Nexperia

符合AEC-Q101标准的120 V、150 V和200 V设备兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性

奈梅亨，2020年5月27日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。

新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其适合高温应用，例如，LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域，在不超过175 °C的条件下不会发生热失控。同时，工程师也可以使用适用于高温设计的快速恢复二极管，优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压(Vf)和低Qrr，使传导损耗降低10-20%。

PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管行业标准的节省空间、高热效率的CFP3和CFP5封装。封装采用实心铜夹片，降低热阻，优化热传输至周围环境，使PCB更小、更紧凑。此外，使用SiGe技术，能够轻松实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。

Nexperia产品经理Jan Fischer评论道：“使用Nexperia的创新型锗化硅技术，让工程师有更多选择来设计电源电路，最终构建引领市场的产品，这是之前从未有过的。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充，该产品采用夹片粘合FlatPower (CFP)封装，包括100多个肖特基整流器和快速恢复整流器。此外，我们还将继续扩展产品组合，始终为客户提供符合其应用的产品。”

第一批4款符合AEC-Q101标准的120V SiGe整流器目前已进入量产阶段。更有8款150V和200V的产品现可提供样片。如需了解SiGe整流器的更多信息（包括产品规格和数据手册），请访问 www.nexperia.com/sige-rectifiers，或直接接洽您的Nexperia联系人。

关于Nexperia

Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

Nexperia：效率致胜。

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符合AEC-Q101标准，适合汽车应用

奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择，导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。

LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。事实证明，该封装的可靠性远高于AEC标准要求，超出关键可靠性测试指标2倍，同时独特的封装结构还提高了板级可靠性。以前只有N沟道器件才采用LFPAK封装。现在，由于工业需求，Nexperia扩展了LFPAK56产品系列，将P沟道器件也囊括在内。

Nexperia产品经理Malte Struck评论道：“新款P沟道MOSFET面向极性反接保护；作为高边开关，用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用。它们也适用于5G基站等工业应用场景。”

采用LFPAK56封装的P沟道MOSFET现已上市。更多信息，包括产品规格和数据手册，请访问 www.nexperia.com/lfpak56

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Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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采用易于使用的封装，适用于可穿戴设备和大批量应用

奈梅亨，2020年4月22日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品，采用超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程，这些新器件提供低导通电阻RDS(on)，与竞争对手产品相比减小了60%以上，它们还具备优良的ESD性能，低至0.7 V的超低VGS电压阈值，这个参数对低驱动电压的便携式产品应用至关重要。

Nexperia产品经理Sandy Wang评论道：“新一代可穿戴设备不断突破消费电子技术的界限。智能手机、智能手表、健身跟踪器和其他创新技术的演进需要微型化MOSFET，用以提供领先的性能和效率，从而实现越来越多的复杂功能。Nexperia拥有很高产能和制造能力，能够进行扩产，以最大限度地满足市场需求。”

采用新型DFN0606封装的九款PMH器件现已上市。有关更多信息，包括产品规格和数据手册，请访问 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/dfn0606-mosfets-e...

关于Nexperia

Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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TrEOS二极管完全支持USB4TM标准；具有低钳位、低电容、低泄露特性，极高的鲁棒性

奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1 pF）；极低钳位电压动态电阻低至0.1 Ω）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能（，最高可达20A 8/20 µs）。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。

Nexperia产品经理Stefan Seider评论道：“为避免信号完整性问题，PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗，在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着，该器件可放置在USB Type-C®连接器后面，用于保护耦合电容，同时仍与USB3.2向后兼容。”

TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势，包括电感极低，可提供快速保护，并且可集成到单片电路中，无需焊线，从而减少了机械应力和热应力。

如需了解新款ESD保护器件PESD2V8R1BSF的更多信息（包括产品规格和数据手册），请访问 www.nexperia.com/USB4protection

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领先的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件

奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家 Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。

GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车或纯电动汽车中使用的牵引逆变器的首选技术。

Nexperia去年推出了一系列已获AEC-Q101认证的GaN FET器件，在这一高效技术领域为汽车设计师们提供成熟可靠的器件及不断扩充的产品组合，从而提供动力系统电气化所需的功率密度。Ricardo在汽车行业深受好评，这家全球性工程创新公司为汽车行业的概念提供设计和咨询服务，包括技术原型和演示器的生产，并与McLaren和Bugatti等著名领先品牌合作。对于该项目，Ricardo是Nexperia理想的合作伙伴。

Nexperia GaN FET器件的总经理Michael LeGoff表示：“通过将GaN FET器件用于逆变器设计并由Ricardo对逆变器进行试验，我们能够更好地了解如何安全可靠地驾驶车辆。我们正在开发一个实际解决方案，相信许多汽车设计师有兴趣了解该解决方案，并发现该解决方案的优势。”

Ricardo技术与产品总监Adrian Greaney称：“半导体技术是逆变器系统效率的关键，在电动汽车性能和效率方面发挥着重要作用。氮化镓可以显著提高开关速度和效率，堪称一项推动性的技术。除了增加行使里程，它还有助于缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量，从而提供更大的动力系统设计灵活性，并有助于减轻车辆重量。从系统层面看，该设计还有许多优势，Ricardo非常高兴能够与Nexperia就GaN FET器件展开合作。”

更多关于符合AEC-Q101标准的Nexperia GaN FET器件及产品组合的信息，请访问www.nexperia.com/gan-fets，并访问https://v.youku.com/v_show/id_XNDU1NDU3MjEzMg==.html?spm=a2hzp.8244740.0.0

观看视频。5月5日至7日，在德国纽伦堡举办的PCIM展览上，设计师将能够在9-541号展台看到新款逆变器，并与Nexperia和Ricardo的专家讨论其特性。

关于Nexperia

Nexperia是分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件的高产能生产专家，其器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia非常注重效率，能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求：年产量高达900亿件。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面已经成为行业基准，拥有业内最小尺寸的封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，安世半导体一直为全球各地的领先企业提供优质的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过11,000名员工。公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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关于Ricardo plc

Ricardo plc是一流的全球性跨行业咨询公司，业务范围涵盖工程、技术、项目创新与战略。我们的员工致力于提供通过重点关注高效率、低排放、领先产品创新和稳健战略实施的优质工程解决方案，从而为客户提供出色的价值。一个世纪以来，我们通过技术实现卓越与价值，客户包括全球主要的运输原始设备制造商、供应链组织、能源公司、金融机构和政府。我们秉承尊重、诚信、创意、创新和热情的企业价值观，帮助客户实现可持续增长和商业成功。Ricardo入选FTSE4Good指数，该指数对展示出强大的环境、社会和治理(ESG)实践的全球公司表示肯定。更多详情，请访问www.ricardo.com。

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同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷

奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。

很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如ORing、热插拔、同步整流、电机控制与电池保护等，以便降低I²R损耗并提高效率。然而，某些具有类似Rdson值的同类器件，由于单元间距缩小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作区指标）及Idmax额定电流需要降额。安世半导体的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高达380A的最大额定电流。该参数对电机控制应用尤为重要，因为电机堵转或失速的瞬间可能在短时间内会导致很大的浪涌电流，而MOSFET必须承受此浪涌才能确保安全可靠的运行。一些竞争对手仅提供计算出的ID(max)，但安世半导体产品实测持续电流能力高达380A。

该器件采用安世半导体LFPAK56封装兼容5×6mm Power-SO8封装，提供高性能铜夹结构，可吸收热应力，从而提高质量和寿命可靠性。

安世半导体的功率MOSFET产品经理Steven Waterhouse表示：“借助我们最新的NextPowerS3 MOSFET，意味着电源工程师现在比以前拥有更多的选择来打造市场领先的产品——电池可以持续更长时间，电机可以提供更大扭矩，服务器可以更加可靠。”

典型应用包括：电池保护；直流无刷（BLDC）电机（全桥，三相拓扑）；ORing服务器电源、热插拔和同步整流。

如需了解新型低RDS(on) MOSFET的更多信息（包括产品规格和数据手册），请访问www.nexperia.com/nextpowers3

关于安世半导体

安世半导体是分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域高产能的生产专家，其器件符合汽车工业的严苛标准。安世半导体非常注重效率，能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求：年产量高达900亿件。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面已经成为行业基准，拥有业内最小尺寸的封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，安世半导体一直为全球各地的领先企业提供优质的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过11,000名员工。公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia，今天宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件。

OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽车工业和技术供应商组成的非营利联盟，他们相互协作，鼓励广泛采用基于以太网的网络作为汽车联网应用的标准。其工作包括制定 IEEE 和其他国际标准。Nexperia 是 OPEN Alliance SIG 的技术成员，并且采用硅技术为 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 以太网开发完全合规的 ESD 防护器件。与压敏电阻等竞争技术相比，硅基 ESD 防护器件可提供更高的保护性能等级（系统级鲁棒性高达 30kV）。

“由于我们是根据 OPEN Alliance 规范设计新器件，因此 Nexperia ESD 防护解决方案 PESD2ETH100-T 和 PESD2ETH1G-T 可与任何 PHY 配合使用。我们的器件可在高数据速率下提供出色的鲁棒性，而不会像其他技术一样出现降级。”应用营销经理 Jan Preibisch 博士评论道。

有关新型 PESD2ETH100-T 和 PESD2ETH1G-T ESD 防护器件的更多信息——包括产品规格和数据表，请访问：

www.nexperia.com/automotive-ethernet-esd-protection

Nexperia 简介

Nexperia 是分立元件、MOSFET元件、模拟及逻辑集成电路元件领域高产能的生产专家，且其元器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia 非常注重效率，且一直持续生产全球每个电子设计所需要的基本半导体元器件：年产量高达900 亿件。其产品在效率（如工艺，尺寸，功率及性能）方面已成为了行业的基准，且有业内最小尺寸的封装技术以节省功耗及空间。
基于其几十年来的经验，Nexperia 一直为全球各地的大型公司提供优质产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过 11,000 名员工。该公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 及 OHSAS 18001 认证。

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针对新型系统保护配置而优化了 USB3.2 SuperSpeed 的全新解决方案

Nexperia 是分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件方面的全球领先供应商。Nexperia 今日宣布：已优化其用于 C 型 USB 接口的 TrEOS ESD 保护二极管系列。新的 USB3.2 标准在 Rx 输入端引用了一个可选电容器，因此 Nexperia 现在推出了两组元件：一组元件在连接器和电容器之间提供极高的浪涌抗扰度，另一组元件则具有极低的触发电压，用于放置在电容器和系统芯片之间。

Nexperia 的 TrEOS ESD 保护技术采用有源硅控整流器，可实现极低电容（低至 0.1pF）、极低的钳位（动态电阻低至 0.1Ω）以及非常高的浪涌和 ESD 脉冲抗扰度（对于非常快速的数据线，最高可达 20A 8/20µs）的最佳组合。接通时间也非常快，约为 0.5ns，器件可承受高达 30kV 的接触放电，超过 IEC 61000-4-2 标准 4 级水平。在 8/20 IEC61000-4-5 标准下，保护装置放置于电容器之前的 TrEOS 应用器件目前可用于业界领先的峰值脉冲电流额定值 9.5、15 和 20A。在电容器之后使用的 TrEOS 器件同样具有业界领先的性能，具有低至 4.3V 的最低触发电压 (Vt1)。这些特性也适用于 A 型 USB 和 MicroUSB 接口。

Nexperia 产品经理 Stefan Seider 表示：“C 型 USB 和 USB Power Delivery 提供的选项非常具有吸引力：为确保最终用户可以享受高达 20Gbps 的数据速度和高达 100W 的充电速度，Nexperia 提供了两种 TrEOS 保护系列，可支持围绕新型 USB3.2 Rx 电容的每一种保护策略，用于防止敏感收发器遭受可能的故障条件影响。”

TrEOS 保护二极管采用广泛使用的 0603 规格进行封装。DSN0603-2 (SOD962-2) 封装非常紧凑且稳健，其优点是没有封装接线，可消除另一种故障模式，并产生最低的电感，以实现最快的保护。该封装非常适合移动和计算应用项目。还提供了其他节省空间的封装。Nexperia 提供了全面的参数化 USB 保护搜索指南（单击此处），以帮助设计人员为其系统配置选择最佳组件。

如需更多信息，请访问：
https://assets.nexperia.com/documents/leaflet/Nexperia_document_leaflet_...

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高效率节省空间和系统成本；对于安全攸关的设计极其可靠。

Nexperia，作为分立、逻辑和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布推出本公司最低Rds(on)的汽车级MOSFET。符合AEC-Q101规范，第9代Trench技术，40 V汽车级超级结 MOSFET 采用了坚固耐用、高电与热效率的LFPAK56E封装，与传统的裸片模块、D2PAK 或 D2PAK-7 器件相比，减少了高达81%的占用空间。这款导通内阻0.9 mΩ，额定直流电流220A的 BUK9J0R9-40H MOSFET 适用于功率高达 1.2 kW 的应用，与之前最佳的解决方案 D2PAK 器件相比，成本更低。

除了降低 RDS(on) ，这款新器件还将直流电流额定值增加到 220 A – 这对于汽车级 Power-SO8 封装尺寸的器件而言尚属首次。它可在较小的占用空间里实现更高的功率密度，这对于需要双冗余电路的安全攸关汽车应用特别有用。超级结技术的使用提供了更高的抗雪崩能力和更大的安全工作区间，改善了在故障情况下应用的性能表现。

产品营销经理 Norman Stapelberg 评论道：“Nexperia 是唯一一家拥有低压超级结 MOSFET 平台的公司。就整体可靠性和性能而言，Nexperia 是市场领导者 - 坚固耐用的 Trench 9 超级结技术与超级强劲的 LFPAK56 和 LFPAK56E 封装相结合，可使工程师放心地将该器件用于其安全攸关设计中。”

LFPAK56 Trench 9 MOSFET 可轻松并联使用于高电流应用。该器件符合各种汽车功能的需要，例如动力转向应用中的电机控制（有刷与无刷）、变速箱控制、ABS防抱死系统、ESC电子稳定控制系统、泵（水、油和燃料）、风扇转速控制、反向电池保护和直流-直流变换器。

在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20180606005969/zh-CN/

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