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器件可直接安装在散热器上,额定功率800 W,脉冲处理能力达1500 J

宾夕法尼亚MALVERN2020219 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE股市代号VSH宣布,推出市场上首款经AEC-Q200汽车级认证的高功率电阻--- LPSA 300LPSA 600LPSA 800。Vishay Sfernice LPSA 300LPSA 600LPSA 800可直接安装在散热器上,具有高功率和更强的脉冲处理能力,有助于设计人员减少汽车应用元件数量并降低成本。

日前发布的器件可用作逆变器和换器预充或泄放电阻,用于电动汽车EV、混合动力汽车HEV和插电式混合动力汽车PHEV。LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800额定功率分别为300 W、600 W和800 W,设计人员可在这类应用中,用单个电阻取代多个低功率器件。此外,其脉冲处理能力为400 J到1500 J,脉冲时间0.05 s到0.5 s,可用来替代体积较大的绕线电阻,节省电路板空间。

LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800最高工作温度+175 °C,阻值范围0.03 Ω至900 kΩ。同时,绝缘电压高达12 kV RMS。器件符合RoHS标准,采用无电感设计,公差低至± 1%,汽车可靠性测试结果优异例如,1,000次以上温度循环,1,000小时工作寿命

新型电阻现可提供样品并已实现量产,供货周期为10至12周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站www.vishay.com

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器件适用于消费类和工业应用

宾夕法尼亚、MALVERN  2020年1月15日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出两款全集成新型接近传感器--- VCNL36821SVCNL36826S,提高消费类和工业应用效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36821SVCNL36826S分别在2.55 mm x 2.05 mm x 1.0 mm小型表面贴封装中集成红外(IR)发射器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光电二极管、信号处理IC和12位ADC。

与上一代器件相比,日前发布的接近传感器体积小,成本低,适用于空间有限的电池供电应用,如检测用户是否佩戴耳麦或虚拟现实/增强现实(VR / AR头盔。器件探测距离300 mm,同时具有用于玩具以及消费类和工业机器人的碰撞检测功能。VCNL36821SVCNL36826S功耗低至6 µA,有助于提高这些应用的效率

器件支持I2C总线通信接口,可轻松访问接近信号,可编程中断功能便于设计人员设定中断阈值上下限,从而减少与微控制器连续通信。 接近传感器采用智能抵消技术消除串扰,智能持续性设计确保准确探测并加快响应速度。IREDVCSEL波长峰值为940 nm,无可见“红尾”。

VCNL36821SVCNL36826S-40 °C+85 °C温度范围内具有出色的温度补偿能力,潮湿敏感度等级(MSL达到J-STD-020标准3级,车间储存寿命为168小时。传感器符合RoHSVishay绿色标准,无卤素。

器件规格表

Vishay推出超小体积的功耗仅为6 µA的新型接近传感器

新型VCNL36821SVCNL36826S现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为8-12周

资源

Vishay陶瓷单层电容器

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器件适用于24 V系统双向开关,最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW,单位面积RS-S(ON)达业内最低水平

宾夕法尼亚、MALVERN  2019年12月11日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极N沟道60 V MOSFET---SiSF20DNVishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

日前发布的双MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%,比Vishay上一代器件低89%

从而降低电源通道压降,减小功耗,提高效率。为提高功率密度,SiSF20DN的RS1S2(ON) 面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %,甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案。

为节省PCB空间,减少元件数量并简化设计,该器件采用优化封装结构,两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列,加大连接提高PCB接触面积,与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关,包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。

SiSF20DN进行100 % RgUIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

新型MOSFET现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为30

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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款公司迄今体积最小的新型商用IHLP®超薄、大电流电感器--- IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP1212BZ-51。Vishay Dale IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP1212BZ-51采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺寸,工作温度达+155 C,节省计算机和电信系统应用空间,高度仅为1.0 mm。

日前发布的器件用于DC/DC转换器储能时频率可达5 MHz。同时,电感器在自谐振频率(SRF)范围内大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。应用包括笔记本电脑、台式机、服务器、小型大电流电源以及分布式电源系统和FPGA。 

IHLP-1212AZ-51、IHLP-1212AB-51和IHLP-1212BZ-51引脚封装采用100%无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,对热冲击、潮湿、机械振动有很强的抵御能力,可无饱和处理高瞬变电流尖峰。电感器符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

器件规格表:

产品编号

IHLP-1212AZ-51

IHLP-1212AB-51

IHLP-1212BZ-51

外形尺寸

1212

1212

1212

高度 (mm)

1.0

1.2

2.0

感值范围 (mH)

0.10~1.0

0.10~1.2

0.10~3.3

典型DCR (mΩ)

7.31~26.66

7.01~53.49

6.58~88.38

最大DCR (mΩ)

8.81~29.92

7.50~57.65

6.95~96.79

热额定电流 (A)

5.35~11.13

3.98~11.50

3.26~12.26

饱和电流 (A)

4.43~7.38

3.84~11.79

2.52~13.46

典型SRF (MHz)

152~440

82~455

40~380

工作温度范围 (°C)

-55~+155

-55~+155

-55~+155

新型电感器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为八周。

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850 nm、890 nm和940 nm器件采用带侧光挡板的小型0805表面贴封装,辐照强度达13 mW/sr,工作温度范围-40 °C至+110 °C

宾夕法尼亚、MALVERN  2019年1120日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm 0805表面贴装高速红外(IR)发射器系列---VSMY5850X01VSMY5890X01VSMY5940X01,该系列器件业内带侧光挡板的最小封装,扩充其光电产品组合。Vishay Semiconductors VSMY5850X01850 nmVSMY5890X01890 nm)和VSMY5940X01940 nm)器件采用SurfLight™表面发射器芯片技术,辐照强度比前代器件提高30 %,工作温度范围-40 °C+110 °C

传统PCB封装采用全透明环氧树脂内嵌发射器芯片,导致侧光在摄像图像中产生光晕。日前发布的红外发射器侧壁不透明,防止多余的侧向辐照光,不需要外部遮挡,如橡胶圈,从而简化设计,非常适合用于虚拟或增强现实应用的位置跟踪。

与全向发光的标准红外发射器不同,SurfLight VSMY5850X01VSMY5890X01VSMY5940X01几乎所有光和功率都从芯片顶部发出。由于大部分光集中于表面,因此红外发射器辐照强度可达13 mW/sr,适用于接近传感器、光开关和小型光障。器件亮度半强角为± 60°,开关速度仅为7 ns,100 mA条件下正向电压低至1.6 V。

VSMY5850X01VSMY5890X01和VSMY5940X01符合严格的AEC-Q101标准,适用于汽车应用,仓储寿命为168小时,湿度敏感度等级达到J-STD-020标准3级。器件支持无铅Pb回流焊工艺,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

新型红外发射器现可提供样品并已实现量产,供货周期为10

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器件符合AEC-Q200标准,适用于发动机舱,工作温度达+155 °C,高度仅为1.0 mm

宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年10月16日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款该公司车用产品迄今体积最小的新型汽车级IHLP®超薄、大电流电感---IHLP-1212AZ-5A、IHLP-1212BZ-A1和IHLP-1212BZ-5A。Vishay Dale IHLP-1212AZ-5A、IHLP-1212BZ-A1和IHLP-1212BZ-5A电感器采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺寸,节省下一代高级驾驶辅助系统(ADAS)和传感器应用空间,工作温度达+155 °C,高度仅为1.0 mm。

日前发布的器件符合AEC-Q200标准,用于DC/DC转换器储能时频率可达5 MHz。同时,电感器在自谐振频率范围内大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。电感器可在高温下工作,适用于滤波和DC/DC转换,应用包括ADAS、传感器、车载娱乐/导航系统,以及中等强度电流滤波应用的噪声抑制。

IHLP-1212AZ-5A、IHLP-1212BZ-A1和IHLP-1212BZ-5A引脚封装采用100% 无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,对热冲击、潮湿、机械振动有很强的抵御能力,可无饱和处理高瞬变电流尖峰。电感器符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

器件规格表:

新型电感器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为10周。

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Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

围观 6

器件可用于消费类和工业应用物体及碰撞探测

2019年9月16日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH) 宣布,其光电子产品部推出探测距离为30 cm的新型接近传感器--- VCNL3040。Vishay Semiconductors VCNL3040在单个封装中集成红外发射器、光电接近探测器、放大器和ADC电路,具有可编程中断功能,支持I²C总线通信接口,可在各种消费类和工业应用中进行高效物体及碰撞检测。

日前发布的器件适用于智能家居、工业、办公和玩具产品,接近探测距离比前一代传感器提高33%,成本低于市场同类解决方案,应用包括打印机、复印机和家用电器探测到物体时激活显示屏;机器人和玩具防碰撞;停车场空闲车位探测;卫生间用具接近探测等。

VCNL3040可编程中断功能便于设计人员设置高低阈值,从而减少与微控制器连续通信。接近传感器可选12位和16位输出,采用智能抵消技术消除串扰,同时智能持续性设计确保准确探测并加快响应速度。发射器波长峰值为940nm,没有可见“红尾”。

器件供电电压为2.5 V至3.6 V,I²C总线电压1.8 V至3.3 V,在-40 °C至+85 °C温度范围内可具有出色的温度补偿能力。传感器采用无铅8引脚QFN封装,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

新款VCNL3040现可提供样品,并已实现量产,大宗订货供货周期为8至12周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

围观 10

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出三款新系列X1、X2和Y2电磁干扰 (EMI) 抑制薄膜电容器---F340X1、F340X2和F340Y2,该器件符合跨接电路和旁路电路应用标准。最新系列F340 EMI抑制电容器满足最为严苛的湿度可靠性要求,已通过IEC 60384-14:2013 ed. 4 / AMD1:2016 IIIB级:“高湿高可靠性”认证。

为满足IEC 60384-14:2013 ed. 4 / AMD1:2016 IIIB规定的湿度等级要求,日前发布的Vishay BCcomponents器件在温度85 °C,相对湿度85 %,额定AC电压条件下,经过1000小时温湿度偏压 (THB) 测试,电容值、损耗因数和绝缘电阻具有极高稳定性,从而可在工业和汽车电力电子设备的恶劣应用中具有更长的使用寿命,如电池充电器、可再生能源逆变器、电机驱动器和UPS等。

F340X1额定电压为480 VAC,电容值0.22 µF至8.2 µF,最高工作电压达530 VAC,确保符合三相电源电压变化的要求。F340X2额定电压305 VAC,电容值1 µF至20 µF,10 kHz条件下纹波电流最高可达18 A。F340Y2符合AEC-Q200认证标准,额定电压305 VAC,电容值10 nF至1 µF。

全系列F340器件获得EN、UL和CQC安全和湿度可靠性认证。电容器引脚间距为15 mm、22.5 mm、27.5 mm、37.5 mm和52.5 mm。电容器塑壳和环氧树脂密封阻燃等级符合UL 94 V-0标准。三个系列器件全部符合RoHS无铅 (Pb) 标准。F340X1 480VAC和F340X2 305VAC还符合Vishay绿色标准,无卤素。

来源:汽车电子应用

围观 52

器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK® 1212-8S封装

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。

与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。

围观 41

1212外形尺寸器件通过AEC-Q200认证,工作温度高达+155 °C,高度仅为1.0 mm

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出迄今体积最小的汽车级IHLP®超薄、大电流电感---IHLP-1212Ax系列之IHLP-1212AZ-A1IHLP-1212AB-A1。Vishay Dale IHLP-1212AZ-A1IHLP-1212AB-A1电感器采用3.3 mm x 3.3 mm 1212外形尺寸,节省下一代高级驾驶辅助系统(ADAS)和传感器应用空间,工作温度+125 °C,高度极低仅为1.0 mm,IHLP-1212AB-5A工作温度达+155 °C,高度为1.2 mm。

日前发布的器件符合AEC-Q200标准,用于DC/DC转换器储能时频率可达5MHz。同时,电感器在自谐振频率范围内的大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。电感器可在高温下工作,适用于滤波和DC/DC转换,应用包括ADAS、传感器、车载娱乐/导航系统,以及中等强度电流滤波应用的噪声抑制。

IHLP-1212AZ-A1、IHLP-1212AB-A1和IHLP-1212AB-5A引脚封装采用100% 无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,对热冲击、潮湿、机械振动有很强的抵御能力,可无饱和处理高瞬态电流尖峰。电感器符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

器件规格表:

产品编号

IHLP-1212AZ-A1

IHLP-1212AB-A1

IHLP-1212AB-5A

外形尺寸

1212

1212

1212

高度 (mm)

1.0

1.2

1.2

感值范围 (mH)

0.10~1.0

0.10~1.2

0.10~1.2

典型DCR (mΩ)

8.60~63.61

8.98~60.16

7.01~53.49

最大DCR (mΩ)

9.20~66.38

9.61~62.79

7.50~57.65

热额定电流 (A)

3.47~10.50

3.81~10.48

3.98~11.50

饱和电流 (A)

5.23~19.21

5.61~18.92

3.84~11.79

典型SRF (MHz)

95~475

79~419

82~455

工作温度范围 (°C)

-55~+125

-55~+125

-55~+155

新型电感器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为10周。

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