Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平


日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60 %。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60 %。
S13100无线MCU是一款支持蓝牙5和802.15.4技术并且能够运行ZigBee或Thread协议的超低功耗双模SoC器件,可为音频、数据传输、定位和控制应用提供必需的连接选项和处理能力,是可穿戴设备、家居自动化、工业自动化、照明和家用电器市场的理想解决方案。
1月25日,Littelfuse, Inc.宣布推出双向瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列的首款产品,该系列产品旨在保护高端消费电子产品和可穿戴电子产品免因破坏性静电放电损坏。 SP1333系列中的首款瞬态抑制二极管SP1333-01UTG具有3.3V击穿电压, 采用专有硅雪崩技术,将背对背二极管组合在一起。
在不同地域、不同战争阶段和不同战斗规模的情况下,战术的运用也各不相同。根据时机、实力等不同情况,灵活运用和变换战术,对夺取战斗胜利具有重要意义。而对在市场已经驰骋多年的MCU来说,当时间进入2019年,应该做出哪些新的战术选择呢?
目前,无论是全球还是中国MCU市场均主要被国外企业所占领,行业的市场集中度非常高。此外,国内厂商在中低端MCU产品市场中竞争力相对较强,但高端产品发展不足。未来随着物联网、汽车电子等领域对32位高端MCU产品需求的增长,将强化国内厂商在高端MCU产品市场的竞争。
物联网互连产品组合将Wi-Fi功耗降低一半
新的Silicon Labs Wi-Fi解决方案帮助物联网开发人员在嘈杂的射频环境中创建小型、安全、电池供电的产品-
意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。
1月18日,Holtek针对红外线测温应用新推出BH67F2752,整合Thermopile AFE以及LCD Driver,可广泛应用在LCD型红外线测温需求产品,如耳温枪、额温枪、红外线测温仪等。
Semtech物联网总监 Vivek Mohan
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布,罗姆半导体公司Qi标准车载无线充电器参考设计选用意法半导体的汽车NFC读取器IC (ST25R3