晶体

很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解，因为这个电容有时可以去掉。参考很多书籍，却发现书中讲解的很少，提到最多的往往是：对地电容具稳定作用或相当于负载电容等，都没有很深入地去进行理论分析。  

很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解，因为这个电容有时可以去掉。参考很多书籍，却发现书中讲解的很少，提到最多的往往是：对地电容具稳定作用或相当于负载电容等，都没有很深入地去进行理论分析。

很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解，因为这个电容有时可以去掉。笔者参考了很多书籍，却发现书中讲解的很少，提到最多的往往是：对地电容具稳定作用或相当于负载电容等，都没有很深入地去进行理论分析。

很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解，因为这个电容有时可以去掉。笔者参考了很多书籍，却发现书中讲解的很少，提到最多的往往是：对地电容具稳定作用或相当于负载电容等，都没有很深入地去进行理论分析。

我们设计晶体回路时，总能遇见各种各样的问题，比如晶体回路频率不准，温度变化精度不准。本来在实验室测得很好的状态，可是大批量生产时有不起振的，或是工作一段时间有不工作的现象。总而言之关于晶体震荡回路总是有这样或那样的问题。今天帮大家整理一下思路，总结一下到底有哪些问题，该怎么解决。

晶体二极管开关电路在数字系统和自动化系统里应用很广泛，在晶体二极管开关特性实验中，其开关转换过程中输出与输入存在时间上的延迟或者滞后，研究晶体二极管开关特性主要是研究其开关状态转换过程所需时间的长短。Microsemi公司研制的DQ系列二极管具有超快速软恢复等优点，极大地提高了晶体二极管的开关速度。随着技术的发展，新型的SiC肖特基势垒二极管与采用Si或GaAS技术的传统功率二极管相比，SiC肖特基二极管(SiC-SBD)可大幅降低开关损耗并提高开关频率。在AM-LCD中，用C60制作的势垒二极管作为有源矩阵的开关，其工作速度也很快。作为开关器件使用时，其由开到关或由关到开所需时间越短越好，因此，对于晶体二极管开关速度快慢的原因需要进行认真分析探讨。在此基础上通过简明的实验电路，依据晶体二极管的参数选择合适的脉冲信号和负载，能够很清楚地观察到二极管开关转换过程时间的延迟。

<strong>二极管开关特性</strong>

很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解，因为这个电容有时可以去掉。笔者参考了很多书籍，却发现书中讲解的很少，提到最多的往往是：对地电容具稳定作用或相当于负载电容等，都没有很深入地去进行理论分析。

而另外一方面，很多爱好者都直接忽略了晶体旁边的这两个电容，他们认为按参考设计做就行了。

但事实上，这是MCU的振荡电路，又称“三点式电容振荡电路”，如图1所示。

<center><img src="http://mcu.eetrend.com/files/2017-06/wen_zhang_/100006477-20120-mcu.jpg…; alt="你必须知道的MCU外接晶体及振荡电路"></center><center><i>图1：MCU的三点式电容振荡电路</i></center>