<strong>1. Flash 存储器</strong>
(1)Flash 存储器是一种非易失性存储器,根据结构的不同可以将其分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两种。
(2) Flash 存储器的特点:
A、 区块结构:在物理上分成若干个区块,区块之间相互独立。
B、 先擦后写:Flash 的写操作只能将数据位从1写成0,不能从0写成1,所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作,将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块,而不是单个字节。
C、 操作指令:执行写操作,它必须输入一串特殊指令(NOR Flash)或者完成一段时序(NAND Flash )才能将数据写入。
D、 位反转:由于 Flash 的固有特性,在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免,只能通过其他手段对结果进行事后处理。
E、 坏块:区块一旦损坏,将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。
(3) NOR Flash 的特点: