GaN

该方案为工程师提供了一个经过验证的高性能起点，旨在大幅缩短研发周期、加速产品上市进程。

本文重点介绍了由LT8418驱动的GaN半桥转换器的关键设计实践。

本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。

本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。

意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

STi2GaN是一款在市场上独一无二的创新产品，在紧凑的高性能解决方案内整合功率级和智能电路，以满足汽车行业在电动化大趋势下的需求。

与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。

德州仪器（TI）今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。