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器件适用于小信号探测，符合AEC-Q101标准,不透明封装信噪比优异，几乎无段间公差

日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其光电子产品部推出业界首款标准表面贴封装，经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管---K857PE。Vishay Semiconductors K857PE感光度高，串扰仅为0.1 %，几乎无段间公差，适用于汽车、消费电子和工业市场各种传感控制应用。

日前发布的器件经过AEC-Q101认证，采用四支单片PIN二极管—每支感光区面积为1.6 mm2 —集成在4.72 mm x 4.72 mm x 0.8 mm单体封装中（正贴）。K857PE封装侧面不透明，消除杂散光对光电二极管的辐照影响，具有优异信噪比。器件光响应线性度适于车用雨量/日光传感器、工业自动化系统、激光准直和虚拟现实等各种应用的小信号探测。

光电二极管基于外延技术，感光范围690 nm至1050 nm，
Ee = 1 mW/cm2 ，波长850 nm条件下，区段反向光电流为8.5µA。器件配有日光滤光片，半感光度角为± 60°，可在-40 ˚C至+110 ˚C温度范围内工作。K857PE符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，可在车间存放168小时，潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准。

新型四象限光电二极管现可提供样品，2020年第4季度实现量产，供货周期为10周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。

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器件以其优于上一代解决方案的线性度和灵敏度获得传感器奖

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司的VEML3328（正贴）和VEML3328SL（侧贴）RGBC-IR传感器荣获2020 AspenCore全球电子成就奖年度传感器奖。与上一代器件相比，获奖传感器具有更好的线性度和更高的灵敏度，以及包括红外（IR）通道在内的各种新功能，适用于数码相机自动白平衡和色偏校正，自动LCD背光调节，以及主动监控物联网（IoT）和智能照明的LED色彩输出等应用。

“全球电子成就奖”（WEAA）由电子技术领域媒体集团AspenCore主办，旨在表彰为推动全球电子工业创新发展做出杰出贡献的公司和个人。获奖产品由全球工程师网上投票选出。

VEML3328和VEML3328SL将光电二极管、放大器和模/数电路集成在单片CMOS中，可检测红光、绿光、蓝光、白光和红外光。传感器可计算色温并检测环境光，为消费类电子产品和笔记本电脑提供小型背光调整解决方案。同时，有助于区分室内和室外照明环境，确保显示器根据当前环境照明条件保持一致的真实色彩和理想的亮度水平。

除数码相机和电视外，VEML3328和VEML3328SL还适用于各种工业和消费类电子应用，优异的温度补偿能力可在温度变化条件下保持传感器输出稳定。传感器的内置环境光光电二极管具有极高感光度，可在透光率低的透镜环境下使用。可编程模拟增益和积分时间功能，以及附加的IR通道便于设计人员根据自己的应用定制VEML3328和VEML3328SL。

11月5日，中国深圳召开的全球高科技领袖论坛举行颁奖典礼表彰获奖者。Vishay中国光电子产品市场开发部客户经理黄智炜代表Vishay领奖。

完整获奖者名单，请登录www.esmchina.com/news/7159.html。

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器件采用超薄表面贴封装，可防汽车、消费电子和工业应用误触发

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出两款分辨率高达20 µm，适用于各种压力感测应用的新型全集成汽车级接近传感器---VCNL3030X01和VCNL3036X01。这两款传感器将光电二极管、放大器和ADC电路集成在4 mm x 2.36 mm，厚度仅为0.75 mm的表面贴封装中。VCNL3030X01采用板载红外发射器（IRED）；VCNL3036X01最多可配置三个外置IRED，采用含有内部逻辑电路的板载驱动器。

日前发布的器件经过AEC-Q101认证，适用于汽车、消费电子、智能家居、工业、办公和玩具产品，与前代传感器相比，提高了分辨率并降低成本。用于车辆转向控制、笔记本智能电源按钮和多点触控板，以及物联网（IoT）设备和厨用电器触摸板等压力感测应用时，VCNL3030X01和VCNL3036X01可防止误触发，甚至允许用户戴手套。VCNL3036X01采用外置IRED，提高产品设计的灵活性。

器件支持I²C总线通信接口，可编程中断功能便于设计人员设定高、低阈值，从而减少与微控制器的连续通信。新型接近传感器可选12位和16位输出，采用智能抵消技术消除串扰，同时智能持续性设计确保具备准确的感知能力，加快响应速度。VCNL3030X01发射器波长峰值为940 nm，没有可见“红尾”。

VCNL3030X01和 VCNL3036X01传感器IRED / LED脉冲电流为200 mA，供电电压为2.5V至3.6V，I²C总线电压1.8V至5.5V。用于压力感测应用时，传感器可灵活微调短距离位移电流。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

新型接近传感器现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为6至12周。

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节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装，最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m，Qg为6.5 nC

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级——SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。

SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降压转换器的控制开关，10 V时最大导通电阻为8.05 mΩ，4.5 V时为12.25 mΩ。通道2 MOSFET，通常用作同步开关，10 V时导通电阻为8.41 mΩ，4.5 V时为13.30 mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16 %。结合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）低栅极电荷，导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14 %，有助于提高快速开关应用的效率。

日前发布的双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装的双器件小65 %，是目前市场上体积最小的集成产品之一。除用于同步降压，DC/DC转换半桥功率级之外，新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案，适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制，以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。

集成式MOSFET采用无导线内部结构，最大限度降低寄生电感实现高频开关，从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低噪声，进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

新型双MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。

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器件符合AEC-Q200标准，适用于汽车和工业应用，精度达到± 0.5 °C，空气中响应时间小于3秒

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款环氧树脂封装NTC热敏电阻——NTCLE317E4103SBA，采用加长PEEK绝缘镍铁合金引线，热梯度超低，适用于汽车和工业应用高精度温度测量、感测和控制。

镍铁合金Vishay BCcomponents NTCLE317E4103SBA传感器导线导热性达到市场最低水平。器件具有出色的热解耦性，温度测量精度达± 0.5 °C，优于其他导线材料（如铜）几个度量级。

为加强高湿度条件下的可靠性，日前发布的器件PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有极高的粘合强度。NTCLE317E4103SBA小磁珠最大直径为1.6 mm，在空气中的响应时间不到3秒。75 mm灵活的径向长引线满足特殊安装或组装要求。

器件具有出色的精度和快速响应速度，适用于锅炉、烟/火探测器、电池组电池管理系统（BMS）、充电电路、直流风扇电机、汽车座椅加热和HVAC传感器以及打印头。符合RoHS标准的传感器+25°C（R25）条件下电阻为10 kΩ，曲线跟踪范围25 °C至85 °C，β值（B25/85）为3984 K，公差± 0.5 %。器件最大功耗50 mW，工作温度-55 °C至+150 °C。

NTCLE317E4103SBA现可提供样品并已实现量产，供货周期为6周。

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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款表面贴装汽车级硅 PIN 光电二极管，外形尺寸为 0805，高度仅为 0.7 mm — 比前一代器件低 0.15 mm。Vishay Semiconductors VEMD4010X01 和 VEMD4110X01 采用黑色封装，不透明侧壁，消除多余侧面光，提高信噪比。

日前发布的光电二极管经过 AEC-Q101 认证，适合各种应用进行光探测，包括阳光负载传感器，车用雨量、日光和隧道传感器，电梯、车库门、工业设备光幕，非接触式水龙头、马桶和垃圾桶反射传感器。VEMD4010X01 用于探测可见光和近红外辐射，感光范围为 550 nm至1040 nm。VEMD4110X01 用于740 nm 至 1040 nm 红外应用，带有匹配 830 nm至950 nm 红外发射器的遮光滤光片。

高灵敏度器件感光面积达 0.42 mm2，反向光电流为 2.4 µA，暗电流低至 1 nA。VEMD4010X01 和 VEMD4110X01 响应速度快，半强角为 ± 60°，工作温度 -40 °C至+110 °C，峰值感光度波长 910 nm。光电二极管符合 RoHS 和Vishay 绿色标准，无卤素，潮湿敏感度等级（MSL）达到 J-STD-020 标准 3 级，打开包装后可存放 168 小时。

VEMD4010X01和VEMD4110X01现可提供样品并已实现量产，大宗供货周期为10周。

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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

日前发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20 %，FOM比上一代解决方案低17 %。这些指标降低了导通和开关损耗，从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗，但体积大的MOSFET，节省PCB空间，或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。

SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流，包括通信设备、计算机外设、消费电子； 笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光；以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。

器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

SiSS94DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。

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器件通过AEC-Q200认证，工作温度达+155 °C，采用2525外形尺寸，降低失真，减小串扰

宾夕法尼亚、MALVERN —2020年8月24日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型汽车级2525外形尺寸超薄、大电流电感器---IHLD-2525GG-5A。Vishay Dale IHLD-2525GG-5A以单个器件取代汽车D类音频放大器所需的两个电感器，降低电路板所需空间，减少元件数量，THD性能优于其他类型电感器。

为提供D类放大器噪声过滤功能，日前发布的AEC-Q200认证器件将两个IHLP电感器组合在一个小型封装中，工作温度达+155 °C。IHLD-2525GG-5A采用优化设计，高质量音效和低失真效果优于其他解决方案，低耦合可最大限度减小集成式电感器之间的串扰。

高效IHLD-2525GG-5A电感器载波工作频率最高可达2.1 MHz，典型DCR为7.06 mΩ至154 mΩ，电感量为1.0 µH至22 µH，额定电流13.0 A，可无饱和处理高瞬态电流尖峰。双电感器封装采用100 %无铅（Pb）屏蔽复合结构，噪声减小到超低水平，对热冲击、潮湿和机械振动具有很强的抵御能力。

器件规格表：

外形尺寸 2525
电感量 (mH) 1.0~22
典型DCR (mΩ) 7.06~154
最大DCR (mΩ) 7.77~164.80
热额定电流 (A) 2.2~13.0
饱和电流 (A) 2.5~12.3
典型SRF (MHz) 10.9~56.7

新型双电感器现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。

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Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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小型器件纹波电流提高至3.27 A，+105 °C条件下使用寿命达5,000小时

2020年8月10日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新系列小型卡扣式铝电解电容器---193 PUR-SI系列，提高设计功率密度。Vishay BCcomponents 193 PUR-SI系列电容器纹波电流比上一代标准解决方案提高30 %，外形尺寸更小，同时具有更长使用寿命。

日前发布的器件纹波电流高达3.27 A，因此设计人员可以使用更少的元件，从而节省电路板空间并降低成本。器件在+105 °C条件下，使用寿命长达5,000小时，可用于+60 °C环境温度下，要求电容器使用寿命长达25年以上的各种严苛应用。

193 PUR-SI系列电容器采用蓝色套管绝缘的圆柱形铝外壳，额定电压为500V，从22 mm x 25 mm 到 35 mm x 60 mm有25种小型封装外形尺寸。电容器符合RoHS标准，提供3 pin极性卡扣接头。

作为非固态电解质极性铝电解电容器，该器件适合用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器、工业冷气机、焊接设备的平滑、缓冲和DC-Link滤波。

器件规格表：

外形尺寸 (直径x长度，单位mm)

22 x 25 ~ 35 x 60

容量范围

47 µF ~ 820 µF

公差

± 20 %

额定电压

400 V ~ 450 V

500 V

温度范围

-40 °C ~ +105 °C

-25 °C ~ +105 °C

+105 °C使用寿命

5,000 h

100 Hz最大ESR

120 mΩ ~ 2800 mW

10 kHz最大阻抗

80 mΩ ~ 2060 mW

行业标准

IEC 60384-4 / EN130300

气候类别IEC 60038

40 / 105 / 56

25 / 105 / 56

193 PUR-SI系列电容器现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。

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新款双层储能电容器外形尺寸从10 mm x 20 mm到12.5 mm x 40 mm，容值为5 F至22 F

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出七款用于能量采集和备用电源应用的小型ENYCAPÔ双层储能电容器，外形尺寸从10 mm x 20 mm到12.5 mm x 40 mm，容值为5 F至22 F。

最新推出的小型ENYCAP系列电容器包括标准型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高压230 EDLC-HV和加固型高压235 EDLC-HVR，具有更高功率密度，节省各种工业、再生能源和汽车应用空间，包括智能电表、手持电子设备、机器人、能量采集设备、电子门锁系统、应急照明等。

Vishay的ENYCAP电容器适用于各种标准和恶劣高湿环境，+85 °C条件下使用寿命长达2,000小时，免维护，具有极高的设计灵活性。器件坚固耐用，经过1500小时85 °C / 相对湿度85 %带电测试，耐潮能力达到最高等级，高压电容器额定电压达3.0 V。器件经过AEC-Q200认证，符合RoHS标准，可进行快速充放电，提供通孔封装版本。

外型尺寸更小的ENYCAP电容器现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为六周。

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