于差分信号的布线,特别是设计传输线的信号线时更是如此。这就意味着我们必须非常谨慎地设计信号线的布线,以确保信号线的特征阻抗沿信号线各处连续并且保持一个常数。在差分线对的布局布线过程中,我们希望差分线对中的两个PCB线完全一致。这就意味着,在实际应用中应该尽最大的努力来确保差分线对中的PCB线具有完全一样的阻抗并且布线的长度也完全一致。差分PCB线通常总是成对布线,而且它们之间的距离沿线对的方向在任意位置都保持为一个常数不变。通常情况下,差分线对的布局布线总是尽可能地靠近。

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围观 49

将于2019年4月1日至3日在北京国家会议中心(CNCC)举办的电子设计创新大会(EDI CON CHINA)邀请了3位专家在10点开始的开幕全体会议上发表主旨演讲。

3位专家分别是:Steve Sandler,世界领先的电源完整性专家、Picotest创始人兼CTO;Kailash Narayanan,是德科技(大会首席赞助商)全球副总裁;Alexander Pabst,罗德与施瓦茨(钻石赞助商)副总裁。

Steve Sandler:世界领先的电源完整性专家、Picotest创始人兼CTO

演讲题目:射频、微波和高速电路中的功率相关因素

本演讲着眼于电源对射频、微波和高速数字系统的多种影响,解释了我最喜欢的仿真、测量和排除这些复杂问题的技术之一。

Kailash Narayanan:是德科技(大会首席赞助商)全球副总裁

演讲题目:用于网络设备制造、芯片组和设备的5G测试和测量技术

随着3GPP第15版的发布,无线通信行业已开始大规模生产5G设备、器件并开始初期的部署。本演讲将探讨未来的主要市场趋势和挑战,并概述测试和测量解决方案。

Alexander Pabst:罗德与施瓦茨(钻石赞助商)副总裁

演讲题目:5G新无线电测试和测量挑战以及应对方法

即第五代新无线电通信系统即将通过将所有人和物都纳入全球通信网络而引发下一次革命。对容量的不断增长的需求要求在已有的频谱以及毫米波的范围内部署新频谱。本演讲将讨论5G NR OTA挑战,并概述辐射测试环境的解决方案,以优化技术的可行性、测试次数/周期和投资/维护需求。

电子设计创新大会(EDI CON CHINA)包含全体会议主旨演讲、技术报告会、赞助商研习会、专家论坛,涵盖的专题包括:5G/先进通信、电源完整性、仿真与建模、测试与测量、毫米波、放大器设计、低功耗/物联网、前端设计、射频/微波设计和信号完整性。会议还包括是德科技教育论坛的一系列讲座,以及在展厅有行业领先参展商的最新创新成果展示。参会者可以在现场与其他工程师建立联系、与参展商会面、在Frequency Matters Theatre听应用讲座、参与抽奖、享用茶点。

所有会议都将使用中文或者从英文同声传译为中文。

EDI CON 电子创新大会网站:http://www.mwjournalchina.com/edicon/

会议议程:http://www.mwjournalchina.com/edicon/techprogram.asp

立刻使用VIP码“EDIC19EETR ”注册可免费参会: https://bj.infosalons.com.cn/reg/EDI19/conferencecn/start.aspx

围观 347

概念辨析:dBm, dBi, dBd, dB, dBc

1、dBm

dBm是一个考征功率绝对值的值,计算公式为:10lgP(功率值/1mw)。

[例1] 如果发射功率P为1mw,折算为dBm后为0dBm。

[例2] 对于40W的功率,按dBm单位进行折算后的值应为:
10lg(40W/1mw)=10lg(40000)=10lg4+10lg10+10lg1000=46dBm。

2、dBi 和dBd

dBi和dBd是考征增益的值(功率增益),两者都是一个相对值,但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线,dBd的参考基准为偶极子,所以两者略有不同。一般认为,表示同一个增益,用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2. 15。

[例3] 对于一面增益为16dBd的天线,其增益折算成单位为dBi时,则为18.15dBi(一般忽略小数位,为18dBi)。

[例4] 0dBd=2.15dBi。

[例5] GSM900天线增益可以为13dBd(15dBi),GSM1800天线增益可以为15dBd(17dBi)。

3、dB

dB是一个表征相对值的值,当考虑甲的功率相比于乙功率大或小多少个dB时,按下面计算公式:10lg(甲功率/乙功率)

[例6] 甲功率比乙功率大一倍,那么10lg(甲功率/乙功率)=10lg2=3dB。也就是说,甲的功率比乙的功率大3 dB。

[例7] 7/8 英寸GSM900馈线的100米传输损耗约为3.9dB。

[例8] 如果甲的功率为46dBm,乙的功率为40dBm,则可以说,甲比乙大6 dB。

[例9] 如果甲天线为12dBd,乙天线为14dBd,可以说甲比乙小2 dB。

4、dBc

有时也会看到dBc,它也是一个表示功率相对值的单位,与dB的计算方法完全一样。一般来说,dBc 是相对于载波(Carrier)功率而言,在许多情况下,用来度量与载波功率的相对值,如用来度量干扰(同频干扰、互调干扰、交调干扰、带外干扰等)以及耦合、杂散等的相对量值。在采用dBc的地方,原则上也可以使用dB替代。

1、功率/电平(dBm):放大器的输出能力,一般单位为w、mw、dBm

注:dBm是取1mw作基准值,以分贝表示的绝对功率电平。换算公式:

电平(dBm)=10lgw
5W → 10lg5000=37dBm
10W → 10lg10000=40dBm
20W → 10lg20000=43dBm

从上不难看出,功率每增加一倍,电平值增加3dBm

2、增益(dB):即放大倍数,单位可表示为分贝(dB)。

即:dB=10lgA(A为功率放大倍数)

3、插损:当某一器件或部件接入传输电路后所增加的衰减,单位用dB表示。

4、选择性:衡量工作频带内的增益及带外辐射的抑制能力。-3dB带宽即增益下降3dB时的带宽,-40dB、-60dB同理。

5、驻波比(回波损耗):行驻波状态时,波腹电压与波节电压之比(VSWR)

附:驻波比——回波损耗对照表:

SWR 1.2 1.25 1.30 1.35 1.40 1.50

回波损耗(dB) 21 19 17.6 16.6 15.614.0

6、三阶交调:若存在两个正弦信号ω1和ω2 由于非线性作用将产生许多互调分量,其中的2ω1-ω2和2ω2-ω1两个频率分量称为三阶交调分量,其功率P3和信号ω1或ω2的功率之比称三阶交调系数M3。

即M3 =10lg P3/P1 (dBc)

7、噪声系数:一般定义为输出信噪比与输入信噪比的比值,实际使用中化为分贝来计算。单位用dB。

8、耦合度:耦合端口与输入端口的功率比, 单位用dB。

9、隔离度:本振或信号泄露到其他端口的功率与原有功率之比,单位dB。

10、天线增益(dB):指天线将发射功率往某一指定方向集中辐射的能力。一般把天线的最大辐射方向上的场强E与理想各向同性天线均匀辐射场场强E0相比,以功率密度增加的倍数定义为增益。Ga=E2/ E02

11、天线方向图:是天线辐射出的电磁波在自由空间存在的范围。方向图宽度一般是指主瓣宽度即从最大值下降一半时两点所张的夹角。

E面方向图指与电场平行的平面内辐射方向图;

H面方向图指与磁场平行的平面内辐射方向图。

一般是方向图越宽,增益越低;方向图越窄,增益越高。

12、天线前后比:指最大正向增益与最大反向增益之比,用分贝表示。

13、单工:亦称单频单工制,即收发使用同一频率,由于接收和发送使用同一个频率,所以收发不能同时进行,称为单工。

14、双工:亦称异频双工制,即收发使用两个不同频率,任何一方在发话的同时都能收到对方的讲话。

单工、双工都属于移动通信的工作方式。

15、放大器:(amplifier)用以实现信号放大的电路。

16、滤波器:(filter)通过有用频率信号抑制无用频率信号的部件或设备

17、衰减器:(attenuator) 在相当宽的频段范围内一种相移为零、其衰减和特性阻抗均为与频率无关的常数的、由电阻元件组成的四端网络,其主要用途是调整电路中信号大小、改善阻抗匹配。

功分器:进行功率分配的器件。有二、三、四….功分器;接头类型分N头(50Ω)、SMA头(50Ω)、和F头(75Ω)三种,我们公司常用的是N头和SMA头。

18、耦合器:从主干通道中提取出部分信号的器件。按耦合度大小分为5、10、15、20…. dB不同规格;从基站提取信号可用大功率耦合器(300W),其耦合度可从30~65dB中选用;耦合器的接头多采用N头。

19、负 载:终端在某一电路(如放大器)或电器输出端口,接收电功率的元/器件、部件或装置统称为负载。对负载最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。

20、环形器:使信号单方向传输的器件.

21、转接头:把不同类型的传输线连接在一起的装置。

22、馈 线:是传输高频电流的传输线。

23、天 线:(antenna)是将高频电流或波导形式的能量变换成电磁波并向规定方向发射出去或把来自一定方向的电磁波还原为高频电流

围观 523

我们将对多层电路板进行射频线仿真,为了更好的做出对比,将仿真的PCB分为表层铺地前的和铺地后的两块板分别进行仿真对比;表层未铺地的PCB文件如下图1所示(两种线宽):

图1a:线宽0.1016 mm的射频线(表层铺地前)

图1b:线宽0.35 mm的射频线(表层铺地前)

图1:表层未铺过地的PCB

首先将线宽不同的两块板(表层铺地前)由ALLEGRO导入SIWAVE,在目标线上加入50Ω端口。针对不同线宽0.1016mm和0.35mm, 我们的仿真结果如图2所示,图中显示的曲线是S21,仿真频率范围为800MHz-1GHz。

图2a:表层未铺地的S21 (线宽0.1016mm)

图2b:表层未铺地的S21 (线宽0.35mm)

图2:表层未铺地的S21

由图中可以看到,在800MHz-1GHz的范围内,仿真的数据展示为小数点后一到两位的数量级,0.35mm的损耗要比0.1016mm的线小一个数量 级,这是因为0.35mm的线宽在该板的层叠条件下其特征阻抗接近50Ω。 因此间接验证了我们所做的阻抗计算(用线宽约束)是有一定作用的。

接下来我们做了表层铺地后的同样的仿真(800MHz-1GHz),导入的PCB文件如下图。

图3a:0.1016 mm的射频线(表层铺地)

图3b:0.35 mm的射频线(表层铺地)

图3:表层铺过地后的PCB

仿真结果如下图:

图4a:表层铺地后的S21 (0.1016mm)

图4b:表层铺地后的S21 (0.35mm)

图4:表层铺过地后的S21

由图中看到,仿真的数据显示,该传输线的线损已经是1-2 dB的数量级了,当然0.35 mm的损耗要明显小于0.1016 mm的。另外一个明显的现象是相对于未铺地的仿真结果,随着频率由800MHz到1GHz的增加,损耗趋大。

我们可以从仿真的结果中得到这样一个结果:

1.射频走线最好按50欧姆走,可以减小线损;

2.表层的铺地事实上是将一部分RF信号能量耦合到了地上,造成了一定的损耗。因此PCB表层的铺地应该有所讲究。尽量远离RF线。工程经验是大于1.5倍的线宽。

本文转自:硬件十万个为什么 ,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。

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