<strong>EEPROM & EPROM</strong>

EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。

EPROM是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除，通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。

<strong>EEPROM和EPROM的发展历程不同</strong>

1月18日，Holtek针对红外线测温应用新推出BH67F2752，整合Thermopile AFE以及LCD Driver，可广泛应用在LCD型红外线测温需求产品，如耳温枪、额温枪、红外线测温仪等。

概念辨析：dBm, dBi, dBd, dB, dBc

1、dBm

dBm是一个考征功率绝对值的值，计算公式为：10lgP（功率值/1mw）。

[例1] 如果发射功率P为1mw，折算为dBm后为0dBm。

[例2] 对于40W的功率，按dBm单位进行折算后的值应为：
10lg（40W/1mw)=10lg（40000）=10lg4+10lg10+10lg1000=46dBm。

2、dBi 和dBd

dBi和dBd是考征增益的值（功率增益），两者都是一个相对值，但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线，dBd的参考基准为偶极子，所以两者略有不同。一般认为，表示同一个增益，用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2. 15。

<strong>引言 </strong>

续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。

在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二极管叫续流二极管。其实还是个二极管只不过它在这起续流作用而以，例如在继电器线圈两端反向接的那个二极管或单向可控硅两端反向接的也都是为什么要反向接个二极管呢？

<strong>一、什么是无卤基材</strong>

无卤素基材：

按照JPCA-ES-01-2003标准：氯(C1)、溴(Br)含量分别小于0.09％Wt(重量比)的覆铜板，定义为无卤型覆铜板。(同时，CI+Br总量≤0.15％[1500PPM])

<font color="#FD8900">Semtech物联网总监 Vivek Mohan</font>

2019年将进入借助采用特定物联网（IoT）技术的垂直集成解决方案来简化开发和大规模部署的一年。随着众多行业依靠物联网解决方案来解决其日常挑战，我们将开始看到多个发展趋势。在看过多个试点和概念验证项目（POC）由于各种原因没有扩展到大规模部署之后，我们将最终看到具有清晰投资回报（Rol）的、被大规模部署的应用案例。数据隐私、安全性、员工安全和不断演进的监管环境将推动诸如智能建筑和工厂等特定领域中的应用。

1. 信号完整性（Signal Integrity）：就是指电路系统中信号的质量，如果在要求的时间内，信号能不失真地从源端传送到接收端，我们就称该信号是完整的。

2. 传输线（TransmissionLine）：由两个具有一定长度的导体组成回路的连接线，我们称之为传输线，有时也被称为延迟线。

3. 集总电路（Lumped circuit）：在一般的电路分析中，电路的所有参数，如阻抗、容抗、感抗都集中于空间的各个点上，各个元件上，各点之间的信号是瞬间传递的，这种理想化的电路模型称为集总电路。

解决EMI问题的办法很多，现代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂层、选用合适的EMI抑制零配件和EMI仿真设计等。本文从最基本的PCB布板出发，讨论PCB分层堆叠在控制EMI辐射中的作用和设计技巧。

<strong>电源汇流排</strong>

在IC的电源引脚附近合理地安置适当容量的电容，可使IC输出电压的跳变来得更快。然而，问题并非到此为止。由於电容呈有限频率响应的特性，这使得电容无法在全频带上生成干净地驱动IC输出所需要的谐波功率。除此之外，电源汇流排上形成的瞬态电压在去耦路径的电感两端会形成电压降，这些瞬态电压就是主要的共模EMI干扰源。我们应该怎么解决这些问题？

具有40年研究经验的国际大师Eric Bogatin给出的：100条使信号完整性问题最小化的通用设计原则

<font color="blue"><strong>No.1 网络信号质量问题最小化</strong></font>

策略---保持信号在整个路径中感受到的瞬态阻抗不变。

设计原则：

1． 使用可控之阻抗布线。

2． 理想情况下，所有的信号应使用低电平平面作为参考平面。

3． 若使用不同的电压平面作为信号的参考平面，则这些平面之间必须是紧耦合。为此，用最薄的介质材料将不同的电压平面隔开，幷使用多个传感量小的去耦合电容。

4． 使用2D场求解工具计算给定特性阻抗的叠层设计规则，其中包括阻焊层和布线厚度的影响。

对于电容的安装，首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容，有最高的谐振频率，去耦半径最小，因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距离稍远，最外层放置容值最大的。但是，所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。

下面图就是一个摆放位置的例子。本例中的电容等级大致遵循10倍等级关系。

开篇问大家一个问题：STM32F103默认最高主频为72M，那么，其主频可以达到80M吗？ 假如达到80M，程序能正常运行吗？

<font size="3"><strong>1、关于MCU主频</strong></font>

首先，还是简单介绍一下MCU主频。一般我们讲的电脑CPU主频，对于MCU来说，其实道理一样，都是指的CPU内核工作的时钟频率。

对于STM8，或者STM32来说，MCU的主频由硬件（晶振）和软件编程决定。

在STM32中，MCU主频一般是通过倍频来实现的。比如72M，等于8M时钟，9倍频（8 x 9 = 72）。

在STM8、32中，我们说的主频时钟和外设时钟，其实是两种不同时钟。

电阻在电子产品中是最常用的器件之一，基本上只要是电子产品，内部就会存在电阻。电阻可以在电路中用作分压器、分流器和负载电阻；它与电容器—起可以组成滤波器及延时电路；在电源电路或控制电路中用作取样电阻；在半导体管电路中用作偏置电阻确定工作点；使用特殊性质的电阻如压敏电阻、热敏电阻实现防浪涌电压、抑制冲击电流，实现过温保护等等。电阻是最普通的器件，同时也是电路中不可或缺的器件，选好用好电阻对产品的稳定运行及使用可靠性是至关重要的。

<font color="blue"><strong>引言</strong></font>

随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。

现代开关电源有两种：一种是直流开关电源；另一种是交流开关电源。开关电源大致由主电路、 控制电路、检测电路、辅助电源四大部份组成。

<strong>1、主电路</strong>

冲击电流限幅：限制接通电源瞬间输入侧的冲击电流。

输入滤波器：其作用是过滤电网存在的杂波及阻碍本机产生的杂波反馈回电网。

整流与滤波：将电网交流电源直接整流为较平滑的直流电。

逆变：将整流后的直流电变为高频交流电，这是高频开关电源的核心部分。

输出整流与滤波：根据负载需要，提供稳定可靠的直流电源。

<strong>辐射发射超标</strong>

设备的辐射骚扰发射超标有两种可能，一种是设备外壳的屏蔽性能不完善；另一种是射频骚扰经由电源线和其他线缆的逸出。判断方法是，拔掉不必要的电线和电源插头，继续做试验，如果没有任何改善迹象，则应当怀疑是设备外壳屏蔽性能不完善；如果有所改善，则有可能是线缆的问题。如果针对以上两种可能，采取了必要措施，仍然没有任何改进，刚有可能是设备上余下线缆的问题。

<strong>传导骚扰发射超标</strong>

设备的传导骚扰发射超标，主要是线缆方面的问题，但超标的频率通常都比较低，处理起来常感麻烦。

(1)对电源线的处理

MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？

三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。

MOS管在ON状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变，所以MOS管采用Rds方式。

时序在数字电路中的作用，就像通信中用到的载波，载波并不起眼，但是很重要。时钟也一样，现象上只是某种频率波峰波谷跳动，一成不变。但是有了它，就像人类的历史有了时间轴一样，什么时候该干什么事才有了可能。程序中发生的事件，能够按照自己的意愿发生。下面就以STM32开发板中最常见的STM32F103系列芯片的时钟为例，介绍一下STM32中的时钟。

<strong>时钟作用</strong>

说到时钟，你一定会问，这是用来计时的吗？没错，是用来计时的，但这只是它在STM32中的一项功能而已，下面就为你列出了时钟的具体功能。

计时作用（供给某些计数器统计时间）；

控制时序（串口数据的传输，只能一位一位的传输）；

控制信号（将时钟的上升下降沿作为独特的控制标志）。

<font color="blue"><strong>概述</strong></font>

从本质上来讲，中断是一种电信号，当设备有某种事件发生时，它就会产生中断，通过总线把电信号发送给中断控制器。

<center><img src="http://mcu.eetrend.com/files/2019-01/wen_zhang_/100017127-57471-dbg2.jp…; alt=""></center>

<strong>常用控制接口</strong>

EN：Enable，使能。使芯片能够工作。要用的时候，就打开EN脚，不用的时候就关闭。有些芯片是高使能，有些是低使能，要看规格书才知道。

CS：Chip Select，片选。芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根SPI总线可以挂载多个设备，DDR总线上也会挂载多颗DDR内存芯片，此时就需要CS来控制把数据发给哪个设备。

RST：Reset，重启。有些时候简称为R或者全称RESET。也有些时候标注RST_N，表示Reset信号是拉低生效。

INT：Interrupt，中断。前面的文章提到过，中断的意思，就是你正睡觉的时候有人把你摇醒了，或者你正看电影的时候女朋友来了个电话。

芯片设计行业是典型的高投入，高收益的行业，但是也是一个风险非常大的行业，万一设计的芯片达不到预期，巨额投入就打了水漂。下面说说一颗芯片的成本构成，以及一枚芯片的售价是如何定义出来的。

芯片的成本包括芯片的硬件成本和芯片的设计成本：

<strong>芯片硬件成本</strong>

芯片硬件成本包括晶圆成本+掩膜成本+封装成本+测试成本四部分，写成一个公式就是芯片硬件成本=（晶圆成本+掩膜成本+封装成本+测试成本）/最终成品率

晶圆是制造芯片的原材料，晶圆成本可以理解为每一片芯片所用的材料（硅片）的成本。在产量足够大，以亿为单位来计算的话，晶圆成本在硬件成本里面占比是最高的。

由于工作的原因，笔者经常接到工程师询问MCU内部的RAM上电之后的初始值到底是什么，有什么特性和规律。今天笔者就以设计过程中遇到的几个问题与大家做一个交流。

首先明确一个问题，我们都知道，根据RAM的特性，MCU每次上电之后RAM里面的值是随机的。也就是说RAM上电后的初始值可以是0xAA，也可以是0x55，也可以是其它任何的值，这个都是正常的。明确了这个基本原理之后，我们来看一下下面这个跟RAM的初始值的使用相关的一个问题。

<strong>设计出状况</strong>