功率mos管为何会被烧毁?


mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。
mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。
MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?
MOS管中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其输入阻抗高、开关速度快、热稳定性、电压控制电流等特性。IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管。是MOS管与晶体三极管的组合,MOS是作为输入管,而晶体三极管作为输出管。
在电子电路中,MOS 管和 IGBT 管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用 MOS 管?而有些电路用 IGBT 管?
MOSFET的击穿有哪几种?Source、Drain、Gate,场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G,(这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿)。
在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
电源的输入部分,为了防止误操作,将电源的正负极接反,对电路造成损坏,一般会对其进行防护,如采用保险丝,二极管,MOS管等方式,这里就稍微做一下梳理总结。
9、为什么在E-MOSFET的栅-漏转移特性上,随着栅-源电压的增大,首先出现的是饱和区电流、然后才是线性区电流?
【答】E-MOSFET的栅-漏转移特性如图1所示。在栅-源电压VGS小于阈值电压VT时,器件截止(没有沟道),源-漏电流电流很小(称为亚阈电流)。
1. 为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大?而随着温度的升高而下降?
区别:
1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。
2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通。
3.MOS管的温度特性要比三极管好。
MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲。
三极管(BJT)是电流控制器件,MOS是电压控制器件,三极管需要较大的控制电流,很多时候需要逐级放大,而MOS管的栅极电流极小,几乎可以忽略,再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低,所以耗散功率小,效率也更高,所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。
不过MOS管并不是没有缺点的,由于MOS管的栅电容的天然缺点,会影响它的开关速度,同样用途的管子,一般BJT要比MOS的速度更快。
另外MOS管的输入阻抗接近无穷,所以最大程度的分压,用作开关静态时,漏电小,功耗小,可靠。