有人说过，世界上只有两种电子工程师：经历过电磁干扰的和没有经历过电磁干扰的。伴随着PCB走线速递的增加，电磁兼容设计是我们电子工程师不得不考虑的问题。面对一个设计，当进行一个产品和设计的EMC 分析时，有以下5 个重要属性需考虑：

(1) 关键器件尺寸：产生辐射的发射器件的物理尺寸。射频(RF) 电流将会产生电磁场，该电磁场会通过机壳泄漏而脱离机壳。PCB 上的走线长度作为传输路径对射频电流具有直接的影响。

(2) 阻抗匹配：源和接收器的阻抗，以及两者之间的传输阻抗。

(3)干扰信号的时间特性：这个问题是连续(周期信号)事件，还是仅仅存在于特定操作周期(例如，单次的可能是某次按键操作或者上电干扰，周期性的磁盘驱动操作或网络突发传输)。

(4) 干扰信号的强度：源能量级别有多强，并且它产生有害干扰的潜力有多大。

EMC是Electromagnetic Compatibility（电磁兼容性）的缩写，在日语中多用“电磁两立性”或“电磁适合性”等字样来表达，可能还有其他一些表述方式。意为“不对其他设备产生电磁干扰，即使受到来自其他设备的电磁干扰仍保持原有的性能”，因需要兼备两种性能而被称为“电磁兼容性”。

1月25日，Littelfuse, Inc.宣布推出双向瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列的首款产品，该系列产品旨在保护高端消费电子产品和可穿戴电子产品免因破坏性静电放电损坏。 SP1333系列中的首款瞬态抑制二极管SP1333-01UTG具有3.3V击穿电压， 采用专有硅雪崩技术，将背对背二极管组合在一起。

在不同地域、不同战争阶段和不同战斗规模的情况下，战术的运用也各不相同。根据时机、实力等不同情况，灵活运用和变换战术，对夺取战斗胜利具有重要意义。而对在市场已经驰骋多年的MCU来说，当时间进入2019年，应该做出哪些新的战术选择呢？

目前，无论是全球还是中国MCU市场均主要被国外企业所占领，行业的市场集中度非常高。此外，国内厂商在中低端MCU产品市场中竞争力相对较强，但高端产品发展不足。未来随着物联网、汽车电子等领域对32位高端MCU产品需求的增长，将强化国内厂商在高端MCU产品市场的竞争。

<font color="blue"><strong>行业集中度高，以国外品牌为主</strong></font>

孔无铜属于pcb功能性问题，随着科技的发展PCB精度（纵横比）要求亦越来越来高，它不但给PCB制造者带来的麻烦（成本与品质的矛盾），而且给下游客户埋下了严重的品质隐患！下面就此做简单分析，希望能对相关同仁有所启示和帮助！

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

学习ARM嵌入式的时候，发现自己对以前学过的数模器件的知识遗忘了不少，按照我的进度本来应该继续学习ARM微处理器控制的课程，但想着后来势必还会遇到相同的问题所以就准备中断一下，杀回来把汇编和一些电路知识再总结一下，查漏补缺。

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<font color="#FD8900">新的Silicon Labs Wi-Fi解决方案帮助物联网开发人员在嘈杂的射频环境中创建小型、安全、电池供电的产品-</font>

简要概述MPLAB ICD 4在线调试器系统的工作原理。旨在提供足够的信息，来帮助用户设计与调试器兼容的目标板，以进行调试和编程操作。本章还讨论了在线调试和编程的基本原理，以便用户能够快速地解决遇到的问题。

意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。

MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr)，最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的恢复软度增强了产品可靠性。此外，极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及针对轻负载优化的电容曲线，使应用能够实现更高的工作频率和更高的能效，简化热管理设计并降低EMI干扰。

这些新器件非常适用于电动汽车充电桩、电信设备或数据中心电源转换器和太阳能逆变器等，更稳定的性能和更高的功率密度让应用设计的电能额定参数更加优异。

1）焊端 termination：无引线表面组装元器件的金属化电极。

2）片状元件 chip component：任何有两个焊端的无引线表面组装无源器件的通称。例如电阻器、电容器、电感器等。

3）密耳 mil：英制长度计量单位，1mil = 0.001inch（英寸）=0.0254 mm（毫米），如无特殊说明，本规范中所用的英制与国标单位的换算均为1mil=0.0254mm。

4）印制电路板 PCB：printed circuit board：完成印制线路或印制电路工艺加工的板子的通称。包括刚性及挠性的单面板、双面板和多层板。

5）焊盘图形简称焊盘 land pattern/pad：位于印制电路板的元件安装面，作为相对应的表面组装元件互连用的导体图形。

很多工程师都遇到过研发测试阶段芯片烧录一切正常，但量产时却被反馈烧录不良的情况，这是芯片本身的问题？还是烧录器的问题？或者还有哪些其它可能性呢？

<strong>EEPROM & EPROM</strong>

EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。

EPROM是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除，通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。

<strong>EEPROM和EPROM的发展历程不同</strong>

1月18日，Holtek针对红外线测温应用新推出BH67F2752，整合Thermopile AFE以及LCD Driver，可广泛应用在LCD型红外线测温需求产品，如耳温枪、额温枪、红外线测温仪等。

概念辨析：dBm, dBi, dBd, dB, dBc

1、dBm

dBm是一个考征功率绝对值的值，计算公式为：10lgP（功率值/1mw）。

[例1] 如果发射功率P为1mw，折算为dBm后为0dBm。

[例2] 对于40W的功率，按dBm单位进行折算后的值应为：
10lg（40W/1mw)=10lg（40000）=10lg4+10lg10+10lg1000=46dBm。

2、dBi 和dBd

dBi和dBd是考征增益的值（功率增益），两者都是一个相对值，但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线，dBd的参考基准为偶极子，所以两者略有不同。一般认为，表示同一个增益，用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2. 15。

Microchip的MCP6411运算放大器在低至1.7V的单电源电压下即可工作，同时具有较低的静态电流消耗（最大值为55 μA）。该运放还具有低输入失调电压（最大值为±1.0 mV）以及轨到轨输入和输出操作。此外，MCP6411单位增益稳定，增益带宽积为1 MHz（典型值）。

<strong>引言 </strong>

续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。

在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二极管叫续流二极管。其实还是个二极管只不过它在这起续流作用而以，例如在继电器线圈两端反向接的那个二极管或单向可控硅两端反向接的也都是为什么要反向接个二极管呢？

<strong>一、什么是无卤基材</strong>

无卤素基材：

按照JPCA-ES-01-2003标准：氯(C1)、溴(Br)含量分别小于0.09％Wt(重量比)的覆铜板，定义为无卤型覆铜板。(同时，CI+Br总量≤0.15％[1500PPM])

<font color="#FD8900">Semtech物联网总监 Vivek Mohan</font>

2019年将进入借助采用特定物联网（IoT）技术的垂直集成解决方案来简化开发和大规模部署的一年。随着众多行业依靠物联网解决方案来解决其日常挑战，我们将开始看到多个发展趋势。在看过多个试点和概念验证项目（POC）由于各种原因没有扩展到大规模部署之后，我们将最终看到具有清晰投资回报（Rol）的、被大规模部署的应用案例。数据隐私、安全性、员工安全和不断演进的监管环境将推动诸如智能建筑和工厂等特定领域中的应用。