前言
电池备份（VBAT）功能的实现方法，一般是使用 MCU 自带的 VBAT 引脚，通过在该引脚连接钮扣电池，当系统电源因故掉电时，保持 MCU 内部备份寄存器内容和 RTC 时间信息不会丢失。
本文档介绍了如何基于 CW32 系列 MCU，通过增加简单的外部电路配合软件实现 VBAT 功能，在系统电源掉 电后仍能保持 RTC 时钟正常计时，以及如何降低系统功耗，从而延长后备电池的使用寿命。
1 、电路设计
对于自带 VBAT 引脚的 MCU，MCU 内部有对 VBAT 电源和系统电源的管理单元，保证在系统电源掉电后，及 时切换 VBAT 引脚电源给备份域供电，保证 RTC 正常工作。
对于没有 VBAT引脚的 CW32，要实现类似的功能，可以在外部进行后备带电池和系统电源的切换，如下图所示：
后备电池（B1）提供的备用电源 VBAT 和系统电源 VDDIN 通过 2 个肖特基二极管（D1）合路，合路后的 电源 VDD 给 MCU 的数字域 DVCC 和模拟域 AVCC 进行供电。系统电源 VDDIN 通过 R3、R4 电阻分压得到 WAKEIO 信号，连接到 MCU 的 IO 引脚。注意遵循如下规则：
1. Vwakeio 要大于 MCU IO 口的 Vih；
2. VDDIN 必须高于 Vb1 在 0.4V 以上，否则如果 VDDIN 和 Vb1 相等，在系统电源正常时，后备电池也会有一定 的泄放电流，不利于节省后备电池电量。
2 、程序设计
程序启动后正常初始化时钟、IO、RTC 以及 OELD，循环中检测系统电源是否存在，如存在则读取 RTC 时间 并显示。
当系统电源 VDDIN 因故掉电，则关闭 OLED 电源，并进入 DeepSleep 低功耗睡眠模式。
当系统电源 VDDIN 恢复供电时，产生高电平中断，唤醒 MCU，退出 DeepSleep 低功耗睡眠模式。
3 、参考代码
int32_t main(void)
{
RCC_Configuration(); // 时钟配置
GPIO_Configuration(); //GPIO配置
OLED_Init(); //OLED显示屏初始化配置
dis_err("RTC_TestBoard"); // 显示
FirmwareDelay(5000000); // 增加延时防止过早休眠影响程序烧写
RTC_init(); //RTC时钟初始化
//DeepSleep 唤醒时，保持原系统时钟来源
RCC_WAKEUPCLK_Config(RCC_SYSCTRL_WAKEUPCLKDIS);
ShowTime(); // 获取时间数据
displaydatetime(); // 显示当前时间
while(1)
{
if( 0==PB05_GETVALUE() ) // 循环检测是否掉电
{
PA05_SETHIGH(); // 关 OLED 电源
SCB->SCR = 0X04; //DeepSleep
__WFI(); //MCU 进入DeepSleep模式以节省功耗
OLED_Init(); // 外部电源接入后唤醒，重新初始化 OLED
}
else
{
ShowTime(); // 获取时间数据
displaydatetime(); // 显示当前时间
}
}
}
void GPIO_Configuration(void)
{
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct= {0};
__RCC_GPIOB_CLK_ENABLE(); // 开
GPIOB 时钟GPIO_InitStruct.IT = GPIO_IT_RISING; // 使能上升沿中断
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_INPUT; // 输入模式
GPIO_InitStruct.Pins = GPIO_PIN_5 ; //PB05，连接 WAKEIO 网络
GPIO_Init(CW_GPIOB, &GPIO_InitStruct); // 初始化 IO
GPIOB_INTFLAG_CLR(bv5); // 清除 PB05 中断标志
NVIC_EnableIRQ(GPIOB_IRQn); // 使能 PB05 中断
}4 、实际测试
使用 CW32L031C8T6 设计了用于测试后备电池功能的评估板，实物如下图所示：
使用 3V 的 CR2032 钮扣电池，实测电池电压为 3.14V；VDDIN 使用可调节数字电源，设置为 3.54V，保证 VDDIN >= Vb1 + 0.4V；D1 实测合路后的电源电压为 3.21V。
4.1 测试数据
实际测试时，断开 J4 跳线接入万用表，设置万用表为电流测试档位。
1. 关闭 VDDIN 电源输入，MCU 检测到无外电输入，关闭 OLED 显示，进入 DeepSleep 模式，实测此时 B1 电流为 +0.95μA。
2. 打开 VDDIN电源输入，MCU被高电平中断从 DeepSleep状态唤醒到正常状态，OLED正常显示当前时间， 实测此时 B1 电流为 -75nA（负电流是因为 D1 处于反向偏置状态，有小的反向漏电流）。
测试结果符合电路设计预期，以 CR2032 电池容量为 200mAH 计算，则电池可用时间为 210526 小时，合计 24 年（不考虑电池和产品寿命），可实现超长待机时间，完全满足各种低功耗产品对 RTC 后备电池容量需求。
5 、附件
5.1 RTC_TestBoard 单板原理图
来源：武汉芯源半导体
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理（联系邮箱：cathy@eetrend.com）。
