1、设计要求
要求系统按如下方式进入和退出睡眠模式：
在系统启动2秒后，将RTC在3秒钟之后配置为产生一个报警事件，接着通过WFI指令使系统进入停机模式。如果要唤醒系统到正常模式，可通过按Key按钮;否则，在3秒钟后，会产生RTC报警中断自动将系统唤醒。一旦退出停机模式，系统时钟被配置成先前的状态(在停机模式下，外部高速振荡器HSE和PLL是不可用的)。经过一段延时之后，系统将再次进入停机状态，并可按上述操作无限重复。
2、硬件电路设计
硬件电路采用与7.1小节应用实例一样硬件电路，可见图7-10。其中Key按钮用于通过PB9产生一个外部中断，LED1、LED2、LED3、LED4则用于显示处理器所处的模式和中断触发情况。
3、软件程序设计
根据任务要求，程序内容主要包括：
(1) 配置GPIOB口，配置RTC，配置外部中断;
(2) 配置PB口第9个引脚作为外部中断，下降延触发;配置RTC报警中断，上升沿触发;
(3) 两个中断服务子程序的内容分别是：切换LED2和LED3灯的状态;
很多想学单片机的人问的第一句话就是：“怎样才能学好单片机”？今天和大家讨论对于如何开始学单片机、如何开始上手、如何开始熟练这些问题。
第一关：看书了解单片机功能
先说说单片机，一般我们现在用的比较多的的MCS-51的单片机，它的资料比较多，用的人也很多，市场也很大。怎么样才能更快的学会单片机这门课？单片机这门课是一项非常重视动手实践的科目，不能总是看书，但是学习它首先必须得看书，因为从书中你需要大概了解一下，单片机的各个功能寄存器。
换句话说，我们使用单片机就是用软件去控制单片机的各个功能寄存器，再说明白点，就是控制单片机那些管脚的电平什么时候输出高，什么时候输出低，由这些高低电平的变化来控制你的系统板，实现我们需要的各个功能。
至于看书，只需大概了解单片机各管脚都是干什么的，能实现什么样的功能，开始看书时你可能看不明白，但这不要紧，因为还缺少实际的感观认识。所以学单片机看书看两三天的就够了，两三天内看两三遍不用仔细的看，大概了解一下书上的内容，然后实践，这是非常关键的。
第二关：实践练习单片机
你不实践那是不可能学会单片机的，关于实践有两种方法可以选择：
前沿尖峰的一些抑制方法
1、选用软恢复特性的肖特基二极管，或采用在整流管前串联电感的方法比较有效，或在开关管整流管的磁珠。磁芯材料选用对高频振荡呈高阻抗衰减特性的铁氧体材料，等。
2、在二次侧接入RC吸收回路可进一步减小前沿尖峰的幅值，降低二极管恢复过程中的振荡频率。
3、多个整流二极管并联；适当增大整流二极管的电流容量，可相对减小反向恢复时的关断时间，限制反向短路电流的数值，可抑制电流尖峰和降低导通损耗。
4、尽量使元件布局走线合理 ，减小大电流回路的面积，对EMI的抑制也比较有效。
后沿尖峰的抑制方法
5、选用开关速度快的整流二极管
6、选用高导磁率的磁芯，变压器设计时激磁电流尽可能小
7、选用高磁通密度的材料，确保在恶劣环境下变压器不会饱和。可取B值为饱和值的一半或1/3
8、选用闭合磁路的罐形或PQ磁芯减小漏磁。
9、高频变压器绕制尽量减小漏感。采用夹心绕法或三文治绕法。绕线尽量均匀分布在骨架上。选用漆包线时要考虑到趋肤效应。
10、在开关管的D-S之间并联RC吸收回路。
来源：电源研发精英圈
有时候我们搭电路时只需要实现一个简单的逻辑，但用一个4门的集成电路来设计未免过于昂贵与占面积，而且IC里没用到的门电路又必须拉高或拉低，相当烦琐。鉴于简化电路的需要我整理了一套用三极管、二极管、电阻组成的逻辑门电路，可实现2输入或3输入的AND，OR，NAND，NOR，EXOR操作。
用UC3842做的开关电源的典型电路见图1。过载和短路保护，一般是通过在开关管的源极串一个电阻（R4），把电流信号送到3842的第3脚来实现保护。
当电源过载时，3842保护动作，使占空比减小，输出电压降低，3842的供电电压Vaux也跟着降低，当低到3842不能工作时，整个电路关闭，然后靠R1、R2开始下一次启动过程。这被称为“打嗝”式（hiccup）保护。在这种保护状态下，电源只工作几个开关周期，然后进入很长时间（几百ms到几s）的启动过程，平均功率很低，即使长时间输出短路也不会导致电源的损坏。
由于漏感等原因，有的开关电源在每个开关周期有很大的开关尖峰，即使在占空比很小时，辅助电压Vaux也不能降到足够低，所以一般在辅助电源的整流二极管上串一个电阻（R3），它和C1形成RC滤波，滤掉开通瞬间的尖峰。仔细调整这个电阻的数值，一般都可以达到满意的保护。使用这个电路，必须注意选取比较低的辅助电压Vaux，对3842一般为13～15V，使电路容易保护。
来源：小木虫、材易通
作者：如是嘉彦
电池基本原理及基本术语
1. 什么叫电池？
电池（Batteries）是一种能量转化与储存的装置，它通过反应，将化学能或物理能转化为电能。根据电池转化能量的不同，可以将电池分为化学电池和物理电池。
化学电池或化学电源就是将化学能转化为电能的装置。它由两种不同成分的电化学活性电极分别组成正负极，由一种能提供媒体传导作用的化学物质作为电解质，当连接在某一外部载体上时，通过转换其内部的化学能提供电能。
物理电池就是将物理能转化为电能的装置。
2. 一次电池与二次电池的有哪些区别？
最主要的区别是活性物质的不同，二次电池的活性物质可逆，而一次电池的活性物质并不可逆。一次电池的自放电远小于二次电池，但内阻远比二次电池大，因此负载能力较低，此外，一次电池的质量比容量和体积比容量均大于一般充电电池。
3.镍氢电池的电化学原理是什么？
镍氢电池采用Ni氧化物作为正极，储氢金属作为负极，碱液（主要为KOH）作为电解液，
镍氢电池充电时：
正极反应：Ni(OH)2 + OH- → NiOOH + H2O–e-
负极反应：M+H2O +e-→ MH+ OH-
1. 电压应力
在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。
即：VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS
注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS值作为参考。
2. 漏极电流
其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90%
即：
ID_max ≤ 90% * ID
ID_pulse ≤ 90% * IDP
地线也是有阻抗的，电流流过地线时，会产生电压，此为噪声电压，而噪声电压则是影响系统稳定的干扰源之一，不可取。所以，要降低地线噪声的前提是降低地线的阻抗。
众所周知，地线是电流返回源的通路。随着大规模集成电路和高频电路的广泛应用，低阻抗的地线设计在电路中显得尤为重要。
这里就简单列举几种常用的接地方法：
单点接地
单点接地，顾名思义，就是把电路中所有回路都接到一个单一的，相同的参考电位点上。如下图所示。
单点接地可以分为“串联接地”和“并联接地”两种方式。串联单点接地的方式简单，但是存在共同地线的原因，导致存在公共地线阻抗，如果此时串联在一起的是功率相差很大的电路，那么互相干扰就非常严重。并联单点接地的方式可以避免公共地线耦合的因素，但是每部分电路都需要引地线到接地点上，需要的地线就过多，不实用。
什么是MOSFET
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
嵌入式系统现在变得更加智能，互连程度更高，当然也比以前要复杂。要让嵌入式系统保持稳健并尽可能接近无错误，开发团队需要有效的方法来进行测试，验证系统能否按预期的方式工作。测试工作中最关键，通常也是难度最高的方面，就是在微控制器上运行软件。
本文将向开发人员介绍如何使用这些新技术，以及新技术实施所需的设备和工具。
嵌入式测试的要求变化
现代嵌入式系统测试工具要求开发人员采用以下四种主要组件，才能完全测试他们的系统：
• 支持跟踪功能的调试器
• 通信适配器／嗅探器
• 逻辑分析仪
• 模数转换器 (ADC)
使用这四个组件，开发人员能够在系统级别和微控制器级别上测试嵌入式软件，还可向下深入到由微处理器执行的指令。
在当今的开发环境中，这一点非常关键，旨在确保构建的系统不仅能够满足需求，还能够可靠地运行。