低压差线性稳压器（LDO）的主要作用是将输入电压稳定到一个恒定输出电压，为电机控制系统提供稳定的电源，确保电机控制信号的精确性和可靠性，在系统设计中可与栅极驱动器集成，确保栅极驱动器高频率切换的稳定性。

极海针对用户系统设计的多样化需求，推出了新款电机专用栅极驱动器GHD3440Rx，GHD3440Rx作为GHD3440的升级版本，内置3.3V/5V LDO，可提供GHD3440R3和GHD3440R5两种型号，有助于节省板上空间占用，降低客户硬件成本，提高系统可靠性。

GHD3440Rx产品特点 

• 集成化设计：简化电路、压缩空间，为电机系统设计提供更高灵活度

• 增强稳定性：抗干扰能力强，降低系统开关损耗、减少系统发热量

• 安全再升级：欠压保护、直通防止、死区保护、过温保护等

高集成 | 更灵活、更稳定

GHD3440Rx电机专用栅极驱动器，提升了面向低压应用场景的驱动能力，集成的LDO电路可从DC-DC转换电路为MCU提供稳定的低噪声电源，负载能力60mA@15V，输出误差在2%以内，确保在负载突变时保持最小电压波动，增强抗干扰性能、提升开关效率；高度集成的SSOP24封装可有效减少电路板空间、降低硬件成本，为用户提供更多分立式电机系统设计解决方案。

高性能 | 提升电机运行效率

支持5V~20V输入电压范围，3.3V/5V逻辑输入兼容，悬浮偏移电压+200V，适用于各种电池供电的直流无刷电机应用方案；峰值输出电流0.9A@15V、3.3nF负载上升时间90ns，峰值输入电流1.1A@15V、3.3nF负载下降时间60ns，有效提高功率器件的开关速度，降低开关损耗。

高安全 | 提供多重保护功能

内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作；内置基于输入信号的直通防止和500ns典型死区时间保护电路，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件；内嵌输入、输出下拉电阻，具备高DV/DT噪声抑制能力，提供稳定驱动能力；过温保护阈值 151℃/131℃，确保在负载变化时系统能在安全温度范围内正常工作。

GHD3440Rx电机专用栅极驱动器的推出，可满足电机控制应用对精简电路、提高系统性能的需求。极海还将陆续推出满足电机市场应用需求的，具备先进性、可靠性及高性价比的芯片及解决方案，并提供完善的工具链、多场景DEMO、以及快速周到的技术支持服务，为客户提供一站式开发体验，满足其深度开发需求。

栅极驱动器是低压控制器和高功电路之间的缓冲电路，用于放大控制器的控制信号，从而实现功率器件更有效的导通和关断。随着各种智能电子设备的不断普及和应用，栅极驱动器的市场需求也在不断增加。据国际权威研究机构Yole Group预计，其市场规模有望在2027年达到27亿美元。

极海电机产品线，再添新成员

面向电机控制市场用户需求，极海继发布APM32F035电机控制专用微控制器后，全新推出首款GHD3440电机专用栅极驱动器。

产品特点

• 丰富安全功能：过压保护、欠压保护、直通防止及死区保护等

• 高度集成化：高系统集成度，帮助客户有效节省系统成本

• 强驱动能力：相较传统产品，拥有更强驱动力，显著降低系统开关损耗、减少系统发热量

该新品是一款三相中压高速栅极驱动IC，专为桥式电路中驱动双N型沟道VDMOS功率管或IGBT而设计，适用于各种电池供电的直流无刷电机应用方案。

注重效率和功耗优化

GHD3440具备优秀的驱动能力和快速响应能力，可在短时间内对输入信号或负载变化做出准确的响应，有助于提高电机运行效率；同时可有效放大电路控制信号，实现对电机高精度、高速度、低功耗控制，为用户提供更好的开发使用体验。

GHD3440可提供TSSOP20及QFN24封装，有助于节省板上空间占用，降低材料成本，提高系统可靠性。

GHD3440产品特性

• 支持5.5V~18V输入电压范围，兼容3.3V/5V输入逻辑，悬浮偏移电压+200V；

• 内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作；

• 内置基于输入信号的直通防止和250ns典型死区时间保护电路，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件；

• 内嵌输入、输出下拉电阻，以稳定输出信号，提升驱动能力；

• 具备高DV/DT噪声抑制能力，有效保障性能，防止对周边设备产生负面影响；

• 峰值输出电流0.8A@12V，3.3nF负载上升时间90ns，峰值输入电流1.0A@12V，3.3nF负载下降时间60ns，有效提高功率器件的开关速度，降低开关损耗；

• 工作温度范围-40~+105℃，可保障在严苛工作环境下的稳定运行。

应用领域

• 电动工具：电动扳手、电动螺丝刀、电钻、电锤等

• 园林工具：割草机、剪枝机、绿篱机、链锯等

• 清洁工具：电动清洁刷、吸尘器等

极海将持续为电机应用市场推出先进、可靠、且具性价比的芯片及解决方案，包括内置LDO的GHD3440R电机专用栅极驱动器、内置200V 6N预驱的APM32M3514系列电机控制专用微控制器、GHD3125R 3P+3N电机专用三相栅极驱动器等一系列卓越的驱动芯片，可广泛适用于电机驱动、DC-DC转换器、DC-AC逆变器和D类功率放大器等多种应用领域，为各类高性能电子设备提供强大支持，以满足用户深度开发需求。

电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市

电动出行和可再生能源系统需要能够提高性能效率和加快开发时间的电源管理解决方案。为满足这些要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布与Mersen合作推出150千伏安（kVA）三相碳化硅电源协议栈参考设计。Mersen是一家为包括电动出行和能源储存在内的众多工业行业提供电源管理解决方案的全球供应商。

Mersen的三相碳化硅电源协议栈参考设计为系统设计人员提供了完整、紧凑的大功率碳化硅解决方案，无需进行单独的器件采购、测试和鉴定。电源协议栈参考设计包括Microchip的碳化硅电源模块和数字栅极驱动器以及Mersen的母线、熔断器、电容器和热管理，在单一的高性能协议栈参考设计中进行了优化设计。凭借Microchip的1200V MSCSM120AM042CD3AG碳化硅MOSFET和AgileSwitch® 2ASC-12A1HP数字栅极驱动器，电源协议栈参考设计使工程师能使用为其应用预先设计的工具包快速开发高电压系统，从而将上市时间最多缩短六个月。

Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示：“与Mersen合作提供碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器解决方案，将使Microchip的客户受益。功率逆变器设计人员能采购到成熟的解决方案，就可以避免采购单独的部件，并通过可靠性降低风险，这有助于避免停机。设计人员现在有了一个一体化的评估系统。”

电源协议栈参考设计提供16千瓦/升（kW/l）的功率密度和高达130℃的Tj，峰值效率为98%，开关频率高达20千赫兹（kHz）。凭借Microchip坚固的碳化硅MOSFET和AgileSwitch系列可配置数字栅极驱动器，该参考设计使工程师能够从700V和1200V选项中选择电流高达750A的产品。Microchip还提供模块结构选项，包括基板材料、直接接合铜（DBC）陶瓷材料和芯片连接方法。

Mersen副总裁兼全球战略营销执行专家Phillipe Roussel博士表示：“鉴于可以从单一来源获得高度稳健的碳化硅MOSFET和兼容的数字栅极驱动器，我们与Microchip紧密合作，设计和开发了这款碳化硅电源协议栈参考设计。因此，依托我们的高可靠性母线、电容器、熔断器和冷却系统产品线，我们有能力优化客户的任何逆变器拓扑结构。多功能的Microchip碳化硅阵容也使我们有能力将这些主要规格扩展到更高的电压、电流和开关频率，以满足每个客户的操作点需求。”

除了Mersen的电源协议栈参考设计中的产品外，Microchip还是其他碳化硅电源解决方案的供应商，包括650V至1700V的MOSFET和肖特基势垒二极管系列，提供裸片以及各种分立和多芯片模块封装。

Microchip将内部碳化硅芯片生产与低电感功率封装和数字栅极驱动器相结合，使设计人员能够制造出高效、紧凑和可靠的最终产品。这些器件与单片机（MCU）、模拟和MCU外设以及通信、无线和安全技术组合在一起，为许多应用的系统设计人员提供了成熟的整体系统解决方案。

开发工具

Microchip AgileSwitch 2ASC-12A1HP 1200V双通道数字栅极驱动器采用Augmented Switching™技术，可直接用于生产并可完全配置。AgileSwitch 2ASC-12A1HP栅极驱动器和下一代2ASC-12A2HP由Microchip智能配置工具（ICT）支持，该接口允许用户配置栅极驱动器参数，包括栅极开关配置文件、系统关键监控器和控制器接口设置。ICT是一个免费的下载工具，可以节省开发时间。

供货

如需了解关于协议栈的其他信息，请访问Mersen协议栈优化组件网页，或联系Microchip销售代表或全球授权分销商。如需了解更多信息，敬请访问Microchip.com/SiC。

资源

可通过Flickr或联系编辑获取高分辨率图片（可免费发布）：

意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V，还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管，在驱动 GaN 器件时，可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS)，确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。此外，驱动器还集成一个自举电路，可大限度降低物料清单成本，简化电路板布局。自举电路使用同步整流 MOSFET开关管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，从而让驱动器只使用一个电源，而无需低压降稳压器 (LDO)。

STDRIVEG600的 dV/dt为±200V/ns，确保栅极控制在恶劣的电气环境中具有较高的可靠性。逻辑输入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信号，方便连接主微控制器或 DSP处理器。高边电路耐受电压高达 600V，可用于高压总线高达 500V 的应用领域。

驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A，并提供独立的导通和关断引脚，让设计人员可以选择适合的栅极控制方式。此外，高低边电路都支持与功率开关源极相连的开尔文连接方法，以增强控制性能。低边驱动器的专用接地和电源电压引脚可实现开尔文连接，确保开关操作稳定，并允许使用分流电阻器检测电流，而无需额外的隔离或输入滤波电路。

驱动器内置完备的安全保护功能，其中，高低边驱动欠压锁定 (UVLO)可以防止功率开关管在低效率或危险工况下运行；互锁保护可以避免开关管交叉导通。其他保护功能包括过热保护、 省电关闭功能专用引脚。

STDRIVEG600 适用于高压 PFC、DC/DC 和 DC/AC 变换器、开关电源、UPS 电源系统、太阳能发电，以及家用电器、工厂自动化和工业驱动设备的电机驱动控制等应用。

驱动器有两款配套开发板，帮助设计人员快速启动新项目，其中，EVSTDRIVEG600DG 板载一个 150mΩ 650V GaN HEMT晶体管，该晶体管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封装，带有Kelvin驱动源引脚；EVSTDRIVEG600DM开发板配备一个STL33N60DM2 内置快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率开关，该晶体管采用带有Kelvin驱动源引脚的8mm x 8mm PowerFLAT封装或者 DPAK 封装。

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