Cortex-M0

ME32F030R8T6 的出现为嵌入式的开发带来了极大地便利，ME32F030R8T6 是一款内嵌 ARM Cortex™ M0 核的 32 位微控制器。

本篇先简单介绍MDK的安装流程，然后重点说明如何把敏矽微电的Cortex-M0的PACK包添加到mdk中，这样才能顺利的在MDK环境下开发敏矽微电子Cortex-M0新片。最后用了很大篇幅介绍如何建立工程，工程中各种文件的添加等等。

为了使单独编译的C语言程序和汇编程序之间能够相互调用，必须为子程序之间的调用规定一定的规则，ATPCS就是ARM程序和THUMB程序中子程序调用的基本规则。

所有Arm指令都是可以有条件执行的，而Thumb指令仅有一条指令具备条件执行功能。Arm程序和Thumb程序可相互调用，相互之间的状态切换开销几乎为零。

SysTick定时器即系统滴答定时器，也称“心跳定时器”，它是一个24 位的倒计数定时器，计到0 时，将从重装载寄存器中自动重装载定时初值。

ARMv7-M和ARMv6-M都有的SCB寄存器名称相同，但是ARMv7-M寄存器数量和有效控制bit位比ARMv6-M丰富了不少。

电平触发是外设的中断请求有持续的电平信号，若电平信号在处理器从ISR返回之前没有被取消，则中断返回后将再次触发已经服务过的中断。

处理器中的NVIC能够处理多个可屏蔽中断通道和可编程优先级，中断输入请求可以是电平触发，也可以是最小的一个时钟周期的脉冲信号。

NASA成功发射SpaceX CRS-10货运飞船进行第十次国际空间站商业货运任务。SpaceX CRS-10搭载了一个电子辐射效应实验，关键是该实验由美国Vorago公司的ARM架构抗辐射MCU进行控制。2016年，NASA宣布将选择ARM Cortex-A53处理器构建下一代空间电子产品平台，计划于2020年发射。可见，ARM技术在航天工业中势头越来越猛。此次搭载实验是由美国空军实验室和NASA联合支持，标志着基于ARM的耐极端环境抗辐射微处理器首次部署于空间系统。

<strong>抗辐射存储器实验 </strong>

空间环境下，存储器暴露于高能质子和辐射粒子的辐射环境下，当这些粒子轰击存储器或其他微电路时将导致存储器位信息错误，这将导致电子设备故障或危及任务。

为解决这一问题，研究人员设计了抗辐射电子存储器实验——RHEME（监测空间存储器），RHEME将持续一年监测空间粒子辐射对存储器的影响。该实验采用了VORAGO公司基于ARM Cortex-M0的抗辐射微控制器进行控制。该微控制器采用VORAGO HARDSIL®工艺制造，抗辐射且耐受极端温度环境。实验结果将有助于空间用存储器的错误检测、纠正和消除。该实验是挑战空间环境、实现下一代空间计算的重要一步。

前几天刚好同事问起在Cortex-M上延时不准的问题，在网上也没找到比较满意的答案，干脆自己对这个问题做一个总结。

根据我们的经验，最容易想到的大概通过计算指令周期来解决。该思路在Cortex上并不是很适用：一方面MCU从Flash取指是有延时的，另一方面Cortex的指令集不是固定周期的，特别从M3加入分支预测后，分支指令在Cortex-M不同型号上的结果都不相同。因此除了指令周期外，我们需要考虑的东西还有很多，才能得到正确的结果。

<strong>不带分支预测器的情况</strong>

仍然先从不带分支预测器的Cortex-M0开始，通过计算指令周期延时的实现代码如下：

void delay_us(us) {
delay_ntimes((us * sysclk - 8) / 4);
}
__asm void delay_ntimes(unsigned int n)
{
L1
SUBS R0, #1
BCS L1
BX LR
}

从这段代码可发现两个主要问题：