Vishay

器件采用PowerPAK® 5 mm x 6 mm封装,内置电流和温度监测功能,满足基础设施、云计算和图形卡应用需求

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出九款采用热增强型5 mm x 6 mm PowerPAK® MLP56-39封装,集成电流和温度监测功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower® 智能功率模块。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模块提高能效和电流报告精度,降低数据中心和其他高性能计算,以及5G移动基础设施通信应用的能源成本。

产品编号

PWM电平

电流

输入电压

SiC822

5 V

70 A

4.5 V - 16 V

SiC822A

3.3 V

SiC820

5 V

80 A

SiC820A

3.3 V

SiC840

5 V

100 A

SiC840A

3.3 V

SiC832

5 V

70 A

4.5 V - 21 V

日前发布的功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效,器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术,这一技术确立行业性能基准,显著降低开关和传导损耗。SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式,提高全负载范围的效率。

采用电感器DCR监控功耗的解决方案,电流报告精度为7 %,而SiC8xx 系列器件采用低边MOSFET进行检测,精度误差小于3 %。从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统(SoC)性能,改进热管理。器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。

SiC8xx功率模块输入电压为4.5 V至21 V(如表中所示),开关频率高达2 MHz。故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定(UVLO)。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三态PWM逻辑电平,兼容各种PWM控制器。

智能功率模块现可提供样品并已实现量产,供货周期为16周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

围观 17

器件符合AEC-Q200标准,用以取代体积较大且昂贵的解决方案,可在+155 °C高温下连续工作

日前,Vishay宣布推出新款小型1500外形尺寸汽车级插件电感器---IHXL-1500VZ-5A,电感值减小30 % 的情况下饱和电流可达420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-5A适合汽车应用,DCR典型值低至0.12 mΩ,可在+155 °C高温下连续工作。

日前发布的器件符合AEC-Q200标准,采用屏蔽复合结构,小型封装尺寸为38.1 mm×38.1 mm×21.9 mm,支持高达235 A连续直流电流。IHXL-1500VZ-5A适合用来取代大电流输入滤波器,12 V / 24 V / 48 V DC/DC转换器中体积较大且昂贵的竞品解决方案,适用于开关稳压器、差模和升压功率因数校正以及电池充电系统。插件引线配置可根据客户要求修改,以适应金属件固定或焊接端接。

IHXL-1500VZ-5A可处理高瞬变电流峰值,无硬饱和。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,对热冲击、潮湿和机械振动具有很强的耐受能力。

器件规格表:

外形尺寸

1500

封装尺寸 (mm)

38.1 x 38.1 x 21.9

电感 (µH)

0.68~3.3

DCR典型值 (mΩ)

0.12~0.40

DCR最大值 (mΩ)

0.13~0.42

温升电流 (A)

96~154(1) / 150~235(2)

饱和电流 (A)

87~301(3) / 124~420(4)

(1)直流电流 (A) 造成一小时后ΔT约为40 °C
(2)直流电流 (A) 造成一小时后ΔT约为100 °C
(3)直流电流 (A) 造成L0下降约20 %
(4)直流电流 (A) 造成L0下降约30 %

IHXL-1500VZ-5A现可提供样品并已实现量产,供货周期为8到10周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

围观 6

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密汽车级薄膜片式排阻经过进一步强化,阻值比提高至1:100,工作电压达100 V。Vishay Beyschlag器件为设计人员提供更大的灵活性,他们可在更宽的范围内选择分压器应用输入电压,或实现比上一代器件提高五倍的放大系数。

Vishay Beyschlag ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT在一个衬底上分别集成两个和四个电阻,成本低于使用多个高精度分立电阻,同时其稳定的分压比提高了应用稳定性。为提高精度,通过AEC-Q200认证的排阻结合了多种特性,包括可在+155 °C高温下工作,具有严格至± 0.1 %的绝对公差,± 0.05 %的相对公差,低至± 10 ppm/K的绝对TCR和± 5 ppm/K相对TCR。器件阻值为47 Ω~150 kΩ,阻值相等也可以不等。

除了优异的耐高温性能,ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT还耐受各种恶劣环境,在+85 °C、相对湿度85 %,1000小时条件下,器件潮湿敏感度l?6?2R/Rl小于0.5 %,出色的耐硫性符合ASTM B 809标准。新型排阻ESD防护能力达到1000 V,阻芯最高额定耗散为0.125 W。

ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT适合用于要求固定电阻比特别稳定的精密模拟电路、分压器、信号调理、运算放大器(OpAmp)和反馈电路。典型应用包括汽车电子中的引擎控制单元、变速箱控制、安全、电源、车身电子、制动系统、气候控制、转向技术和照明、音频设备和仪表,工业电子中的电池测量系统、传感器、计量表和精密放大器。

增强型排阻现可提供样品并已实现量产,供货周期为八周。

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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管---VEMD8081,扩充光电二极管产品组合。Vishay Semiconductors VEMD8081采用矩形4.8mm x 2.5mm顶视表面贴封装,厚度薄至业内领先的0.48mm,典型反向光电流为33 µA,提高可穿戴设备和医疗应用生物传感器性能。

VEMD8081在相同封装尺寸条件下,反向光电流比其前身VEMD8080大15 %,为设计人员提供直接替代器件,增加信号输出提高性能,或减小LED电流延长电池寿命。

VEMD8081位于两个绿色脉动LED之间,可在运动追踪器和智能手表等可穿戴设备中进行心率检测。光电二极管接收皮肤反射回来的光,将其转换为输出电流,器件提高了灵敏度,可进行更精确的测量。VEMD8081矩形形状最大化光电二极管感光区,消除一般正方形光电二极管浪费的面积。结合红光和红外发射器,器件适用于医疗监护仪的SpO2测量。

VEMD8081高灵敏度感光面积达5.4 mm²,利用Vishay成熟的晶圆技术,可在较宽光谱范围内,检测350 nm至1100 nm可见光和近红外辐射。器件开关速度快,容值低至50 pF,适用于高采样率。

VEMD8081半感光角为± 65°,工作温度40 °C至+85 °C,峰值灵敏度波长为840 nm。光电二极管符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020标准3级,可在车间存放168小时。

VEMD8081现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

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器件符合AEC-Q200标准,额定功率高达1 W,阻值低至0.10 Ω,适用于汽车和工业应用中的电力电子设备

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,公司推出新型0612外形尺寸器件,扩充NCW AT系列宽边薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag NCW 0612 AT电阻具有出色的高温性能和极佳的长期稳定性,额定功率高达1 W,阻值低至0.10 W,适用于汽车和工业应用中的电力电子设备。

结合先前发布的NCW 0406 AT,日前发布的AEC-Q200标准器件宽边几何形状具有优异的温度循环稳健性。此外,电阻可在+175 °C高温下工作,高耐硫能力符合ASTM B 809要求,85 °C和85 %相对湿度条件下具有出色的耐湿性。

这些性能指标使设计者能够在恶劣和高温环境中使用NCW AT系列电阻,且不影响额定功率或电气性能。在大量现代专业功率电子领域,功率耗散、可靠性、稳定性和强健性设计是主要考虑因素,新款电阻是这类应用的理想选择。典型应用包括DC/DC转换器、LED驱动器,DC电流监控和电池管理系统。

器件规格表:


NCW 0612 AT系列电阻现可提供样品并已实现量产,供货周期为九周。

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围观 13

器件额定电流4 A~40 A,采用MPS结构设计,降低开关损耗和温变影响

2日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出十款新型650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。

日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。

器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流为4 A~40 A,可在+175 °C高温下工作。

器件规格表:

产品编号 IF(AV) (A) VRRM(V) 25 °C,
10 ms下IFSM(A)
IF和TJ下VF (典型值) TJ最大值 (°C) 封装
VF (V) IF (A) TJ (°C)
VS-C04ET07T-M3 4 650 26 1.75 4 150 175 2L TO-220AC
VS-C06ET07T-M3 6 650 39 1.7 6 150 175 2L TO-220AC
VS-C08ET07T-M3 8 650 57 1.7 8 150 175 2L TO-220AC
VS-C10ET07T-M3 10 650 68 1.75 10 150 175 2L TO-220AC
VS-C12ET07T-M3 12 650 80 1.65 12 150 175 2L TO-220AC
VS-C16ET07T-M3 16 650 120 1.65 16 150 175 2L TO-220AC
VS-C20ET07T-M3 20 650 160 1.6 20 150 175 2L TO-220AC
VS-C16CP07L-M3 16 650 53 1.7 8 150 175 TO-247AD 3L
VS-C20CP07L-M3 20 650 64 1.75 10 150 175 TO-247AD 3L
VS-C40CP07L-M3 40 650 160 1.55 20 150 175 TO-247AD 3L

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

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器件最小含铅(Pb)量为4 %,不会产生锡须

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列含铅(Pb)端接涂层的表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC),适用于近地轨道(LEO)卫星以及其他需要避免锡须的航天,国防和航空电子应用。其工作温度可达+150 °C。

Vishay Vitramon VJ....32含铅涂层系列端接涂层最小含铅(Pb)量为4 %。此前,含铅(Pb)端接涂层专门用于昂贵的高可靠性器件。日前发布的MLCC为必须防止锡须,但不需要达到航天级可靠性的航空系统设计人员提供了经济高效的替代方案。

VJ....32含铅涂层系列电容器采用贵金属电极(NME)技术和湿法工艺制造,采用C0G(NP0)和X7R电介质,从0402到1210有5种封装尺寸。采用C0G(NP0)电介质的器件,电容低至1.0 pF,–55°C ~ +125°C条件下,电容温度系数(TCC)为0 ppm/°C ± 30 ppm/°C,每十年最大老化率为0 %。X7R器件电容高于1.0 µF,-55 °C ~ +125 °C条件下,TCC为 ± 15 %,每十年最大老化率为1 %。

MLCC通过AEC‑Q200认证,满足设计人员汽车级可靠性的要求。

器件规格表:


VJ....32含铅涂层MLCC现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

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器件专门用来取代体积较大的解决方案,可在+155 °C高温下连续工作,适用于再生能源、工业和通信应用

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出小型1500外形尺寸新型通孔电感器---IHXL-1500VZ-51,在电感值减小30 %的情况下饱和电流高达420 A。Vishay Dale IHXL-1500VZ-51适用于再生能源、工业和通信应用,DCR典型值非常低,仅为0.12 mW,可在+155 ℃ 高温下连续工作。

日前发布的器件采用屏蔽复合结构,封装尺寸为38.1 mm x 38.1 mm x 21.9 mm,支持高达150 A连续DC电流。除开关稳压器、差模和升压功率因数校正扼流圈、通信基站电源,IHXL-1500VZ-51还可替代高温工业、太阳能和风电应用中大电流输入滤波器、DC/DC转换器使用的大型电感解决方案。

IHXL-1500VZ-51可处理高瞬态电流尖峰,不会出现硬饱和,195 % 额定电流条件下软饱和为20 %。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,对热冲击、潮湿和机械冲击有很强的耐受能力。

器件规格表:

外形尺寸 1500
封装尺寸 (mm) 38.1 x 38.1 x 21.9
电感 (µH) 0.68~3.3
DCR典型值 (mΩ) 0.12~0.40
DCR最大值 (mΩ) 0.13~0.42
温升电流 (A) 96~154(1) / 150~235(2)
饱和电流 (A) 87~301(3) / 124~420(4)

(1)直流电流 (A)造成一小时后ΔT约为40 °C
(2)直流电流 (A)造成一小时后ΔT约为100 °C
(3)直流电流 (A)造成L0下降约20 %
(4)直流电流 (A)造成L0下降约30 %

IHXL-1500VZ-51现可提供样品并已实现量产,供货周期为8至10周。

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Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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业内首款采用鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,导通电阻仅为30 mΩ

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,而且10 V条件下其导通电阻仅为30 mW,达到业内优异水平。

日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比,导通电阻分别降低26 %和46 %,占位面积分别减小50 %和76 %。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗,从而节省能源,10 V条件下优异的栅极电荷仅为45 nC,减少栅极驱动损耗。

这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。

器件100 V额定值满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外,作为p沟道MOSFET,SQJ211ELP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。

SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。

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第四代N沟道器件降低导通和开关损耗,提高能效

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。

Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出,以及即将发布的第四代600 V EF系列产品,Vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)和软切换DC/DC转换器拓扑结构。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超结技术,10 V条件下典型导通电阻仅为0.061 Ω,超低栅极电荷降至50 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC,比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源。SiHH070N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为90 pf和560 pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类紧随其后的MOSFET低32 %。

日前发布的器件采用PowerPAK® 8x8封装,符合RoHS标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。

SiHH070N60EF现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

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Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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