在近日开幕的elexcon深圳国际电子展上，成都华微正式发布全新32位RISC-V超低功耗MCU 。
据介绍，该MCU基于RISC-V开源指令集自主架构内核，采用3级流水设计;存储空间:64KBeFlash，4KB SRAM采用超低低功耗设计:工作功耗120uA/MHz，待机功耗<200nA，150uS唤醒;它具有丰富外设单元:支持CAN2.0、PWM、UART、I2C、SP1、Timer等通用接口;支持11通道ADC 12bits精度@1MSPS，支持DAC12bits@1MSPS;内置电压参考和比较器;支持24bit GPlO:支持LED 8段码:ESD电压等级 7000V(HBM)封装形式及大小:QFN28(4mmx4mm)，QFN20(3mmx3mm);
技术特点:超低功耗设计
支持低功耗电源管理，支持睡眠模式和旁路模式，支持快速唤醒:支持内建中断管理，支持软件中断、定时器中断和外设中断，支持中断优先级、向量中断处理模式和快速中断响应:内建调试系统，支持简化2线CJTAG或者4线JTAG。
此外，它支持自主硬件架构+国产鸿蒙操作系统，国产自主底层硬件+国产自主底层软件双轮驱动 支持低功耗场景多层级低功耗设计:芯片系统架构，定制化内核架构设计，电路级低功耗设计，物理实现低功耗设计;高可靠ESD设计:高分辨率需PWM设计;应用场景为
脑机接口
物联网终端
可穿戴设备
工业控制系统
智能家居产品
无独有偶，在今天的大展上，阿里巴巴达摩院也展示了一款超低功耗RISC-V MCU 玄铁E901，它采用2级极简流水线，兼容RISC-V架构，对执行效率等方面进行了增强，能够实现高效的指令执行。单位能效性能提升48%，在保持低功耗的同时，能够提供较高的计算性能，适用于对功耗和性能都有严格要求的场景。
它的低功耗Cache，能有效降低系统内存访问延迟，提升内存能效，进一步优化了处理器的功耗表现，延长设备的续航时间。此外，增强了系统实时性，能够实现特定场景下的中断优先级反转，使处理器能够更灵活地响应不同优先级的中断请求，提高系统的实时性和响应速度。
它的单周期内存投机访问，充分利用内存带宽，提高处理器的CPI（cycle per instruction），从而提升整体的执行效率。
它支持多种操作系统，如AliOS、FreeRTOS、RT-Thread等，丰富的软件生态使得开发者能够更容易地开发和部署基于玄铁E901的应用程序，加速产品的上市时间。
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