MOSFET

该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能,在电源转换系统中实现超快切换

3月15日 - 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

Littelfuse新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON)),分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。 其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。

这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括:

• 电动汽车
• 工业机械
• 可再生能源(如太阳能逆变器)
• 医疗设备
• 开关式电源
• 不间断电源(UPS)
• 电机驱动器
• 高压DC/DC转换器
• 感应加热

“这些新型碳化硅MOSFET为电源转换器设计师提供了传统硅基晶体管的先进替代选择。”Littelfuse电源半导体产品营销经理Michael Ketterer表示, “其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会,包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。”

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下关键优势:

• 从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计。
• 极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

供货情况

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,提供450只装管式包装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

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意法半导体的 PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路,能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。

不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%,PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品,而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET,是一个能效特别高的替代方案。与这些产品不同,只用一个PWD13F60即可完成一个单相全桥设计,这让内部MOSFET管没有一个被闲置。新全桥模块可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。

利用意法半导体的高压 BCD6s-Offline制造工艺,PWD13F60集成了功率 MOSFET栅驱动器和上桥臂驱动自举二极管,这样设计的好处是简化电路板设计,精简组装过程,节省外部元器件。栅驱动器经过优化改进,取得了高开关可靠性和低EMI(电磁干扰)。该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能,有助于进一步降低占位面积,同时确保系统安全。

PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的宽工作电压,配置灵活性和设计简易性得到最大限度提升。此外,新系统封装输入引脚还接受 3.3V-15V逻辑信号,连接微控制器(MCU)、数字处理器(DSP)或霍尔传感器十分容易。

PWD13F60即日上市,采用高散热效率的多基岛VFQFPN封装。

产品详情访问 www.st.com/pwd13f60-pr

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