EEPROM

物联网(IoT)没有表现出短暂流行的迹象，预计十年内将会有规律地出现越来越多相互联接的事物。这不足为奇，因为我们不断想象寻找利用技术去做事的新方法，并开发新旧技术的全新应用。而每个新应用都会向网络添加许多端点，使IoT日益变大。

在 tinyAVR® 1 系列器件上，与之前的 tinyAVR 器件相比，对闪存存储器和 EEPROM 的访问方式有所改变。这意味着，必须修改用于在旧款器件上写入闪存和 EEPROM 的现有代码，才能使其在 tinyAVR 1 系列器件上正常运行。

<strong>EEPROM & EPROM</strong>

EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。

EPROM是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除，通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。

<strong>EEPROM和EPROM的发展历程不同</strong>

在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM中，ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM。

FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。

在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。

<strong>1、EEPROM介绍</strong>

Electrically Erasable Programmable Read Only Memory 电气可拭除可编程只读存储器

发展过程：ROM – &gt; PROM –&gt; EPROM –&gt; EEPROM

<strong>2、EEPROM和FLASH的区别</strong>

2.1 使用上的区别

&nbsp; • &nbsp;FLASH用于存放程序，在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到FLASH中的；
&nbsp; • &nbsp;RAM用作程序运行时的数据存储器；
&nbsp; • &nbsp;EEPROM用于存放数据，是用来保存掉电后用户不希望丢的数据，开机时用到的参数。运行过程中可以改变。

串行EEPROM 应该是一种很可靠的设备，但在我的使用中，经常会出现数据出错的情况，毛主席老人家说：知己知比，方能百战不败!是什么原因呢？其实这种情况多发生在插拔电的情况下。

让我们来瞧瞧：

1. EEPROM 读写的时序可能有小小的不对

2. 是在掉电时，在电压降低到一定程度后到完全没电之间的一段时间内，在MCU与EEPROM 的读写信号线上出现非控制的快速随机电平，这些电平可能会组合出一些被EEPROM 认为合法的写命令，结果将EEPROM 中的值修改掉了;

3. 在上电的复位期间，I/O 脚上电平未定，也可能随机组合出一些写命令;

4. 在读EEPROM 操作过程中，出现了复位(如充电复位)等，形成类似于(二)的情况;

5. 在电压降低后，可能会出现MCU 跑飞了，结果运行到了写EEPROM 的底层驱动程序中，强来将数据写入了进去!嘿嘿!让我们尝尝强扭的瓜不甜!

对待敌人可不能手软，怎样扼杀他们在萌芽状态！看我的绝招：

1. 摆阔气：按Datasheet 上的时序，发现多数时候读写正确，但有时偶尔不对，这时可以降低读写的速度，多几个NOP，不要太小气吗?咱们度量(ROM)还是能容的下的!

常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash。存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。

在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器，FLASH主要是程序存储器，EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据。

<strong>FLASH：</strong>单片机运行的程序存储的地方。

<strong>SRAM：</strong>存储单片机运行过程中产生的了临时数据。

<strong>EEPROM：</strong>视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。

单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。

插播一段：ROM最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片。随着不断改进，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改ROM中的内容了。

EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。

狭义的EEPROM：

<font color="#FD8900">AT21CS11存储器芯片的扩展电压范围特性可适应锂离子电池应用</font>

Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）日前宣布推出具有2.7V至4.5V工作电压范围的单线双引脚电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）芯片。AT21CS11非常适合用于识别和认证管壳或者电缆等电子元件空间受限的远端装置。

每片AT21CS11包含一个预编程的唯一序列号和五个EEPROM存储区。任意或者全部存储区都可以由终端设备制造商永久锁定，以便跟踪产品和识别附件，以协助进行防伪。EEPROM对于那些需要对产品进行质保或者防止假冒产品的客户来说是理想的选择，支持通过授权的替代品保证其系统持续运行。

AT21CS11是Microchip的第二代单线EEPROM芯片。新器件的工作电压扩展到了4.5V，适用于一次性医疗器械和电子香烟等锂电池供电设备。

作者：叶子

FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同

FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。

至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。

没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。