栅极驱动器

栅极驱动器(Gate Driver)是一种电子器件,用于驱动功率半导体器件(例如MOSFET、IGBT)的栅极,以控制它们的导通和截止。栅极驱动器通常用于电源电子和功率电子应用中,以提供对功率开关器件的精确控制和保护。

意法半导体的 STDRIVE601 三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管,稳健性居目前业内最先进水平,可耐受低至-100V的负尖峰电压,逻辑输入响应速度在85ns以内,处于同级产品一流水平。

STDRIVE601内置智能关断电路,可提高保护功能的启动速度,在检测到过载或短路后,立即关闭栅极驱动器输出。用外部电容和电阻设定断态持续时间,必要时,设计人员可以用较大的C-R值设置所需时间,而不会影响关断反应时间。STDRIVE601具有低电平有效故障指示器引脚。

STDRIVE601可以替代三个半桥驱动器,简化PCB电路板布局设计,优化三相电机驱动器的性能,可以驱动家电、工业缝纫机、工业驱动器和风扇等设备。

所有输出均可灌入350mA电流,源出200mA电流,栅极驱动电压范围为9V-20V,可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT管。低边和高边之间的延迟匹配功能消除了周期失真现象,并允许高频开关操作,而互锁和死区插入特性可防止交叉导通。

STDRIVE601采用意法半导体的BCD6S离线功率开关制造工艺,驱动电源是高达21V的逻辑电源电压和高达600V的高边自举电压。驱动器集成自举二极管,节省物料清单成本,并且低边和高边驱动电路都有欠压锁定(UVLO)功能,可防止电源开关在低能效或危险条件下运行。

EVALSTDRIVE601评估板现已上市,可以帮助用户探索STDRIVE601驱动器的功能,快速创建并运行首个原型系统。

STDRIVE601 芯片现已投入生产,采用SO28封装。

详情访问 www.st.com/stdrive601-pr

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有源米勒钳位选配,提升高速开关抗干扰能力

意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。

STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时,该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压,直到下一个真正的导通信号出现为止。

STGAP2SM具有独立的导通/关断输出,可配合两个外部栅极电阻来优化晶体管开关性能。

STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出,即使驱动大功率逆变器,也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内,在高开关频率下确保PWM控制精确,满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV / dt共模瞬变干扰能力,使其能够防止耗能的杂散开关操作。

这些器件内置1700V电气隔离功能,可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)控制器的物料成本。

这些产品集成全面的保护功能,其中,欠压锁定(UVLO)可在电源电压过低时保护电源开关。此外,过热保护和硬件互锁可以防止半桥电路中的高边/低边交叉导通;待机模式可在节省电源的同时将输出保持在安全状态。

EVALSTGAP2SCM评估板提供了一个快速、简便的开发方法,方便设计人员快速开始设计。

STGAP2SCM现已上市,STGAP2SM于2018年第四季度上市,采用紧凑型工业标准SO-8功率封装。

详情访问 www.st.com/stgap

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- 新器件尺寸显著减小,适用于汽车用三相无刷电机应用

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用,例如,12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器。

东芝的IPD产品为高边和低边功率开关提供保护,在汽车应用中尤为有用。通常,它们可提供负载短路、负载开路和电源输出短路保护以及包括过热保护在内的ECU异常保护。IPD可直接由微控制器(MCU)控制,同时还向MCU提供诊断反馈。其可减少所需的元件数量,同时提高汽车ECU电路的可靠性。

全新的TPD7212F MOSFET栅极驱动器IPD采用东芝0.13μm BiCD工艺制造,支持在同一芯片上将模拟电路和大量逻辑与功率(DMOS)器件相集成,进而减小汽车系统的尺寸,降低其功耗。

该器件可驱动三相无刷电机MOSFET的栅极,可在+4.5至+18.0V直流电源下工作,拉电流/灌电流分别高达1.0/1.5A。其内置电荷泵电路可轻松配置三相全桥电路。该器件还包括一系列保护功能,例如电源短路保护、接地短路保护和过压保护。内置诊断电路为系统提供反馈,包括电源短路、接地短路和驱动器电源电压异常。

TPD7212F采用符合RoHS标准的WQFN32封装,尺寸仅为5.0mm x 5.0mm,与其上一代产品相比,其安装面积降低多达75%。该产品完全符合AEC-Q100汽车标准,工作温度为-40°C至+150°C。

批量生产将于2018年8月启动。

应用场合

汽车用电机驱动器(12V EPS、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器等)

特点

  •   能够驱动三相无刷电机功率MOSFET的栅极。
  •   内置电荷泵电路
  •   内置驱动器电源和输出电压诊断功能
  •   WQFN32小型封装

东芝推出紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件

有关汽车IPD产品阵容的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/automotive/automotive-...

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