宾夕法尼亚、MALVERN—2020年2月19日 —日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出市场上首款经AEC-Q200汽车级认证的高功率电阻--- LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800。Vishay Sfernice LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800可直接安装在散热器上，具有高功率和更强的脉冲处理能力，有助于设计人员减少汽车应用元件数量并降低成本。

日前发布的器件可用作逆变器和变换器预充或泄放电阻，用于电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）。LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800额定功率分别为300 W、600 W和800 W，设计人员可在这类应用中，用单个电阻取代多个低功率器件。此外，其脉冲处理能力为400 J到1500 J，脉冲时间0.05 s到0.5 s，可用来替代体积较大的绕线电阻，节省电路板空间。

LPSA 300、LPSA 600和LPSA 800最高工作温度+175 °C，阻值范围0.03 Ω至900 kΩ。同时，绝缘电压高达12 kV RMS。器件符合RoHS标准，采用无电感设计，公差低至± 1%，汽车可靠性测试结果优异（例如，1,000次以上温度循环，1,000小时工作寿命）。

新型电阻现可提供样品并已实现量产，供货周期为10至12周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件，比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。

从而降低电源通道压降，减小功耗，提高效率。为提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案。

为节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用优化封装结构，两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列，加大连接提高PCB接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。

SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

新型MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为30周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年11月20日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm 0805表面贴装高速红外（IR）发射器系列---VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01，该系列器件是业内带侧光挡板的最小封装，扩充其光电产品组合。Vishay Semiconductors VSMY5850X01（850 nm）、VSMY5890X01（890 nm）和VSMY5940X01（940 nm）器件采用SurfLight™表面发射器芯片技术，辐照强度比前代器件提高30 %，工作温度范围-40 °C至+110 °C。

传统PCB封装采用全透明环氧树脂内嵌发射器芯片，导致侧光在摄像图像中产生光晕。日前发布的红外发射器侧壁不透明，防止多余的侧向辐照光，不需要外部遮挡，如橡胶圈，从而简化设计，非常适合用于虚拟或增强现实应用的位置跟踪。

与全向发光的标准红外发射器不同，SurfLight VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01几乎所有光和功率都从芯片顶部发出。由于大部分光集中于表面，因此红外发射器辐照强度可达13 mW/sr，适用于接近传感器、光开关和小型光障。器件亮度半强角为± 60°，开关速度仅为7 ns，100 mA条件下正向电压低至1.6 V。

VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01符合严格的AEC-Q101标准，适用于汽车应用，仓储寿命为168小时，湿度敏感度等级达到J-STD-020标准3级。器件支持无铅（Pb）回流焊工艺，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

新型红外发射器现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度，栅极电荷仅为22.5 nC，同时具有低输出电荷（QOSS）。

与逻辑电平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller（米勒）平台电压，适用于栅极驱动电压高于6 V的电路，器件最佳动态特性缩短死区时间，防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC，QOSS与导通电阻乘积，即零电压开关（ZVS）或开关柜拓扑结构功率转换设计中，MOSFET的重要优值系数（FOM）达到最佳水平。为实现更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗，多电源管理系统构件可实现更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级，以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为30周，视市场情况而定。