EEPROM

串行EEPROM 应该是一种很可靠的设备,但在我的使用中,经常会出现数据出错的情况,毛主席老人家说:知己知比,方能百战不败!是什么原因呢?其实这种情况多发生在插拔电的情况下。

让我们来瞧瞧:

1. EEPROM 读写的时序可能有小小的不对

2. 是在掉电时,在电压降低到一定程度后到完全没电之间的一段时间内,在MCU与EEPROM 的读写信号线上出现非控制的快速随机电平,这些电平可能会组合出一些被EEPROM 认为合法的写命令,结果将EEPROM 中的值修改掉了;

3. 在上电的复位期间,I/O 脚上电平未定,也可能随机组合出一些写命令;

4. 在读EEPROM 操作过程中,出现了复位(如充电复位)等,形成类似于(二)的情况;

5. 在电压降低后,可能会出现MCU 跑飞了,结果运行到了写EEPROM 的底层驱动程序中,强来将数据写入了进去!嘿嘿!让我们尝尝强扭的瓜不甜!

对待敌人可不能手软,怎样扼杀他们在萌芽状态!看我的绝招:

1. 摆阔气:按Datasheet 上的时序,发现多数时候读写正确,但有时偶尔不对,这时可以降低读写的速度,多几个NOP,不要太小气吗?咱们度量(ROM)还是能容的下的!

2. 避风头:为防止读EEPROM 的过程中出现复位,我们可以在MCU 复位后200ms 内禁止读写EEPROM,因充电引起的复位抖动,一般在数十毫秒内,过了这段时间,再出现复位的可能性不大,

3. 查证件:在写EEPROM 的底层驱动程序中,在执行写动作时,判断一下某些标志,有良名证的才能通过,否则,只好打回原籍(跳到复位地址)

4. 多买保险(3份最佳)以自救:对于重要的数据(如通信密码、参数设置等,这些部分信息量不大,我们要采用三次备份的手段。这些信息存放在三个不同的PAGE 内,最好PAGE 内的地址也不一样。在我们写这些数据时,要针对不同的地址写三次,而读时,对于三处读来的数据,如果全相同,没什么可说的了,如果有两个相同,一个不同,则使用大数判决,使用相同的那个值,并将这个数值写到不同的那个地址去。当然,如果三个值全不同,只好随便取一个(如第一个),再将其写入另两个地址中去。这种方法非常有效,因为一般误擦除不会是全部数据,而只是某一处而已,我们可以允许EEPROM 某单元被误擦除,只要读了一次,就恢复了。

来源:http://www.cnblogs.com/zhangjincheng/p/4437039.html

围观 373

常见存储器概念:RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash。存储器可以分为很多种类,其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器),其中RAM的访问速度比较快,但掉电后数据会丢失,而ROM掉电后数据不会丢失。

在单片机中,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据。

FLASH:单片机运行的程序存储的地方。

SRAM:存储单片机运行过程中产生的了临时数据。

EEPROM:视用户的需要而定,一般用来存储系统的一些参数,这些参数可能需要修改,也可能不会修改。

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。另外,一些变量,都是放到RAM里的,一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面,都是放到FLASH区里的(也就是以前说的ROM区),EEPROM可用可不用,主要是存一些运行中的数据,掉电后且不丢失

RAM 又可分为SRAM(Static RAM/静态存储器)和DRAM(Dynamic RAM/动态存储器)。SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的,只要不掉电,信息是不会丢失的。DRAM是利用MOS(金属氧化物半导体)电容存储电荷来储存信息,因此必须通过不停的给电容充电来维持信息,所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。 SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。

内存工作原理:内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的连续性。

而通常人们所说的SDRAM 是DRAM 的一种,它是同步动态存储器,利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现,还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。

ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。

Flash也是一种非易失性存储器(掉电不会丢失),它擦写方便,访问速度快,已大大取代了传统的EPROM的地位。由于它具有和ROM一样掉电不会丢失的特性,因此很多人称其为Flash ROM。FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U 盘)。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一快的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

转自: http://www.cnblogs.com/yuandongtao1989/p/6674276.html

围观 551

单片机运行时的数据都存在于RAM(随机存储器)中,在掉电后RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。

插播一段:ROM最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活。后来出现了PROM,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片。随着不断改进,终于出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外灯下照半小时,然后才能再下一次,这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进,伟大的EEPROM出现了,拯救了一大批程序员,终于可以随意的修改ROM中的内容了。

EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种,变成了一类存储器的统称。

狭义的EEPROM:

这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM,掉电后数据不丢失,可以保存100年,可以擦写100w次。具有较高的可靠性,但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的,绝少有超过512K的。

Flash:

Flash属于广义的EEPROM,因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它Flash。

既然两者差不多,为什么单片机中还要既有Flash又有EEPROM呢?

通常,单片机里的Flash都用于存放运行代码,在运行过程中不能改;EEPROM是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12:00,后来在运行中改为6:00,这是保存在EEPROM里,不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到6:00。

但最大区别是其实是:FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。

在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构,甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。

EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义,属EEPROM无疑,首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM,现在的多数Flash手册上也是这么标明的,二者的关系是“白马”和“马”。至于为什么业界要区分二者,主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和传统EEPROM截然不同,次要的原因是为了语言的简练,非正式文件和口语中Flash EEPROM就简称为Flash,这里要强调的是白马的“白”属性而非其“马”属性以区别Flash和传统EEPROM。

Flash的特点是结构简单,同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量下的操作速度更快,但缺点是操作过程麻烦,特别是在小数据量反复重写时,所以在MCU中Flash结构适于不需频繁改写的程序存储器。

很多应用中,需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失,传统结构的EEPROM在此非常适合,所以很多MCU内部设计了两种EEPROM结构,FLASH的和传统的以期获得成本和功能的均衡,这极大的方便了使用者。随着ISP、IAP的流行,特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间重叠的MCU系中,现在越来越多的MCU生产商用支持IAP的程序存储器来模拟EEPROM对应的数据存储器,这是低成本下实现非易失数据存储器的一种变通方法。为在商业宣传上取得和双EEPROM工艺的“等效”性,不少采用Flash程序存储器“模拟”(注意,技术概念上并非真正的模拟)EEPROM数据存储器的厂家纷纷宣称其产品是带EEPROM的,严格说,这是非常不严谨的,但商人有商人的目的和方法,用Flash“模拟”EEPROM可以获取更大商业利益,所以在事实上,技术概念混淆的始作俑者正是他们。

从成本上讲,用Flash“模拟”EEPROM是合算的,反之不会有人干,用EEPROM模拟Flash是怎么回事呢?这可能出在某些程序存储空间和数据存储空间连续的MCU上。这类MCU中特别是存储容量不大的低端MCU依然采用EEPROM作为非易失存储器,这在成本上反而比采用Flash和传统EEPROM双工艺的设计更低,但这种现象仅仅限于小容量前提下。因Flash工艺的流行,现在很多商人和不够严谨的技术人员将程序存储器称为Flash,对于那些仅采用传统EEPROM工艺的MCU而言,他们不求甚解,故而错误的将EEPROM程序存储器称为“ 模拟Flash”,根本的原因是他们未理解Flash只是一种存储器结构而非存储器的用途,错误的前提自然导致错误的结论。商业上讲,用EEPROM模拟 Flash是不会有人真去做的愚蠢行为,这违背商业追求最大利益的原则,技术上也不可行,而对于技术人员而言。本质的问题是Flash是一种存储器类型而非MCU中的程序存储器,即使MCU的程序存储器用的是Flash,但其逆命题不成立。

转自: 自由石匠

围观 1170

AT21CS11存储器芯片的扩展电压范围特性可适应锂离子电池应用

Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)日前宣布推出具有2.7V至4.5V工作电压范围的单线双引脚电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)芯片。AT21CS11非常适合用于识别和认证管壳或者电缆等电子元件空间受限的远端装置。

每片AT21CS11包含一个预编程的唯一序列号和五个EEPROM存储区。任意或者全部存储区都可以由终端设备制造商永久锁定,以便跟踪产品和识别附件,以协助进行防伪。EEPROM对于那些需要对产品进行质保或者防止假冒产品的客户来说是理想的选择,支持通过授权的替代品保证其系统持续运行。

AT21CS11是Microchip的第二代单线EEPROM芯片。新器件的工作电压扩展到了4.5V,适用于一次性医疗器械和电子香烟等锂电池供电设备。

新器件通过一条单输入/输出(SI/O)线连接到系统,这条线既是器件的通信线又是电源线。只需要一条导线和一条地线,光纤到户(FTTH)电缆终端制造商便能够为不同类型的电缆添加关键电缆特性参数。SI/O线还能实现一个简单的两点机械卡入式或者扭转式连接器,适用于无法采用较大的3线、5线和8线解决方案的一次性设备。

将EEPROM固定在可拆卸的电缆或者管壳中,制造商可以制造出易于识别或者认证的附件。该器件具有1Kbit的EEPROM存储器(四个扇区,每个256位),一个64位列号,还有128位用于额外的用户可编程跟踪存储区。额外的存储区使设计人员能够在远离主要电子设备的地方添加唯一的标识和操作参数,例如消耗和使用信息等。

Microchip存储器产品部副总裁Randy Drwinga表示:“Microchip是所有串行和并行接口EEPROM的市场领导者。我们产品线的单线型号支持客户通过最简单的连接为远端设备添加EEPROM智能功能。”

关于AT21CS11更详细的信息,请访问: www.microchip.com/at21cs11

供货

AT21CS11现在提供样片,各种封装的芯片10,000片起可批量供货。还提供AT21CS01/AT21CS11单线评估工具包(部件编号 DM160232)。

如果需要了解详细信息,请联系Microchip销售代表或者全球授权分销商,也可以访问Microchip网站。如果需要购买文中提及的产品,请访问Microchip使用方便的在线销售渠道 microchipDIRECT,也可以联系Microchip的授权分销合作伙伴。

围观 292

作者:叶子

FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同

FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。

至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话,那是连基本概念都不对,只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计,就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中,FLASH和EEPROM不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同,不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上,程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构,甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。

没有严谨的工作精神,根本无法成为真正的技术高手。

EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,Flash的操作特性完全符合EEPROM的定义,属EEPROM无疑,首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM,现在的多数Flash手册上也是这么标明的,二者的关系是“白马”和“马”。至于为什么业界要区分二者,主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和传统EEPROM截然不同,次要的原因是为了语言的简练,非正式文件和口语中Flash EEPROM就简称为Flash,这里要强调的是白马的“白”属性而非其“马”属性以区别Flash和传统EEPROM。

Flash的特点是结构简单,同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量下的操作速度更快,但缺点是操作过程麻烦,特别是在小数据量反复重写时,所以在MCU中Flash结构适于不需频繁改写的程序存储器。

在很多应用中,需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失,传统结构的EEPROM在此非常适合,所以很多MCU内部设计了两种EEPROM结构,FLASH的和传统的以期获得成本和功能的均衡,这极大的方便了使用者。随着ISP、IAP的流行,特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间重叠的MCU系中,现在越来越多的MCU生产商用支持IAP的程序存储器来模拟EEPROM对应的数据存储器,这是低成本下实现非易失数据存储器的一种变通方法。为在商业宣传上取得和双EEPROM工艺的“等效”性,不少采用Flash程序存储器“模拟”(注意,技术概念上并非真正的模拟)EEPROM数据存储器的厂家纷纷宣称其产品是带EEPROM的,严格说,这是非常不严谨的,但商人有商人的目的和方法,用Flash“模拟”EEPROM可以获取更大商业利益,所以在事实上,技术概念混淆的始作俑者正是他们。

从成本上讲,用Flash“模拟”EEPROM是合算的,反之不会有人干,那么那位“总工”和楼上某网友所说的用EEPROM模拟Flash是怎么回事呢?这可能出在某些程序存储空间和数据存储空间连续的MCU上。这类MCU中特别是存储容量不大的低端MCU依然采用EEPROM作为非易失存储器,这在成本上反而比采用Flash和传统EEPROM双工艺的设计更低,但这种现象仅仅限于小容量前提下。因Flash工艺的流行,现在很多商人和不够严谨的技术人员将程序存储器称为Flash,对于那些仅采用传统EEPROM工艺的MCU而言,他们不求甚解,故而错误的将EEPROM程序存储器称为“ 模拟Flash”,根本的原因是他们未理解Flash只是一种存储器结构而非存储器的用途,错误的前提自然导致错误的结论。商业上讲,用EEPROM模拟 Flash是不会有人真去做的愚蠢行为,这违背商业追求最大利益的原则,技术上也不可行,而对于技术人员而言,尤其是IC业内的“总工”如果再这么讲那只能说明他或她要么根本不了解相关技术细节,要么非常不严谨,这都不符合“总工”的身份。本质的问题是Flash是一种存储器类型而非MCU中的程序存储器,即使MCU的程序存储器用的是Flash,但其逆命题不成立。

在此写此文,一方面是要澄清技术概念,另一方面更是不想令错误的说法误人子弟,搞技术也需要严谨的科学精神。

28系列是最早的EEPROM,28F则是最早的Flash,甚至Flash一词是Intel在1980S为推广其28F系列起的“广告名”,取其意“快”,仅此而已。当年的Flash不比传统EEPROM容量更大只是容量起点稍高。至于现在的手册中有无EEPROM字样并不重要,非要“较枝”的话,看看内容有无“电可擦除”存储器的说法,至少我随手打开SST的Flash手册上都写的很清楚,不过这些根本就是无意义的皮毛,典型的白马非马论。

至于AVR的地址连续问题是我随手之误,应指68HC系列,但即使如此,就算我没有用过包括AVR在内的任何MCU也跟Flash的性质毫无关系。

来源:电子发烧友

(直接点击图片可进入调查页面)

开发板测评图片
围观 308

名称:IIC协议 EEPROM24c02 通过串口通信存数读取数据

内容:此程序用于检测EEPROM性能,测试方法如下:写入24c02一个数据,然后在内存中改变这些数据, 掉电后主内存将失去这些信息,然后从24c02中调入这些数据。看是否与写入的相同。

电脑通过串口发送一个十六进制的数据到单片机,存储进24c02,要求断电重启后在数码管上显示上一次发送的数据。

(本例是1us机器周期,即晶振频率要小于12MHZ)

[cpp] view plain copy
#include //头文件的包含
#include

#define _Nop() _nop_() //定义空指令
#define DataPort P0
sbit WEI=P2^7;
sbit DUAN=P2^6;
// 常,变量定义区
unsigned char code dofly_DuanMa[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,
0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71,0x40,0x00};// 显示段码值0~F,-,全空
unsigned char code dofly_WeiMa[]={0xfe,0xfd,0xfb,0xf7,0xef,0xdf,0xbf,0x7f};//分别对应相应的数码管点亮,即位码

unsigned char TempData[8];

sbit SDA=P2^1; //模拟I2C数据传送位
sbit SCL=P2^0; //模拟I2C时钟控制位

bit ack; //应答标志位

unsigned char res;
void DelayUs2x(unsigned char t);//函数声明
void DelayMs(unsigned char t);

void Delay(unsigned int t)
{
while(t--);
}

void InitUART(void)
{
SCON=0x50;
TMOD|=0x20;
TH1=0xFD;
TR1=1;
EA=1;
}

void DelayUs2x(unsigned char t)
{
while(--t);
}

void DelayMs(unsigned char t)
{

while(t--)
{
//大致延时1mS
DelayUs2x(245);
DelayUs2x(245);
}
}

void Display(unsigned char FirstBit,unsigned char Num)
{
unsigned char i;
for(i=0;i {
DataPort=0; //清空数据,防止有交替重影
DUAN=1; //段锁存
DUAN=0;

DataPort=dofly_WeiMa[i+FirstBit]; //取位码
WEI=1; //位锁存
WEI=0;

DataPort=TempData[i]; //取显示数据,段码
DUAN=1; //段锁存
DUAN=0;

Delay(200); // 扫描间隙延时,时间太长会闪烁,
//太短会造成重影

}
}

/*------------------------------------------------
启动总线
------------------------------------------------*/
void Start_I2c()
{
SDA=1; //发送起始条件的数据信号
_Nop();
SCL=1;
_Nop(); //起始条件建立时间大于4.7us,延时
_Nop();
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SDA=0; //发送起始信号
_Nop(); //起始条件锁定时间大于4μ
_Nop();
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SCL=0; //钳住I2C总线,准备发送或接收数据
_Nop();
_Nop();
}
/*------------------------------------------------
结束总线
------------------------------------------------*/
void Stop_I2c()
{
SDA=0; //发送结束条件的数据信号
_Nop(); //发送结束条件的时钟信号
SCL=1; //结束条件建立时间大于4μ
_Nop();
_Nop();
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SDA=1; //发送I2C总线结束信号
_Nop();
_Nop();
_Nop();
_Nop();
}

void SendByte(unsigned char c)
{
unsigned char BitCnt;

for(BitCnt=0;BitCnt<8;BitCnt++) //要传送的数据长度为8位
{
if((c< else SDA=0;
_Nop();
SCL=1; //置时钟线为高,通知被控器开始接收数据位
_Nop();
_Nop(); //保证时钟高电平周期大于4μ
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SCL=0;
}

_Nop();
_Nop();
SDA=1; //8位发送完后释放数据线,准备接收应答位
_Nop();
_Nop();
SCL=1;
_Nop();
_Nop();
_Nop();
if(SDA==1)ack=0;
else ack=1; //判断是否接收到应答信号
SCL=0;
_Nop();
_Nop();
}

unsigned char RcvByte()
{
unsigned char retc;
unsigned char BitCnt;

retc=0;
SDA=1; //置数据线为输入方式
for(BitCnt=0;BitCnt<8;BitCnt++)
{
_Nop();
SCL=0; //置时钟线为低,准备接收数据位
_Nop();
_Nop(); //时钟低电平周期大于4.7us
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SCL=1; //置时钟线为高使数据线上数据有效
_Nop();
_Nop();
retc=retc<<1;
if(SDA==1)retc=retc+1; //读数据位,接收的数据位放入retc中
_Nop();
_Nop();
}
SCL=0;
_Nop();
_Nop();
return(retc);
}

/*----------------------------------------------------------------
应答子函数
原型: void Ack_I2c(void);

----------------------------------------------------------------*/
void Ack_I2c(void)
{

SDA=0;
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SCL=1;
_Nop();
_Nop(); //时钟低电平周期大于4μ
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SCL=0; //清时钟线,钳住I2C总线以便继续接收
_Nop();
_Nop();
}
/*----------------------------------------------------------------
非应答子函数
原型: void NoAck_I2c(void);

----------------------------------------------------------------*/
void NoAck_I2c(void)
{

SDA=1;
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SCL=1;
_Nop();
_Nop(); //时钟低电平周期大于4μ
_Nop();
_Nop();
_Nop();
SCL=0; //清时钟线,钳住I2C总线以便继续接收
_Nop();
_Nop();
}

/*----------------------------------------------------------------
向无子地址器件发送字节数据函数
函数原型: bit ISendByte(unsigned char sla,ucahr c);
功能: 从启动总线到发送地址,数据,结束总线的全过程,从器件地址sla.
如果返回1表示操作成功,否则操作有误。
注意: 使用前必须已结束总线。
----------------------------------------------------------------*/
/*bit ISendByte(unsigned char sla,unsigned char c)
{
Start_I2c(); //启动总线
SendByte(sla); //发送器件地址
if(ack==0)return(0);
SendByte(c); //发送数据
if(ack==0)return(0);
Stop_I2c(); //结束总线
return(1);
}
*/

/*----------------------------------------------------------------
向有子地址器件发送多字节数据函数
函数原型: bit ISendStr(unsigned char sla,unsigned char suba,ucahr *s,unsigned char no);
功能: 从启动总线到发送地址,子地址,数据,结束总线的全过程,从器件
地址sla,子地址suba,发送内容是s指向的内容,发送no个字节。
如果返回1表示操作成功,否则操作有误。
注意: 使用前必须已结束总线。
----------------------------------------------------------------*/
bit ISendStr(unsigned char sla,unsigned char suba,unsigned char *s,unsigned char no)
{
unsigned char i;

Start_I2c(); //启动总线
SendByte(sla); //发送器件地址
if(ack==0)return(0);
SendByte(suba); //发送器件子地址
if(ack==0)return(0);

for(i=0;i {
SendByte(*s); //发送数据
if(ack==0)return(0);
s++;
}
Stop_I2c(); //结束总线
return(1);
}

/*----------------------------------------------------------------
向无子地址器件读字节数据函数
函数原型: bit IRcvByte(unsigned char sla,ucahr *c);
功能: 从启动总线到发送地址,读数据,结束总线的全过程,从器件地
址sla,返回值在c.
如果返回1表示操作成功,否则操作有误。
注意: 使用前必须已结束总线。
----------------------------------------------------------------*/
/*bit IRcvByte(unsigned char sla,unsigned char *c)
{
Start_I2c(); //启动总线
SendByte(sla+1); //发送器件地址
if(ack==0)return(0);
*c=RcvByte(); //读取数据
NoAck_I2c(); //发送非就答位
Stop_I2c(); //结束总线
return(1);
}

*/
/*----------------------------------------------------------------
向有子地址器件读取多字节数据函数
函数原型: bit ISendStr(unsigned char sla,unsigned char suba,ucahr *s,unsigned char no);
功能: 从启动总线到发送地址,子地址,读数据,结束总线的全过程,从器件
地址sla,子地址suba,读出的内容放入s指向的存储区,读no个字节。
如果返回1表示操作成功,否则操作有误。
注意: 使用前必须已结束总线。
----------------------------------------------------------------*/
bit IRcvStr(unsigned char sla,unsigned char suba,unsigned char *s,unsigned char no)
{
unsigned char i;

Start_I2c(); //启动总线
SendByte(sla); //发送器件地址
if(ack==0)return(0);
SendByte(suba); //发送器件子地址
if(ack==0)return(0);

Start_I2c();
SendByte(sla+1);
if(ack==0)return(0);

for(i=0;i {
*s=RcvByte(); //发送数据
Ack_I2c(); //发送就答位
s++;
}
*s=RcvByte();
NoAck_I2c(); //发送非应位
Stop_I2c(); //结束总线
return(1);
}
/*------------------------------------------------
主函数
------------------------------------------------*/
void main()
{
unsigned char doflye; // 定义临时变量
unsigned char i;

IRcvStr(0xae,4,&doflye,1); //调用存储数据
TempData[0]=dofly_DuanMa[doflye/16];
TempData[1]=dofly_DuanMa[doflye%16];

InitUART();
ES=1;

while(1)
{
Display(0,2);
doflye=res;
ISendStr(0xae,4,&doflye,1); //写入24c02

}
}

void UART_SER(void) interrupt 4
{
unsigned char Temp;
// unsigned char i;
if(RI)
{
RI=0;
Temp=SBUF;
res=Temp;
TempData[0]=dofly_DuanMa[Temp/16];
TempData[1]=dofly_DuanMa[Temp%16];
}
if(TI)
TI=0;
}

文章来源:NK_test的博客 

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