国民技术N32H47/8系列MCU又获“年度MCU”荣誉奖项

近日,行业盛会2025国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai )在上海重磅举行,同期举办的中国IC设计成就奖颁奖典礼上,国民技术面向工业与数字能源领域的工业增强级高能微控制器N32H47/8系列MCU荣获2025年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖项之年度MCU。                                               

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“中国IC设计成就奖”是中国IC设计行业重要的风向标,是中国电子业界最重要的技术奖项之一,此奖项旨在表彰IC设计领域的卓越成就。国民技术已连续5年获得年度MCU奖项,此次N32H47/8系列MCU荣获奖项,不仅体现了国民技术产品技术的持续创新能力,同时也表明国民技术MCU产品在助力客户应用设计创新方面获得客户的高度认可。

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国民技术N32H47/8系列MCU产品具有“卓越性能、更高集成度、超高精度、高可靠性”等优势特性,系列产品提供60余款产品子型号,从32 Pin到144 Pin多种管脚封装形式,以及丰富的资源配置可供用户选型。在通信/AI服务器电源、UPS、便携储能电源等数字电源控制领域,变频器、伺服、PLC等工业控制领域,光伏逆变器、储能BMS、汽车OBC、换电柜/充电桩等新能源应用领域,以及工业/人形机器人、电摩控制器等高性能电机控制方面具有应用优势,目前在工业控制、数字能源以及新能源等领域已获得多家行业标杆客户的高度认可。

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工业控制、数字能源以及新能源等领域典型应用案例

01、变频器应用

变频器自带简易PLC与PID控制,具有矢量控制模式和V/F控制模式,具有多段速度控制功能,载波频可调。国民技术N32H4系列高性能MCU芯片在方案中主要实现电机控制、ADC多路模拟量采集、SPI Flash读写、片内Flash加密存储以及读写保护等功能。

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N32H4系列MCU产品应用优势:

● 高可靠性:保证了产品的正常运行,提升了抗干扰能力(-40℃~105℃的环境工作温度,±4kV  HBM模型 ±1kV CDM模型)

● 高主频:Arm® Cortex®-M4F 240MHz,集成浮点运算和DSP指令,CoreMark 832, 提升算法运行效率

● 精准驱动:对电机的精确控制(PWM触发ADC采样,死区时间可编程的互补输出,外部信号与定时器互联的硬件同步电路)

● 安全加密:保护知识产权(硬件算法引擎,Flash加密存储,不可逆的读写保护设置)

● 通信接口丰富灵活:除了常规的SPI, I2C等通信接口,还集成了可任意I/O映射的UART/RS485 接口,CAN-FD接口

02、光伏应用

在光伏模块应用场景中,N32H47x系列MCU满足光伏逆变控制,并网箱,交流汇流柜的应用需求。

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N32H4系列MCU应用优势:

● 运行主频高,200MHz Arm® Cortex®-M4F内核

● Flash可靠性高,支持ECC(纠一检二),支持存储加密

● SRAM容量大,196KB,可靠性强,支持奇偶校验和ECC(纠一检二)

● 丰富的定时器资源及精度高,1个高精度定时器(125ps精度),3个高级定时器(5ns精度),10个通用定时器(5ns或5.56ns精度)

● 3个U(S)ART的TX、RX支持任意I/O映射

● CAN-FD的引脚支持任意I/O映射

● ADC采样速度快,4.7Msps采样速率,支持单端和差分模式

● 高性能模拟运放,支持单端模式和差分模式,GBW 40MHz, SR 20V/μs(单端模式)和SR 40V/μs(差分模式)

● Cordic支持整点和浮点运算

● EFT性能强,电源+/-4kV,A级,IO+/-2kV,A级

● 带电ESD性能强,电源/地+/-10kV,A级,IO +/-1.5kV,A级

03、数字电源应用

数字电源是电动汽车、光伏逆变器、能源基础设施、服务器和电信电源设计的核心。

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N32H474作为数字电源主芯片应用优势:

● 运行主频高,200MHz Arm® Cortex®-M4F内核

● Flash可靠性高,支持ECC(纠一检二),支持存储加密

● SRAM容量大,196KB,可靠性强,支持奇偶校验和ECC(纠一检二)

● 丰富的定时器资源,1个高精度定时器(125ps精度),3个高级定时器(5ns精度),10个通用定时器(5ns或5.56ns精度)

● 3个U(S)ART的TX、RX支持任意I/O映射

● CAN-FD的引脚支持任意I/O映射

● ADC采样速度快,4.7Msps采样速率,支持单端和差分模式

● 高性能模拟运放,支持单端模式和差分模式,GBW 40MHz, SR 20V/μs(单端模式)和SR 40V/μs(差分模式)

● Cordic支持整点和浮点运算

● EFT性能强,电源+/-4kV,A级,IO+/-2kV,A级

●带电ESD性能强,电源/地+/-10kV,A级,IO +/-1.5kV,A级

来源:国民技术

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