MOS管

为什么用于开关电源的开关管一般用MOS管而不是三极管

区别:

1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0。

2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通。

3.MOS管的温度特性要比三极管好。

MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲。

三极管(BJT)是电流控制器件,MOS是电压控制器件,三极管需要较大的控制电流,很多时候需要逐级放大,而MOS管的栅极电流极小,几乎可以忽略,再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低,所以耗散功率小,效率也更高,所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。

不过MOS管并不是没有缺点的,由于MOS管的栅电容的天然缺点,会影响它的开关速度,同样用途的管子,一般BJT要比MOS的速度更快。

另外MOS管的输入阻抗接近无穷,所以最大程度的分压,用作开关静态时,漏电小,功耗小,可靠。

功率MOS管的五种损坏模式详解

第一种:雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

三极管和MOS管驱动电路的正确用法

1、三极管和MOS管的基本特性

三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下:

图解功率MOS管的每一个参数!

最大额定参数

最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃)

一文读懂MOS管驱动电路

一、MOS管驱动电路综述

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。

1、MOS管种类和结构

电源设计经验篇:MOS管驱动电路篇

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

MOS管失效的六个原因!

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。

其结构示意图:

MOS管驱动电路的基础总结

详细讲解MOS管驱动电路

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。