SiC

英飞凌在200mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌科技股份公司宣布将为零跑汽车最新发布的C16智能电动汽车供应碳化硅 (SiC) HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ 功率模块和AURIX™ 微控制器等多款产品。搭载英飞凌CoolSiC功率模块的牵引逆变器可进一步提升电动汽车整车性能和系统可靠性。

过去，绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)在大功率 DC-DC 和 AC-DC 转换领域一直占主导地位，而新型宽禁带 (WBG) 半导体（如碳化硅 (SiC) MOSFET）现已问世，其额定功率高达数十千瓦，在并联时甚至更高。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。

今日，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性，以及宽带隙技术优势。