选MOS管，N沟道比P沟道的优势在哪？
本文中，DigiKey探讨 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 的性能差异，分析为何 N 沟道更受青睐，助你选对元件。
MOS管
功率mos管为何会被烧毁？
mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。
MOS管为什么会被静电击穿？gs电阻可保护MOS？
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？
MOS管和IGBT对比
MOS管中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其输入阻抗高、开关速度快、热稳定性、电压控制电流等特性。IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管。是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。
MOS管和IGBT管的前世今生，该如何选择？
在电子电路中，MOS 管和 IGBT 管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用 MOS 管？而有些电路用 IGBT 管？
这几种MOS管“击穿”，你了解吗？
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）。
图解功率MOS管的每一个参数!
在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
电源防反接小结
电源的输入部分，为了防止误操作，将电源的正负极接反，对电路造成损坏，一般会对其进行防护，如采用保险丝，二极管，MOS管等方式，这里就稍微做一下梳理总结。
关于MOS管的15个为什么（二）
9、为什么在E-MOSFET的栅-漏转移特性上，随着栅-源电压的增大，首先出现的是饱和区电流、然后才是线性区电流？
【答】E-MOSFET的栅-漏转移特性如图1所示。在栅-源电压VGS小于阈值电压VT时，器件截止（没有沟道），源-漏电流电流很小（称为亚阈电流）。
关于MOS管的15个为什么（一）
1. 为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？