聚焦单片机、嵌入式开发与智能控制技术

一、关于cmp的详细用法

假设现在AX寄存器中的数是0002H，BX寄存器中的数是0003H。

执行的指令是：CMP AX, BX
执行这条指令时，先做用AX中的数减去BX中的数的减法运算。
列出二进制运算式子：
　　0000 0000 0000 0010
－ 0000 0000 0000 0011
_________________________________
(借位1) 1111 1111 1111 1111
所以，运算结果是 0FFFFH

瞄准先进工业感测应用,意法半导体推出新型高精度MEMS传感器

公司将为新产品提供不低于10年供货承诺

  •   新型低噪3轴加速度计，为工业倾角计厂商提供经济实惠的高精度传感器解决方案
  •   新产品属于意法半导体10年供货承诺计划之列
  •   2018年将推出更多的高精度、高稳定性的工业级传感器

意法半导体将于今年面向工业市场推出全新的高稳定性MEMS传感器，履行其推动先进自动化和工业物联网（IIoT）市场发展的承诺。同时，公司还将为新产品提供不低于10年供货保证。

RH850系列32位MCU三种中断功能，你知道么？

瑞萨电子RH850系列32位MCU符合ISO26262的要求，满足汽车安全等级ASILB -ASILD等级的控制芯片，在全球汽车电子市场上得到广泛应用，获得著名汽车厂商的认可。

本文向工程师简单介绍RH850系列MCU的中断部分，以帮助工程师更好的使用RH850系列MCU进行开发。

RH850的中断从功能上分为三种，FE级不可屏蔽中断，FE级可屏蔽中断，以及EI级可屏蔽中断。其中FE级代表芯片功能性的中断，以辅助工程师了解MCU内部出错的来源。EI级可屏蔽中断中断是我们定义的各个功能模块所产生的中断。

三者的优先级顺序为：FE级不可屏蔽中断 > FE级可屏蔽中断 > EI级可屏蔽中断。

FE级不可屏蔽中断：在芯片R7F7010323中表现为两个WDT中断，任何情况不可屏蔽。

单片机存储器结构

存储器的工作原理：

1、存储器构造

存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的1234这样的数字

CPU、MPU、MCU、SOC、SOPC的关系及区别

在嵌入式开过程，会经常接触到一些缩写术语概念，这些概念在嵌入式行业中使用率非常高，下面我们就解释一下这些概念之间的关系和区别：

1、CPU（Central Processing Unit），是一台计算机的运算核心和控制核心。CPU由运算器、控制器和寄存器及实现它们之间联系的数据、控制及状态的总线构成。差不多所有的CPU的运作原理可分为四个阶段：提取（Fetch）、解码（Decode）、执行（Execute）和写回（Writeback）。 CPU从存储器或高速缓冲存储器中取出指令，放入指令寄存器，并对指令译码，并执行指令。所谓的计算机的可编程性主要是指对CPU的编程。

【下载】面向嵌入式工程师的MPLAB® XC32用户指南

本文档提供了5个适用于32位器件和MPLAB® XC32 C编译器的代码示例。读者需要掌
握一些单片机和C编程语言的相关知识。

1. 点亮或熄灭LED
2. 使用延时函数使LED闪烁
3. 使用中断作为延时在LED上显示递增计数
4. 使用ADC在LED上显示电位器值（MPLAB Harmony）
5. 使用ADC在LED上显示电位器值（MCC）
6. 在LED上显示闪存值（MPLAB Harmony）
7. 在LED上显示闪存值（MCC）

意法半导体发布免费的安全设计套装软件，加快基于STM32的IEC 61508安全关键应用认证

  •  业界首款免费的功能安全设计套件，可降低基于STM32的安全关键应用的设计复杂性和IEC 61508安全认证成本

  •  意法半导体原创安全文档和经过第三方认证的X-CUBE-STL软件自检库（STL），提供在STM32上设计并认证达到IEC 61508安全完整性等级（SIL3）的系统所需的全部功能

  •  适用于STM32F0微控制器的初版套件将在2018/2019期间扩充到STM32的其它产品系列

意法半导体针对其已取得巨大成功的STM32*微控制器发布了新的开发软件套件，助力科技公司以更快捷、更经济的方式设计更安全的应用。

Nor和Nand的介绍和区别

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

一.存储区别比较

单片机的九个滤波法

1、限幅滤波法（又称程序判断滤波法）

A、方法：根据经验判断，确定两次采样允许的最大偏差值（设为A），每次检测到新值时判断：如果本次值与上次值之差＜=A,则本次值有效。如果本次值与上次值之差＞A,则本次值无效,放弃本次值,用上次值代替本次值

B、优点：能有效克服因偶然因素引起的脉冲干扰。

C、缺点：无法抑制那种周期性的干扰，平滑度差。

2、中位值滤波法

A、方法：连续采样N次（N取奇数），把N次采样值按大小排列，取中间值为本次有效值。

B、优点：能有效克服因偶然因素引起的波动干扰，对温度、液位的变化缓慢的被测参数有良好的滤波效果。

赛普拉斯推出用于电子标记线缆的新一代USB-C和Power Delivery控制器，扩大在USB领域的领先优势

EZ-PD™CMG1控制器提供即插即用的USB-C连接和快速充电能力

单片机的定时器与计数器

计数器

从一个生活中的例程看起：一个水盆在水龙头下，水龙没关紧，水一滴滴地滴入盆中。水滴持续落下，盆的容量是有限的，过一段时间之后，水就会逐渐变满。那么单片机中的计数器有多大的容量呢？8031单片机中有两个计数器，分别称之为T0和T1，这两个计数器分别是由两个8位的RAM单元组成的，即每个计数器都是16位的计数器，最大的计数量是65536。

定时器

计数器除了能作为计数之用外，还能用作时钟，计数器是如何作为定时器来用？

计数和时间之间的确十分相关，一个闹钟将它定时在1个小时后闹响，也能说是秒针走了（3600）次，时间就转化为秒针走的次数。

ARM里的RAM和SDRAM有什么区别

本文主要介绍的是ARM里的RAM和SDRAM有什么区别，首先介绍了RAM的类别及特点，其次对SDRAM做了详细阐述，最后介绍了RAM和SDRAM的区别是什么。

RAM介绍

大联大诠鼎集团力推Richtek单芯片无线充电解决方案

大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于Richtek（立锜科技）的单芯片无线充电TX方案，代号Orion Lite，可支持对苹果和三星手机的无线快充。

stm32之中断配置

一、stm32的中断和异常

AMBA总线协议AHB、APB

一、什么是AMBA总线

AMBA总线规范是ARM公司提出的总线规范，被大多数SoC设计采用，它规定了AHB (Advanced High-performance Bus)、ASB (Advanced System Bus)、APB (Advanced Peripheral Bus)。AHB用于高性能、高时钟频率的系统结构，典型的应用如ARM核与系统内部的高速RAM、NAND FLASH、DMA、Bridge的连接。APB用于连接外部设备，对性能要求不高，而考虑低功耗问题。ASB是AHB的一种替代方案。

二、AHB

stm32_FSMC注意事项

一、 FSMC内部结构和映射地址空间

FSMC包含AHB接口、NOR Flash和PSRAM控制器、NANDflash和PC卡控制器、外部设备接口4个主要模块。在ST吗内部，FSMC的一端通过内部高速总线AHB连接内核，另一端则是面向扩展存储器的外部总线。内核对外部存储器的访问信号发送到AHB总线后，经过FSMC转换为符合外部存储器规约的信号，送到外部存储器响应的管脚，视线内河鱼数据交换。FSMC起到了桥梁的作用，既能够进行信号类型的转换，有能够进行信号宽度和时序的调整，屏蔽掉不同存储器之间的差异。

FSMC内部包含NOR Flash和NAND /PC Card两个控制器，可以分别支持两种截然不同的存储器访问方式，本实验选用的是前者。

【下载】面向汽车应用的Microchip MEMS振荡器和时钟产品

数十年来，振荡器和时钟始终依靠石英晶体来产生稳定的参考频率。晶体在许多应用中表现出十分优异的性能。但十年前，使用MEMS谐振器代替石英晶振的微机电系统（Microelectromechanical System，MEMS）技术进入了市场，并迅速受到广泛的关注。

基于MEMS的时序器件兼具高可靠性、扩展工作温度、小体积和低功耗特性。

在2015年，Microchip通过收购Micrel获得了MEMS时序技术，而Micrel在此之前已收购Discera。Discera在2008年交付了第一批振荡器成品，迄今为止已制造并销售了近1亿个器件。

本文将介绍基于MEMS的振荡器和时钟的汽车应用以及MEMS解决方案的优势...

Arm发布Artisan®物理IP，将加速基于台积电22nm ULP/ULL平台的主流移动和物联网设备SoC设计

Arm宣布旗下Arm®Artisan®物理IP将应用于台积电基于Arm架构的SoC设计22nm超低功耗（ULP）和超低漏电（ULL）平台。台积电22nmULP/ULL技术针对主流移动和物联网设备进行了优化，与上一代台积电28nm HPC+平台相比，在提升基于Arm的SoC性能的同时，更显著降低功耗和硅片面积。

“本次发布的下一代工艺技术能够以更低的功耗、在更小的面积上满足更多的功能需求，”Arm物理设计事业群总经理Gus Yeung指出，“Artisan物理IP与台积电22nmULP/ULL技术的设计和制造成本优势相结合，将为我们双方的合作伙伴带来立竿见影的每毫瓦运算性能提升及硅片面积缩减两方面优势。”