EEPROM（Electrically Erasable Programmable readonly memory）是指带电可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。

中颖Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用来存放用户数据。EEROM大小可以通过option（代码选项）选择0~4K不等。EEPROM按照扇区进行划分，每个扇区的大小512字节（较早的产品，每个扇区大小256字节），最多支持8个扇区。

中颖的EEPROM编程/擦除次数：至少100000次

中颖的EEPROM数据保存年限：至少10年

中颖EEPROM的操作原则：

1、必须关闭所有中断

如果在操作EEPROM期间，不关闭中断，可能会导致程序跑飞或者其它异常情况；中颖MCU要求对于EEPROM的擦除和编程，需要按照规定关闭所有中断(EA=0)，等到编程完成后再打开中断。

2、如何访问EEPROM

中颖芯片对于EEPROM的读、擦和写都是通过寄存器FLASHCON的FAC位置1来操作。当FAC=0时，MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域;当FAC=1时，MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区。

3、操作EEPROM前，清WDT

在对EEPROM的操作前，清WDT,保证操作期间不溢出

4、抗干扰

同时，为了抗干扰，防止误操作，EEPROM编程可以参考如下例程：

uchar ssp_flag；
voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇区擦除
{
    ssp_flag= 0xA5;
    _push_(IEN0);//中断控制压栈
    IEN0&=0x7F;//关总中断            
    FLASHCON = 0x01;  //访问EEPROM区
    RSTSTAT = 0;    //清WDT                               
    XPAGE= nAddrH<<1 ;                         
    
    IB_CON1   = 0xE6;           
    IB_CON2   = 0x05;         
    IB_CON3   = 0x0A;         
    IB_CON4   = 0x09;          
    if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判断，增强抗干扰                   
        goto Error;         
    IB_CON5   = 0x06;         
    _nop_();                                       
    _nop_();         
    _nop_();         
    _nop_();  
Error:         
    
    ssp_flag= 0;         
    IB_CON1= 0x00;         
    IB_CON2= 0x00;         
    IB_CON3= 0x00;         
    IB_CON4= 0x00;         
    IB_CON5= 0x00;                 
    
    FLASHCON= 0x00;//切回FLASH区    
    _pop_(IEN0);//恢复总中断
} 
    
voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData)  
// 扇区编程
{         
    ssp_flag= 0x5A;    
    _push_(IEN0); //中断控制压栈    
    IEN0&=0x7F;//关总中断              
    FLASHCON= 0x01; //访问EEPROM区         
    RSTSTAT = 0;    //清WDT         
    XPAGE= nAddrH; 
    IB_OFFSET= nAddrL;         
    IB_DATA= nData;  // 烧写内容   
           
    IB_CON1   = 0x6E;         
    IB_CON2   = 0x05;         
    IB_CON3   = 0x0A;         
    IB_CON4   = 0x09;          
    
    if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判断，增强抗干扰       
        goto Error;         
    IB_CON5   = 0x06;         
    _nop_();                  
    _nop_();         
    _nop_();         
    _nop_();
Error:         
    ssp_flag= 0;         
    IB_CON1= 0x00;         
    IB_CON2= 0x00;         
    IB_CON3= 0x00;         
    IB_CON4= 0x00;         
    IB_CON5= 0x00;            

    FLASHCON= 0x00; //切回FLASH区    
    _pop_(IEN0); //恢复总中断

1、概述

ME32x系列是内嵌ARM Cortex™ M0/M3核的32位微控制器。该系列控制器由敏矽微电子有限公司自主开发，并具有自主知识产权。敏矽微电子的微控制器包括有通用MCU和专用SOC系列，具有非常高的性价比，是MCU产品升级换代和国外产品替代的最佳选择。通用功能有高精度ADC，CAN接口，I2S音频接口，UART串口，SPI接口，I2C总线接口，看门狗定时器（WDT），通用计数器/定时器。特殊接口包括人机界面控制器（LCD驱动，电容触摸按键）和马达控制功能模块。

EEPROM作为比较廉价和方便数据存储器，被广泛使用并且习惯思维。而MCU Flash与EEPROM相比，除使用方法略有差异外，作为数据存储器，所起的效果是一样的。

2、MCU Flash与EEPROM使用比较

3、使用MCU Flash 存储数据举例

以ME32S003系列为例，下面说明如何使用MCU Flash 存储小量的数据(注意，本例重点在探讨实现的一个思路，程序调试请用户自行解决)。

ME32S003系列有32K Flash，我们拿出1K, 即两个扇区来存储数据，在这里约定一个数据存储单元为64 Bytes（包括标志）。

两个扇区有16个存储单元，换句话说，可以存储10万x 16 =160 次数据，远远超过EEPROM的寿命。

所有需要存储数据放在一个数据结构中，方便存储和提取数据：

#defineDATA_AREA_ADDRESS 62*512 //数据扇区起始地址
#defineDATA_AREA_SIZE 2*512 //两个扇区大小
#defineDATA_UINT_SIZE 64 //每一个存储单元大小，一定要整除扇区大小（512）
#defineDATA_UINT_FLAG 0x5555AAAA
typedef struct {
uint32_t flag;
uint32_t data1;
…
} data_uint_type;
voidflash_erase(uint32_t startaddr, uint32_t size)
{
uint32_t endaddr;
endaddr=startaddr+size;
     //erase sector
     while(startaddr<endaddr)
     {
              FMC->ADDR = startaddr; // setup addr
              FMC->CMD = 0x04; //Triggerprogramming
              while ((FMC->CMD &0x100)!=0);
              startaddr+=512;
     }
return;  
}
uint8_t flash_word_program(uint32_taddr, uint32_t worddata) //返回一个非0的数据当错误发生时
{
     //program word
              FMC->ADDR = addr; // set upaddr     
              FMC->DATA =worddata;
              FMC->CMD = 0x02; //Triggerprogramming
              while ((FMC->CMD &0x100)!=0);
              if (*(uint32_t *)addr== worddata)
      return 0;
else
      return 1;
}
data_uint_type* data_area_init(void)//返回一个指向数据单元的指针，空指针表示没有数据
{
data_uint_type* ptr;
ptr=get_last_data_uint_ptr();
if (((uint32_t) ptr==DATA_AREA_ADDRESS)&&(ptr->flag!==DATA_UINT_FLAG))
{
flash_erase(DATA_AREA_ADDRESS,DATA_AREA_SIZE);
ptr= null;
}
}
data_uint_type* get_last_data_uint_ptr(void)//返回一个指向数据单元的指针
{
uint32_tstartuintaddr,enduintaddr,temp;
startuintaddr= DATA_AREA_ADDRESS/DATA_UINT_SIZE;
enduintaddr= startuintaddr+DATA_AREA_SIZE/ DATA_UINT_SIZE-1;
while(startuintaddr!=enduintaddr)
{
              temp= (startuintaddr+ enduintaddr)>1;
              if ((data_uint_type*)(temp* DATA_UINT_SIZE)->flag==DATA_UINT_FLAG)
                       startuintaddr= temp;          
else
                enduintaddr= temp
}
startuintaddr =startuintaddr * DATA_UINT_SIZE;
if (((data_uint_type*)startuintaddr)->flag!=DATA_UINT_FLAG)
return (data_uint_type*) 0;
else
                {
                        If (startuintaddr< (DATA_AREA_ADDRESS+DATA_AREA_SIZE))
                                 {
                                          If  (((data_uint_type*)(startuintaddr+ DATA_UINT_SIZE)->flag==DATA_UINT_FLAG)
                                          return(data_uint_type*)(startuintaddr+ DATA_UINT_SIZE) ;
}else
return (data_uint_type*)(startuintaddr) ;
}
}
uint8_tstore_data_uint(data_uint_type* sur_data_ptr, data_uint_type* dst_data_ptr) //返回一个非0的数据当错误发生时
{
     uint32_t n,temp0,temp1,temp2,*dataptr;
     temp1= sizeof(data_uint_type) >>2;
if((temp1<<2)!= sizeof(data_uint_type))
     temp1++;
     temp2=(uint32_t) dst_data_ptr;
     dataptr=(uint32_t *) sur_data_ptr;
     //erase sector
     if ((DATA_AREA_ADDRESS==temp2)&&(dst_data_ptr->flag==DATA_UINT_FLAG))
     {
              flash_erase(DATA_AREA_ADDRESS, DATA_AREA_SIZE);//erase whole data sectors
     }
     for (n=0;n<temp1;n++)
     {
              if (flash_word_program(temp2, *dataptr++))
      return 1;
              temp2 +=4;
     }
return 0;
}

系统启动时，先调用data_area_init()函数，返回当前数据单元指针，你可以使用memory copy 复制数据到你的程序中。如果是空指针，你需要对你的数据赋予初值，并把它存储到数据区。

全局变量：

data_uint_typemydata;
data_uint_type * dataptr;
main(void)
{
…
dataptr=data_area_init();//初始化
if((uint32_t)dataptr==0) //空指针
{
//对mydata赋予初值
…
//存储数据到Flash 数据区
data_ptr =(data_uint_type *) DATA_AREA_ADDRESS;
store_data_uint(&mydata,data_ptr);
}
…
//任何时候，调用store_data_uint()把mydata数据存储到Flash
data_ptr++;
if ((uint32_t)data_ptr==DATA_AREA_ADDRESS)
data_ptr =(data_uint_type *) DATA_AREA_ADDRESS;
store_data_uint(&mydata,data_ptr);
…
//data_ptr永远指向当前Flash 数据
…
}

注意事项：

由于mydata的地址是编译器自动设定的，如果发生mydata地址不是word对齐地址，需要手动设置。总之，要确保mydata地址是word对齐的。

4、Revision History

简介

Microchip对其产品线进行了扩展，其中包括大量具有良好性价比但不具有内部数据 EEPROM 的 PIC^® 单片机 （MCU）。

许多应用使用表读和表写操作将非易失性信息存储到闪存程序存储器中。然而，那些需要频繁更新这些数据的应用场合对 MCU/ 数字信号控制器 （Digital Signal Controller，DSC）器件耐用性的要求可能比闪存存储器更高。

有一种解决方法是选择使用外部串行 EEPROM。不过这对于那些成本敏感或受引脚限制的应用来说可能也并不适用。

该应用笔记介绍用于解决上述问题的第三种选择。这种算法的特点是采用一个类似于内部数据 EPROM 的接口，最高可将现有程序存储器的耐用性提升为原来的500 倍。