Vishay

器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK® 1212-8S封装

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。

与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。

围观 6

1212外形尺寸器件通过AEC-Q200认证,工作温度高达+155 °C,高度仅为1.0 mm

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出迄今体积最小的汽车级IHLP®超薄、大电流电感---IHLP-1212Ax系列之IHLP-1212AZ-A1IHLP-1212AB-A1。Vishay Dale IHLP-1212AZ-A1IHLP-1212AB-A1电感器采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺寸,节省下一代高级驾驶辅助系统(ADAS)和传感器应用空间,工作温度+125 °C,高度极低仅为1.0 mm,IHLP-1212AB-5A工作温度达+155 °C,高度为1.2 mm。

日前发布的器件符合AEC-Q200标准,用于DC/DC转换器储能时频率可达5MHz。同时,电感器在自谐振频率范围内的大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。电感器可在高温下工作,适用于滤波和DC/DC转换,应用包括ADAS、传感器、车载娱乐/导航系统,以及中等强度电流滤波应用的噪声抑制。

IHLP-1212AZ-A1、IHLP-1212AB-A1和IHLP-1212AB-5A引脚封装采用100% 无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,对热冲击、潮湿、机械振动有很强的抵御能力,可无饱和处理高瞬态电流尖峰。电感器符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

器件规格表:

产品编号

IHLP-1212AZ-A1

IHLP-1212AB-A1

IHLP-1212AB-5A

外形尺寸

1212

1212

1212

高度 (mm)

1.0

1.2

1.2

感值范围 (mH)

0.10~1.0

0.10~1.2

0.10~1.2

典型DCR (mΩ)

8.60~63.61

8.98~60.16

7.01~53.49

最大DCR (mΩ)

9.20~66.38

9.61~62.79

7.50~57.65

热额定电流 (A)

3.47~10.50

3.81~10.48

3.98~11.50

饱和电流 (A)

5.23~19.21

5.61~18.92

3.84~11.79

典型SRF (MHz)

95~475

79~419

82~455

工作温度范围 (°C)

-55~+125

-55~+125

-55~+155

新型电感器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为10周。

围观 228

产品为设计人员提供无线充电使用最广范的线圈

2019年6月12日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出14款行业标准屏蔽尺寸的新产品---八款单线圈发射器 (Tx)、三款三线圈发射器 (Tx) 和三款单线圈接收器 (Rx),扩充其Qi标准无线充电发射接收线圈。

日前发布的Vishay Dale产品包括八款单线圈发射器 (Tx)、三款三线圈发射器 (Tx) 和三款单线圈接收器 (Rx),可供设计人员用于手持电池供电设备尺寸最流行的Qi无线充电中。Tx 线圈类型包括 A11、A6、MP-A9、MP-A6、MP-A4 和 MP-A2。

发射线圈额定功率为5 W至15 W,接收线圈额定功率为3.5 W和5 W。线圈符合RoHS标准,工作温度-40 °C至+125 °C,电感公差为+10%。所有配置可根据客户的规格要求定制。 

器件规格表:

器件型号

类型

额定功率 (W)

电感量
(µH)

典型Q值

典型 DCR (mW)

最大 DCR (mW)

典型热额定电流 (A)

@ 100 kHz

@25 °C

IWTX50R0CZEB6R3KF1

A11 Tx

5至15

6.3

120

36

45

5

IWTX50R0DZEB6R3KF1

A 11Tx

5至15

6.3

90

18

25

10

IWTX55R0DZEB8R9KF1

MP-A4 Tx

15

8.9

98.5

47

55

6

IWTX5050CZEB6R3KF1

A 11 Tx

5至15

6.3

120

36

45

5

IWTX5050DZEB6R3KF1

A11 Tx

5至15

6.3

90

18

25

10

IWTX5555DEEB100KF1

MP-A2 Tx

15

10

99

55

80

6

IWTX9955DEEB110KF3*

MP-A6 Tx

15

11.3

85

76

90

6.5

IWTXA653FZEB120KF3*

A6 Tx

5至10

11.5 / 12.5

123

60

80

6.5

IWTXA148DGEB9R8KF3*

MP-A9

15

9.8 / 10.2

-

60

80

7.0

IWTX5050DEEB100KF1

Tx

5至15

10

200

27

29.7

9

IWTX5050FEEB100KF1

Tx

5至15

10

200

27

29.7

9

IWAS3010AZEB130KF1

Rx

3.5

12.9

11

700

780

0.8

IWAS4832AEEB120KF1

Rx

5

12

33

145

200

3

IWAS4532AGEB140KF1

Rx

5

14

-

290

355

1.2

*三线圈

新型无线充电发射和接收线圈现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为10周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

围观 194

1000 V/μs dV/dt和输出端高隔离距离器件适用于家用电器和工业设备

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款全新系列采用紧凑型DIP-6和SMD-6封装的光可控硅输出光耦,进一步扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOT8025A和VOT8125A断态电压高达800 V,dV/dt为1000 V/μs,具有高稳定性和噪声隔离能力,适用于家用电器和工业设备。

日前发布的光耦隔离120 VAC、240 VAC和380 VAC线路低电压逻辑,控制电阻、电感和电容负载,其中包括电机、电磁阀、大电流晶闸管或TRIAC和继电器。两款器件由GaAs红外LED组成,可通过光耦合方式连接零交叉TRIAC (VOT8025A系列) 降低EMI,无需外部缓冲器网络,也可以连接随机相位TRIAC (VOT8125A系列),实现相位独立开关,从而降低设计成本并节省电路板空间。

VOT8025A和VOT8125A高断态电压提高了单相应用的安全裕度,同时保持三相应用足够的电压裕量。为提高安全性,两款光耦最低耐受5000 VRMS隔离电压,输出端高隔离距离实现更宽的焊盘尺寸间隙。5mA低触发电流便于连接数字逻辑接口。

新型光耦符合RoHS标准,典型应用包括固态继电器的电源TRIAC驱动器、三相空调、锅炉、恒温器、工业电机控制和电源线路开关,以及家用电器中的电机、灯具和阀门控制。

产品规格表:

目前,VOT8025A和VOT8125A提供样品并已实现量产,供货周期为6周。

围观 157

器件符合AEC-Q200标准,外形尺寸2020,高度2 mm ,节省应用空间

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A,扩展其汽车级IHLP®薄形大电流电感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作温度+155 °C,高度2mm,节省汽车发动机舱环境下的使用空间。

日前推出的器件符合AEC-Q200标准,适合用于DC/DC转换器储能,频率可达2 MHz。同时,电感器在自谐振频率 (SRF) 范围内的大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。器件可在高温条件下工作,适用于汽车引擎和传动控制单元、燃油喷射驱动、娱乐/导航系统、以及发动机噪声抑制、雨刷器、电动后视镜和座椅、HID和LED照明、加热通风机的滤波和DC/DC转换。

高效IHLP-2020BZ-5A典型DCR从7.3 mΩ到181.0 mΩ,电感值从0.47 µH到10.0 µH。器件额定电流达13.43 A,可无饱和处理高瞬变电流尖峰。

电感器采用100 %无铅 (Pb) 屏蔽复合结构,噪声降至超低水平,具有极高的抗热冲击、潮湿和机械振动能力。IHLP-2020BZ-5A符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

器件规格表:

目前,新型电感器提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为10周。

围观 160

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim,California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台,将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。

在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBRICKÔ系列高效率DC/DC升压稳压器。这款业内占位面积最小的器件采用集成磁芯,结合可靠设计与易用性为通信、工业和服务器应用提供高性价比解决方案。同时,展示80 A SiC8xx VRPower® 智能功率级。利用Vishay最新25 V和30 V trench MOSFET,器件峰值效率达95 %,精度高达± 3 %。

展出的Vishay Siliconix功率MOSFET采用各种先进封装,显著提升电源效率和功率密度。器件展品包括第四代600V E系列功率MOSFET,该系列器件极低的导通阻抗从23 mW 到1450 mW,用于功率因数校正(PFC)和硬开关DC/DC转换器拓扑,可实现业内最优品质因素FOM(即栅级电荷与导通电阻乘积)。在工业电机驱动控制、小型太阳能逆变器和可穿戴设备方面,展出的低压TrenchFET® 第四代器件导通电阻低至0.58 mW,具有业内最低QOSS与导通电阻乘积FOM。

展出的Vishay Semiconductors二极管包括用于PFC和输出整流级的新型FRED Pt® 第五代 1200 V Hyperfast和Ultrafast整流器。30 A和60 A整流器导通和开关损耗在同类器件中达到最佳水平,效率相比硅片产品提高15 %。同时还将展出采用SlimDPAK(TO-252AE)封装的TMBS® 器件,具有ESD功能、采用超薄SMPA(DO-221BC)封装的标准恢复整流器,额定电流达2 A、采用MicroSMP(DO-219AD)封装的FRED Pt®超快恢复整流器。模块展品包括SOT-227封装650 V超快恢复单相整流桥和1200 V标准双模器件,四种可选封装、通过AEC-Q101认证的高压晶闸管和二极管。

无源元件展品包括各种Vishay电容器、电阻器和电感器。Vishay BCcomponents将展示新款微型牛角式和螺丝接头铝电容器,以及X1、X2和Y2 EMI静噪薄膜电容器,这些器件均通过IEC 60384-14: 2013 / AMD1: 2016 IIIB级认证,此外,还将展示满足双85,1000小时测试要求的陶瓷安规电容器,ENYCAPÔ电双层储能电容器。陶瓷盘式电容器展品包括额定电压50 kVDC (34 kVRMS)新型Vishay Cera-Mite螺丝固定电容器,以及额定电压15 kV,业内2 nF高容量小型径向引线Vishay Roederstein电容器。Vishay Roederstein还将展出AC滤波和DC-Link金属化聚丙烯膜电容器。运输、工业和替代能源应用方面,Vishay ESTA将展示水冷式感应加热电容器、电力电子器件、三相组件和采用ESTAspring,业内首款杠杆操作弹簧接头连接的 LVAC功率电容器。

电阻器展品包括新型Vishay BCcomponents VDR金属氧化物压敏电阻(MOV),工作温度达+125 °C,抗浪涌电流能力达13 kA。厚膜器件包括Vishay Techno高压和中压片式电阻分压器、防脉冲Vishay Draloric电阻器、通过AEC-Q200认证的Vishay Sfernice器件、Vishay MCB功率电阻器和Vishay Dale氮化铝器件。薄膜电阻器包括Vishay Dale大功率片式电阻,以及Vishay Beyschlag / Draloric通过AEC-Q200认证的片式和MELF电阻。此外,Vishay Draloric将展示可熔断绕线安规电阻及小型铝壳电阻,同时Vishay Milwaukee展示动态制动和中性点接地电阻,Vishay MCB展示功率达9000 W的水冷电阻。Vishay BCcomponents将展出用于温度检测、通过AEC-Q200认证的NTC接线片传感器和热敏电阻裸片,以及用于能量甩负荷的PTCEL电源浪涌限流器。

Vishay Dale超薄、大电流电感器产品线展品包括工作温度达+180 °C,九种外形尺寸和18种不同高度的汽车级IHLP®系列电感器;带有集成式电场遮罩,能够减小EMI的IHLE系列电感器;以及采用铁粉芯技术,具有稳定饱和性能的IHDM系列功率电感器。展示的Vishay Custom Magnetics解决方案包括平面封装新款小型栅级驱动变压器,总线驱动电压达1200 V,以及高功率密度、封装高度仅为16.5 mm的混合式平面变压器。

Vishay还将在展台上提供多种产品演示,包括Vishay Techno CDMM厚膜表面贴装片式电阻分压器;Vishay Beyschlag MELF电阻器;Vishay Dale RCP厚膜和PCAN薄膜大功率、表面贴装片式电阻器;Vishay BCcomponents 196 HVC ENYCAPÔ 混合储能电容器;Vishay Dale IHLE电感器;Vishay Custom Magnetics TPL系列混合平面变压器;以及Vishay Siliconix microBUCK®和microBRICKÔ功率IC。

APEC是应用电力电子领域的重要活动,重点展示电力电子企业产品的实际应用。欲了解展会更多信息,请访问 http://www.apec-conf.org/

围观 356

器件高度低于标准V外形尺寸,提高了封装密度,可用于设计更薄的成品

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,公司已扩充其T55系列vPolyTan™表面贴装聚合物钽模塑片式电容器,新增加Z外形 (EIA 7343-19) 尺寸器件。

日前发布的Vishay Polytech电容器高度比标准V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1 mm,提高了封装密度,可用于设计更薄的成品。这款器件适用于计算机、服务器、网络基础设施设备、固态硬盘和无线收发器的电源管理、电池解耦和储能。

T55系列的外形尺寸为紧凑型J、P、A、B、T(低高度B,最高1.2mm)、D、V和Z,电容范围为3.3 µF-680 µF,额定电压2.5V-63V,电容公差为±20%。电容器在+25 °C条件下具有500mΩ到7mΩ超低ESR,这得益于聚合物阴极,其性能远优于采用二氧化锰材料的器件。高达1000 µF电容值和低至6 mW的ESR值器件正在开发中。

电容工作温度范围为-55 °C至+105 °C,具有高达5.66 A IRMS的优异纹波电流等级,其低内阻可提高充放电特性。T55系列电容器采用无铅 (Pb) 端接,符合RoHS、无卤素和Vishay绿色标准。器件可使用高速自动拾放设备进行贴装,潮湿敏感度等级 (MSL) 为3级。

T55系列Z外形尺寸电容器现可提供样品并已实现量产,供货周期为12到14周。

资源:

Vishay钽电容器

Vishay网站上的分销商库存

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