Nexperia

2020年5月27日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。

5月7日：Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。

2020年4月22日，Nexperia发布了一系列MOSFET产品，采用超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。

Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。

奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。

奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。

奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia，今天宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件 。

<font color="#FD8900">针对新型系统保护配置而优化了 USB3.2 SuperSpeed 的全新解决方案</font>

Nexperia 是分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件方面的全球领先供应商。Nexperia 今日宣布：已优化其用于 C 型 USB 接口的 TrEOS ESD 保护二极管系列。新的 USB3.2 标准在 Rx 输入端引用了一个可选电容器，因此 Nexperia 现在推出了两组元件：一组元件在连接器和电容器之间提供极高的浪涌抗扰度，另一组元件则具有极低的触发电压，用于放置在电容器和系统芯片之间。

<font color="#FD8900">高效率节省空间和系统成本； 对于安全攸关的设计极其可靠。</font>

Nexperia，作为分立、 逻辑和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布推出本公司最低Rds(on)的汽车级MOSFET。符合AEC-Q101规范，第9代Trench技术，40 V汽车级超级结 MOSFET 采用了坚固耐用、高电与热效率的LFPAK56E封装，与传统的裸片模块、D2PAK 或 D2PAK-7 器件相比，减少了高达81%的占用空间。这款导通内阻0.9 mΩ，额定直流电流220A的 BUK9J0R9-40H MOSFET 适用于功率高达 1.2 kW 的应用，与之前最佳的解决方案 D2PAK 器件相比，成本更低。

除了降低 RDS(on) ，这款新器件还将直流电流额定值增加到 220 A – 这对于汽车级 Power-SO8 封装尺寸的器件而言尚属首次。它可在较小的占用空间里实现更高的功率密度，这对于需要双冗余电路的安全攸关汽车应用特别有用。超级结技术的使用提供了更高的抗雪崩能力和更大的安全工作区间，改善了在故障情况下应用的性能表现。