独立设计代码并与Microchip双核dsPIC®数字信号控制器无缝集成
dsPIC33CH系列专为真正的高性能嵌入式控制而打造，满足严格的时间要求
存储器/处理器/阻容暴涨背后，谁将引领国产MCU未来？
近年来随着物联网、车用电子及智慧家居等需求兴起，电源管理与微控制器（MCU）等晶片用量逐步攀升，已经排挤其他部分8吋芯片产能的投片量，根据TrendForce光电研究(WitsView)最新观察指出，晶圆代工厂相继提高8吋厂IC代工费用。
51的特殊功能寄存器sfr笔记
51系列单片机内部主要有四大功能模块，分别是I/O口模块、中断模块、定时器模块和串口通信模块(串行I/O口)。51开发的重点其实就是对这四个部分进行具体的开发，而其对这四个模块的开发实质则又是能否对每个模块所对应寄存器的正确操纵。
单片机的内部结构可以大概归纳如下图：四大功能模块相关的寄存器又可分为四大部分:
几种滤波器的比较（巴特沃斯、切比雪夫、贝塞尔滤波器）
1、数字滤波器
数字滤波器是指完成信号滤波处理功能的，用有限精度算法实现的离散时间线性非时变系统，其输入是一组数字量，其输出是经过变换的另一组数字量。因此，它本身即可以是用数字硬件装配成的一台完成给定运算的专用数字计算机，也可以是将所需运算编成程序，让通用计算机来执行。
SPI总线协议及SPI时序图详解
SPI，是英语Serial Peripheral Interface的缩写，顾名思义就是串行外围设备接口。SPI，是一种高速的，全双工，同步的通信总线，并且在芯片的管脚上只占用四根线，节约了芯片的管脚，同时为PCB的布局上节省空间，提供方便，正是出于这种简单易用的特性，现在越来越多的芯片集成了这种通信协议。
４个有趣的测谎电路（检测皮肤电阻变化）
我们来看几个有趣的“测谎仪”小电路，它们的原理是检测手指间的皮肤电阻。
测谎电路1
该电路检测你的手指之间的电阻来产生振荡。干燥的手指将检测到高达10万欧姆的电阻，这将使电路以低频率振荡发声。如果主体感到紧张，他会出汗，这会降低皮肤的电阻，并使电路振荡频率变高。
照片显示的电路内置在PC板与单独的触摸垫。
测谎电路2
开关电源五种 PWM 反馈控制模式
1 引言
恩智浦处理器为下一代电动车辆和自动驾驶车辆提供高性能和安全性
• 恩智浦全新S32汽车处理平台首款产品发布
• 全新16nm 800MHz多核微处理器/微控制器
• 首次将全新Arm® Cortex®-R52用于多核ASIL D计算
电容充放电时间常数RC计算方法
进入正题前，我们先来回顾下电容的充放电时间计算公式，假设有电源Vu通过电阻R给电容C充电，V0为电容上的初始电压值，Vu为电容充满电后的电压值，Vt为任意时刻t时电容上的电压值，那么便可以得到如下的计算公式：
Vt = V0 + (Vu – V0) * [1 – exp( -t/RC)]
如果电容上的初始电压为0，则公式可以简化为：
Vt = Vu * [1 – exp( -t/RC)] （充电公式）
由上述公式可知，因为指数值只可能无限接近于0，但永远不会等于0，所以电容电量要完全充满，需要无穷大的时间。
当t = RC时，Vt = 0.63Vu；
当t = 2RC时，Vt = 0.86Vu；
当t = 3RC时，Vt = 0.95Vu；
当t = 4RC时，Vt = 0.98Vu；
当t = 5RC时，Vt = 0.99Vu；
可见，经过3~5个RC后，充电过程基本结束。
当电容充满电后，将电源Vu短路，电容C会通过R放电，则任意时刻t，电容上的电压为：
Vt = Vu * exp( -t/RC) （放电公式）
如何提高单片机程序执行效率
首先什么是执行效率。我们平常所说的执行效率就是使用相同的算法在相同输入条件下完成相同计算所产生的系统开销，目前来说一般会更多关注执行时间方面的开销。所有语言编写的代码最终要运行，都要转化成机器码。在更短的时间内完成相同的事那么效率就高。
关于如何提高C语言程序的执行效率，有如下建议：
1.尽量避免调用延时函数