MOSFET

MOSFET与三极管的ON状态区别

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MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?

三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。

MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区),与三极管相似,电流Ids由Vgs和Vds决定,但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变,因而Ids可仅受Vds影响,即在Vgs固定的情况下,导通阻抗Rds基本保持不变,所以MOS管采用Rds方式。

电流可以双向流过 MOSFET的D和S ,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念,能量可以从输入传递到输出,也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。

1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。

2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ。

3、就其应用:根据其特点MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热;高频逆变焊机;通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域。

开关电源(SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。

本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外,还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素,讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

导通损耗

除了IGBT的电压下降时间较长外,IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路(见图1)可看出,完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾出现。

一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

这种延迟引起了类饱和效应,使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下,在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到IGBT的集电极的瞬间,VCE电压会上升。IGBT产品规格书中列出的Eon能耗是每一转换周期Icollector与VCE乘积的时间积分,单位为焦耳,包含了与类饱和相关的其他损耗。其又分为两个Eon能量参数,Eon1和Eon2。Eon1是没有包括与硬开关二极管恢复损耗相关能耗的功率损耗;Eon2则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗,可通过恢复与IGBT组合封装的二极管相同的二极管来测量,典型的Eon2测试电路如图2所示。IGBT通过两个脉冲进行开关转换来测量Eon。第一个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电流,然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。
一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

在硬开关导通的情况下,栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了Eon开关损耗。对于像传统CCM升压PFC电路来说,升压二极管恢复特性在Eon (导通) 能耗的控制中极为重要。除了选择具有最小Trr和QRR的升压二极管之外,确保该二极管拥有软恢复特性也非常重要。软化度,即tb/ta比率,对开关器件产生的电气噪声和电压尖脉冲有相当的影响。某些高速二极管在时间tb内,从IRM(REC)开始的电流下降速率(di/dt)很高,故会在电路寄生电感中产生高电压尖脉冲。这些电压尖脉冲会引起电磁干扰(EMI),并可能在二极管上导致过高的反向电压。

在硬开关电路中,如全桥和半桥拓扑中,与IGBT组合封装的是快恢复管或MOSFET体二极管,当对应的开关管导通时二极管有电流经过,因而二极管的恢复特性决定了Eon损耗。所以,选择具有快速体二极管恢复特性的MOSFET十分重要。不幸的是,MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此,对于硬开关MOSFET应用而言,体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。

一般来说,IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配,具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低VCE(sat)电机驱动IGBT组合封装在一起。相反地,软恢复超快二极管,可与高频SMPS2开关模式IGBT组合封装在一起。

除了选择正确的二极管外,设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗。降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI需要折中,因为较高的di/dt会导致电压尖脉冲、辐射和传导EMI增加。为选择正确的栅极驱动阻抗以满足导通di/dt 的需求,可能需要进行电路内部测试与验证,然后根据MOSFET转换曲线可以确定大概的值 (见图3)。

一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

假定在导通时,FET电流上升到10A,根据图3中25℃的那条曲线,为了达到10A的值,栅极电压必须从5.2V转换到6.7V,平均GFS为10A/(6.7V-5.2V)=6.7mΩ。
一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别
公式1 获得所需导通di/dt的栅极驱动阻抗

把平均GFS值运用到公式1中,得到栅极驱动电压Vdrive=10V,所需的 di/dt=600A/μs,FCP11N60典型值VGS(avg)=6V,Ciss=1200pF;于是可以计算出导通栅极驱动阻抗为37Ω。由于在图3的曲线中瞬态GFS值是一条斜线,会在Eon期间出现变化,意味着di/dt也会变化。呈指数衰减的栅极驱动电流Vdrive和下降的Ciss作为VGS的函数也进入了该公式,表现具有令人惊讶的线性电流上升的总体效应。

同样的,IGBT也可以进行类似的栅极驱动导通阻抗计算,VGE(avg) 和GFS可以通过IGBT的转换特性曲线来确定,并应用VGE(avg)下的CIES值代替Ciss。计算所得的IGBT导通栅极驱动阻抗为100Ω,该值比前面的37Ω高,表明IGBT GFS较高,而CIES较低。这里的关键之处在于,为了从MOSFET转换到IGBT,必须对栅极驱动电路进行调节。

传导损耗需谨慎

在比较额定值为600V的器件时,IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测,并在指明最差情况下的工作结温下进行的。例如,FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和 FCP11N60 SuperFET均具有1℃/W的RθJC值。图4显示了在125℃的结温下传导损耗与直流电流的关系,图中曲线表明在直流电流大于2.92A后,MOSFET的传导损耗更大。

一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

不过,图4中的直流传导损耗比较不适用于大部分应用。同时,图5中显示了传导损耗在CCM (连续电流模式)、升压PFC电路,125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400 Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中,MOSFET-IGBT的曲线相交点为2.65A RMS。对PFC电路而言,当交流输入电流大于2.65A RMS时,MOSFET具有较大的传导损耗。2.65A PFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的2.29A RMS。MOSFET传导损耗、I2R,利用公式2定义的电流和MOSFET 125℃的RDS(on)可以计算得出。把RDS(on)随漏极电流变化的因素考虑在内,该传导损耗还可以进一步精确化,这种关系如图6所示。
一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

一篇名为“如何将功率MOSFET的RDS(on)对漏极电流瞬态值的依赖性包含到高频三相PWM逆变器的传导损耗计算中”的IEEE文章描述了如何确定漏极电流对传导损耗的影响。作为ID之函数,RDS(on)变化对大多数SMPS拓扑的影响很小。例如,在PFC电路中,当FCP11N60 MOSFET的峰值电流ID为11A——两倍于5.5A (规格书中RDS(on) 的测试条件) 时,RDS(on)的有效值和传导损耗会增加5%。

在MOSFET传导极小占空比的高脉冲电流拓扑结构中,应该考虑图6所示的特性。如果FCP11N60 MOSFET工作在一个电路中,其漏极电流为占空比7.5%的20A脉冲 (即5.5A RMS),则有效的RDS(on)将比5.5A(规格书中的测试电流)时的0.32欧姆大25%。

一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别
公式2 CCM PFC电路中的RMS电流

式2中,Iacrms是PFC电路RMS输入电流;Vac是PFC电路RMS输入电压;Vout是直流输出电压。

在实际应用中,计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂,因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能由一个阻抗表示,比较简单直接的方法是将其表示为阻抗RFCE串联一个固定VFCE电压,VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是,传导损耗便可以计算为平均集电极电流与VFCE的乘积,加上RMS集电极电流的平方,再乘以阻抗RFCE。

图5中的示例仅考虑了CCM PFC电路的传导损耗,即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15W。以FCP11N60 MOSFET为例,该电路被限制在5.8A,而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流输入电流下工作。它可以传导超过MOSFET 70% 的功率。

虽然IGBT的传导损耗较小,但大多数600V IGBT都是PT (穿透) 型器件。PT器件具有NTC (负温度系数)特性,不能并联分流。或许,这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH) (栅射阈值电压) 及机械封装以有限的成效进行并联,以使得IGBT芯片们的温度可以保持一致的变化。相反地,MOSFET具有PTC (正温度系数),可以提供良好的电流分流。

关断损耗 —问题尚未结束

在硬开关、钳位感性电路中,MOSFET的关断损耗比IGBT低得多,原因在于IGBT 的拖尾电流,这与清除图1中PNP BJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff,其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。 这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同,并包含拖尾电流能量损耗。

一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

图2显示了用于测量IGBT Eoff的典型测试电路, 它的测试电压,即图2中的VDD,因不同制造商及个别器件的BVCES而异。在比较器件时应考虑这测试条件中的VDD,因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。

降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示,当等效的多数载流子MOSFET关断时,在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过,降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容CRES和关断VCE的dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险,避免使器件重新偏置为传导状态,从而导致多个产生Eoff的开关动作。

ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET和IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中没有那么大,因为当集电极电压上升到允许多余存储电荷进行耗散的电势值时,会引发拖尾冲击电流Eoff。ZCS拓扑可以提升最大的IGBT Eoff性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除,从而显著降低IGBT ZCS Eoff 。

MOSFET的Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源阻抗及源极功率电路路径中寄生电感的函数。该电路寄生电感Lx (如图8所示) 产生一个电势,通过限制电流速度下降而增加关断损耗。在关断时,电流下降速度di/dt由Lx和VGS(th)决定。如果Lx=5nH,VGS(th)=4V,则最大电流下降速度为VGS(th)/Lx=800A/μs。

一文搞懂MOSFET与IGBT的本质区别

总结

在选用功率开关器件时,并没有万全的解决方案,电路拓扑、工作频率、环境温度和物理尺寸,所有这些约束都会在做出最佳选择时起着作用。

在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,MOSFET由于具有较快的开关速度和较少的关断损耗,因此能够在较高频率下工作。

对硬开关应用而言,MOSFET寄生二极管的恢复特性可能是个缺点。相反,由于IGBT组合封装内的二极管与特定应用匹配,极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。

后语

MOSFE和IGBT是没有本质区别的,人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET,有时又不用MOSFET而采用IGBT,不能简单的用好和坏来区分,来判定,需要用辩证的方法来考虑这个问题。

转自:玩转单片机

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支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用

10月22日,Littelfuse公司宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。

碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势,包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会,包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。

此外,相比市面上其他业内领先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型应用包括:
  •   太阳能逆变器
  •   开关模式和不间断电源
  •   电机驱动器
  •   高压DC/DC转换器
  •   感应加热

“此产品可改善现有应用,并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。 相比同类IGBT,MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。 固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。”

新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,具有以下关键优势:
  •   专为高频、高效应用优化
  •   极低栅极电荷和输出电容
  •   低栅极电阻,适用于高频开关

供货情况

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只装TO-247-3L管式封装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

如要了解更多信息:

可通过以下方式查看更多信息:LSIC1MO170E1000E碳化硅MOSFET产品页面

如要了解供应情况、初始定价和一般技术咨询,请联系Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer: mketterer@littelfuse.com

如有技术问题,请联系:电源半导体热线: powersemisupport@littelfuse.com.

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新器件进一步提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。

TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件,而出现脉冲电流(IDP)时,可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源极导通电阻RDS(ON),可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计,该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。

关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比,TK040N65Z的这一重要指标提升40%,这意味着电源效率显著提高,据测量,2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。

该款新器件采用业界标准的TO-247封装,既实现了与旧版设计的兼容性,也适用于新项目。

为满足市场需求,东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。

该款新器件的批量生产和出货即日启动。

应用场合

  •   数据中心(服务器电源等)
  •   光伏发电机功率调节器
  •   不间断电源系统

特点

  •   RDS(ON) × Qgd降低,支持开关电源提高效率

主要规格

(@Ta=25oC)

产品型号

封装

绝对最大额定值

漏源极导通电阻

RDS(ON)最大值

@VGS=10 V

(Ω)

总栅极电荷

Qg典型值

(nC)

栅漏电荷

Qgd

典型值

(nC)

输入电容

Ciss

典型值

(pF)

上一代系列

(DTMOS IV-H)

产品

型号

库存查询与购买   

漏源极电压

VDSS(V)

漏极电流(直流)

ID(A)

TK040N65Z

TO-247

650

57

0.040

105

27

6250

TK62N60X

在线购买

注:
[1] 截至2018年6月,东芝测量值(2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW)。

有关东芝400-900V MOSFET产品阵容的更多信息,请访问以下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html

请访问以下链接,查看线上分销商处的新产品供应信息:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TK040N65Z.html

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- 新器件尺寸显著减小,适用于汽车用三相无刷电机应用

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用,例如,12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器。

东芝的IPD产品为高边和低边功率开关提供保护,在汽车应用中尤为有用。通常,它们可提供负载短路、负载开路和电源输出短路保护以及包括过热保护在内的ECU异常保护。IPD可直接由微控制器(MCU)控制,同时还向MCU提供诊断反馈。其可减少所需的元件数量,同时提高汽车ECU电路的可靠性。

全新的TPD7212F MOSFET栅极驱动器IPD采用东芝0.13μm BiCD工艺制造,支持在同一芯片上将模拟电路和大量逻辑与功率(DMOS)器件相集成,进而减小汽车系统的尺寸,降低其功耗。

该器件可驱动三相无刷电机MOSFET的栅极,可在+4.5至+18.0V直流电源下工作,拉电流/灌电流分别高达1.0/1.5A。其内置电荷泵电路可轻松配置三相全桥电路。该器件还包括一系列保护功能,例如电源短路保护、接地短路保护和过压保护。内置诊断电路为系统提供反馈,包括电源短路、接地短路和驱动器电源电压异常。

TPD7212F采用符合RoHS标准的WQFN32封装,尺寸仅为5.0mm x 5.0mm,与其上一代产品相比,其安装面积降低多达75%。该产品完全符合AEC-Q100汽车标准,工作温度为-40°C至+150°C。

批量生产将于2018年8月启动。

应用场合

汽车用电机驱动器(12V EPS、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器等)

特点

  •   能够驱动三相无刷电机功率MOSFET的栅极。
  •   内置电荷泵电路
  •   内置驱动器电源和输出电压诊断功能
  •   WQFN32小型封装

东芝推出紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件

有关汽车IPD产品阵容的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/automotive/automotive-...

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1962

Diodes Incorporated (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商和供货商,其产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟和混合讯号半导体等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器,可将 AC 电源转成 DC 电源,提供5V 至 20V 的电压,提升脱机式变压器的效率。

APR346 可运作于连续导通模式 (CCM)、不连续导通模式 (DCM) 与准共振模式 (QR),旨在驱动外部MOSFET,充分发挥同步整流 (SR) 效益。相较于次级侧二极管整流,同步整流不仅能显著改善产品效能,亦能提高效率。同步整流 (SR) 目前是变压器制造商的首选,未来预计成为变压器的核心技术,应用范围涵盖笔记本电脑、手机及多种便携设备,其中许多将采用搭载 PD (电力传输) 功能的 USB Type-C 接头。

APR346 仅需极少的额外组件,且可搭配外部 MOSFET 运作,提供极佳的设计弹性。该产品激活和关闭速度极快,分别达到 70ns 与 100ns (典型值);且可直接感应外部 MOSFET 的汲源极电压,并根据负载需求快速开启或关闭 MOSFET,进而展现高效能。不仅如此,该产品更内建 1.6 μs (典型值) 的最短导通时间,能有效抑制任何潜在的汲极电压振铃现象,即使负载电流开始流向信道,仍可保持顺畅运作。

APR346 采用 SOT26 封装,体积轻巧、不占空间。

详细信息请参见 www.diodes.com

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2002

器件提供双片、单相桥和单开关拓扑结构,并有各种电流和电压额定值可供选择

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,拓宽其SOT-227封装电源模块产品线,将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准、FRED Pt®和沟槽式MOS势垒肖特基(TMBS®)二极管。Vishay 的这些模块提供双片、单相桥和单开关拓扑结构,并有多种额定电流和额定电压可供选择。

采用ThunderFET功率MOSFET的VS-FC420SA15和VS-FC270SA20单开关模块是Vishay首款电压分别为150V和200V的产品。这两款器件是高性能DC/DC转换器、电池充电器、AC电机驱动器和UPS的理想选择。提供可达400A的电流,在10V时低至1.93mΩ的导通电阻,以及250nC的栅极电荷。

Vishay首款SOT-227封装采用1200V绝缘标准恢复整流器模块的VS-RA160FA120和VS-RA220FA120型号针对电动车充电器以及单相、三相电桥的 OR-ing 应用进行了优化。双片器件具有高达220A的正向电流,低至0.26 ℃/W的结到管壳热阻,以及低至1.22V的正向压降。

Vishay的VS-UFH280FA30绝缘Hyperfast整流器模块采用FRED Pt二极管,是公司第一款采用双拓扑结构的300V电源,而VS-UFH60BA65则是公司首款Ultrafast单相桥器件。这些器件适用于焊机和UPS中的低压,高频逆变器以及充电站和开关模式电源的输出整流,其具有软恢复特性,快速反向恢复时间低至58ns,电流高达280A。

对于高频开关模式电源、DC/DC转换器和等离子切割器,Vishay 新的VS-QA300FA17绝缘型 TMBS 整流器模块是该公司首款具有 170V 额定功率的模块。该器件采用双拓扑结构,具有 300A 的电流,在 200A 时 具有0.98V 的低正向压降和每个管脚0.26 ℃/W (每个模块0.13 ℃/W)的低结到管壳热阻。

竞争产品的工作温度通常为 +150 ℃,而今天发布的功率MOSFET,Hyperfast和TMBS模块可提供高温性能达+175 ℃。这些器件符合RoHS标准并已获得UL认证。

设备规格表:
Vishay拓宽其 SOT-227 封装电源模块产品线,包括MOSFET 和标准、FRED Pt,TMBS 二极管

新电源模块的样片和成品现已供应,大额订单的交货期为12到14周。

相关产品白皮书:

http://www.vishay.com/ppg?96103 (VS-FC270SA20)

http://www.vishay.com/ppg?96060 (VS-FC420SA15)

http://www.vishay.com/ppg?96194 (VS-QA300FA17)

http://www.vishay.com/ppg?96330 (VS-RA160FA120)

http://www.vishay.com/ppg?96043 (VS-RA220FA120)

http://www.vishay.com/ppg?96136 (VS-UFH280FA30)

http://www.vishay.com/ppg?96135 (VS-UFH60BA65)

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高效率节省空间和系统成本; 对于安全攸关的设计极其可靠。

Nexperia,作为分立、 逻辑和 MOSFET 器件的全球领导者,今日宣布推出本公司最低Rds(on)的汽车级MOSFET。符合AEC-Q101规范,第9代Trench技术,40 V汽车级超级结 MOSFET 采用了坚固耐用、高电与热效率的LFPAK56E封装,与传统的裸片模块、D2PAK 或 D2PAK-7 器件相比,减少了高达81%的占用空间。这款导通内阻0.9 mΩ,额定直流电流220A的 BUK9J0R9-40H MOSFET 适用于功率高达 1.2 kW 的应用,与之前最佳的解决方案 D2PAK 器件相比,成本更低。

除了降低 RDS(on) ,这款新器件还将直流电流额定值增加到 220 A – 这对于汽车级 Power-SO8 封装尺寸的器件而言尚属首次。它可在较小的占用空间里实现更高的功率密度,这对于需要双冗余电路的安全攸关汽车应用特别有用。超级结技术的使用提供了更高的抗雪崩能力和更大的安全工作区间,改善了在故障情况下应用的性能表现。

产品营销经理 Norman Stapelberg 评论道:“Nexperia 是唯一一家拥有低压超级结 MOSFET 平台的公司。就整体可靠性和性能而言,Nexperia 是市场领导者 - 坚固耐用的 Trench 9 超级结技术与超级强劲的 LFPAK56 和 LFPAK56E 封装相结合,可使工程师放心地将该器件用于其安全攸关设计中。”

LFPAK56 Trench 9 MOSFET 可轻松并联使用于高电流应用。该器件符合各种汽车功能的需要,例如动力转向应用中的电机控制(有刷与无刷)、变速箱控制、ABS防抱死系统、ESC电子稳定控制系统、泵(水、油和燃料)、风扇转速控制、反向电池保护和直流-直流变换器。

如需更多信息,请访问: https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/automotive-trench...

在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20180606005969/zh-CN/

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该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能,在电源转换系统中实现超快切换

3月15日 - 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

Littelfuse新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON)),分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。 其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。

这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括:

• 电动汽车
• 工业机械
• 可再生能源(如太阳能逆变器)
• 医疗设备
• 开关式电源
• 不间断电源(UPS)
• 电机驱动器
• 高压DC/DC转换器
• 感应加热

“这些新型碳化硅MOSFET为电源转换器设计师提供了传统硅基晶体管的先进替代选择。”Littelfuse电源半导体产品营销经理Michael Ketterer表示, “其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会,包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。”

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下关键优势:

• 从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计。
• 极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

供货情况

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,提供450只装管式包装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

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