文章概述
本文中，DigiKey探讨 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 的性能差异，分析为何 N 沟道更受青睐，助你选对元件。
MOSFET 是一项每年都在不断发展的技术奇迹，尤其在电源应用中表现出色，包括充电器和计算机电源。例如，Vishay 的 SI7938DP-T1-GE3 双 MOSFET 就是一个小巧但功能强大的代表。它比常用的 SO-8 封装的 555 定时器稍大一些，但设计极限值却达到了 60A 和 40VDC。
图 1：Vishay SI7938DP-T1-GE3 双 MOSFET 数据手册中的开篇图片。
一般来说，N 沟道 MOSFET 比 P 沟道更受青睐，但在某些情况下，P 沟道 MOSFET 无疑是更好的选择。那么，为什么 N 沟道更受欢迎呢？
N 沟道 MOSFET 的优势
无需查看规格说明，我们就知道 N 沟道 MOSFET 在系统级成本和性能方面通常表现更好。MOSFET 的性能衡量标准包括：
导通电阻：N 沟道 MOSFET 通常具有更低的导通电阻，这意味着在相同条件下，它们的功耗更低，效率更高。
漏源电压（最大值）：N 沟道 MOSFET 能够承受更高的漏源电压，这使得它们在高电压应用中更具优势。
漏极电流：N 沟道 MOSFET 通常能够处理更大的漏极电流，适用于高功率应用。
开关速度：N 沟道 MOSFET 的开关速度更快，包括导通时间和关断时间，这使得它们在高频应用中表现优异。
散热能力：由于更低的导通电阻和更高的效率，N 沟道 MOSFET 在散热方面也更具优势。
驱动电路的成本和复杂性
除了上述主要性能指标，驱动电路的成本和复杂性等次要因素也需要考虑。N 沟道 MOSFET 通常需要更简单的驱动电路，这不仅降低了成本，还减少了设计的复杂性。
来源：DigiKey得捷
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