划重点 | 几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点
本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。
氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）是一种化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）元素组成。它具有一些重要的电子特性，使其在电子器件和半导体应用中具有广泛的用途。
总的来说，氮化镓是一种具有出色电子性能和热性能的半导体材料，广泛应用于高性能电子器件和半导体行业中。随着技术的不断进步，预计其在各种领域中的应用将继续扩展。
氮化镓
干货 | 氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要
本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。
纳微半导体推出全球首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场
增加GaNSense™技术，全新GaNFast™氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性
Nexperia第二代 650V功率GaN FET器件系列开始批量供货
Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术
Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。