4个方面!详解电容、电感的相位差是如何产生的?

对于正弦信号,流过一个元器件的电流和其两端的电压,它们的相位不一定是相同的。这种相位差是如何产生的呢?这种知识非常重要,因为不仅放大器、自激振荡器的反馈信号要考虑相位,而且在构造一个电路时也需要充分了解、利用或避免这种相位差。

华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台助力大容量MCU解决方案

华虹半导体有限公司今日宣布,最新推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大容量微控制器(MCU)的需求。

TE Connectivity推出新型高密度SFP-DD双通道 I/O 互连解决方案

8月27日,TE Connectivity (TE)宣布推出小规格可插拔双密度(SFP-DD)输入/输出(I/O)互连系统,以扩展其SFP产品组合。该新型“双密度”壳体及表面贴装连接器突破了SFP结构的传统单通道设计,提供双通道数据传输,可满足数据中心对双端口密度的需求并提升数据传输速率。

Microchip推出存储密度最高的产品:4 Mb串行EEPROM存储器

Microchip 宣布全新推出密度最高的EEPROM——25CSM04 。这款新推出的容量为4 Mb的EEPROM是目前市场上面向开发人员的最大容量EEPROM,将此前的2 Mb密度提高了一倍。

意法半导体推出内置机器学习内核的高精度测斜仪

意法半导体的IIS2ICLX是一款高精度、低功耗的双轴数字测斜仪,用于工业自动化和结构健康监测[1]等应用,具有可设置的机器学习内核和16个独立的可设置有限状态机,有助于边缘设备节能省电,减少向云端传输的数据量。

【下载】STM32L5 中如何关闭 TrustZone ?

STM32L5 是 STM32 家族中第一个基于 Cortex-M33 内核的系列,而 TrustZone 正是此内核最重要的特性,使能 TrustZone 的方法非常简单,在 RDP=0 的情况下直接在 option byte 中将 TZEN 置 1 即可……

【视频】新唐 NuMaker-IIoT-NUC980 – 如何使用 LTE 与 NB-IoT (4)

以新唐 NuMaker-IIoT-NUC980 为平台,使用 Linux 进行开发,学习开发各式功能。

17条嵌入式C语言编程小知识总结

流水线被指令填满时才能发挥最大效能,即每时钟周期完成一条指令的执行(仅指单周期指令)。如果程序发生跳转,流水线会被清空,这将需要几个时钟才能使流水线再次填满。因此,尽量少的使用跳转指令可以提高程序执行效率,解决发案就是尽量使用指令的“条件执行”功能。

减少开关损耗:儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET

罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。

瑞萨电子针对复杂的逆变器控制算法推出48V电动车应用成功产品组合解决方案

瑞萨电子集团宣布推出一款48V电动车应用成功产品组合解决方案,可帮助用户加快电动滑板车、电动自行车、混合动力汽车、UPS和储能系统的开发。该参考设计在硬件和软件中均采用模块化方法以展示核心及可选功能块,可用于多种24V-48V应用,如割草机、手推车、机器人清洁器、电动工具、移动电源等。