ROHM

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET^*1的AC/DC转换器^*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。

近年来，家电和工业设备领域的AC/DC转换器，不仅要支持交流输入85V～264V以处理世界各地的交流电压，作为电源整体还要符合能效标准“Energy Star^*3”和安全标准“IEC 62368”等，需要从国际视角构建电源系统。其中，对于AC/DC转换器IC来说，不仅要满足这些要求，还需要采用表贴型封装形式，以降低工厂的安装成本。然而，事实上，在AC/DC转换器IC中仍然大范围地使用产生大量损耗和热量的DMOSFET和Planar MOSFET，即使表贴封装产品也很难满足几十瓦级的输出功率要求。为解决这些问题，ROHM开发一种具有45W输出功率的新产品，新产品已将低损耗SJ-MOSFET和优化的控制电路集成在小型表贴封装中。

新产品是将ROHM的低损耗功率半导体（Super Junction MOSFET，简称“SJ-MOSFET”）和控制电路等一体化封装的IC，使交流输入85V～264V、输出功率到45W的AC/DC转换器的开发变得更容易。新产品采用表贴型封装，实现了过去很难的电路板自动安装；而且还采用特别开发的控制电路，可以在取消电源输入端的放电电阻器（待机时的损耗源）的情况下也符合“IEC 62368^*4”标准；同时，利用ROHM自有的低待机功耗控制技术，使待机功耗显著降低。不仅如此，最高的工作电源电压（VCC）可达60V，无需降压用的外部电源电路。与同等性能的普通产品相比，支持自动安装将有助于降低工厂的安装成本，同时还将待机功耗降低90%以上，并减少4个电源电路器件，从而有助于提高节能性和可靠性。

新产品已于2021年7月开始出售样品（样品价格 500日元/个，不含税），计划于2022年1月起暂以月产20万个的规模投入量产。新产品和评估板“BM2P060MF-EVK-001”已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360、Sekorm、Right IC等电商平台均可购买。

今后，ROHM不仅会继续开发各种功率半导体和先进的模拟控制IC，还将为不同的应用提供更好的解决方案，不断为系统的节能和优化贡献力量。

新产品特点

表贴封装、可支持高达45W的输出功率，有助于降低工厂的安装成本

新产品将低损耗（低导通电阻）730V耐压SJ-MOSFET、启动电路和优化的控制电路集成在小型且散热性良好的表贴封装（SOP20A）中。作为支持输入电压AC 85V～264V的表贴封装产品，支持过去很难实现的高达45W的大输出功率（24V×1.875A=45W等），并实现了普通的插装型产品无法实现的自动安装，这将非常有助于降低工厂的安装成本。

待机功耗比普通产品低90%以上

新产品采用了融入ROHM高耐压工艺技术和模拟设计技术的控制电路（X电容^*5放电功能），即使取消以往必须的既是损耗源又具有防触电功能的放电电阻，也可以满足安全标准“IEC 62368”的安全要求。此外，利用自有的低待机功耗控制技术（优化控制功率半导体的开关次数和流经隔离变压器的电流），进一步降低了应用待机时的IC功耗，系统待机功耗与普通产品相比降低了90%以上，成功地将待机功耗抑制到17mW（AC输入230V、输出功率0W时）。

此外，还搭载了降噪模式，可抑制隔离变压器的异常噪声。当希望降低待机功耗时，可以关闭降噪模式，当担心隔离变压器的异常噪声或希望加快开发速度时，可以打开降噪模式，因此，可根据应用产品提供理想的电源系统。

电源电路元器件数量减少4个，功率半导体的故障风险更低，电源的可靠性更高

新产品可在11V～60V的更宽VCC电源电压范围内工作。60V的最高电源电压是普通产品的两倍，对外来噪声干扰和浪涌电压均具有很高的可靠性。此外，还可以减少普通产品所需的降压用外置电源电路的4个元器件。

不仅如此，在内置的功率半导体中，还采用了具有很强抗浪涌电压能力的SJ-MOSFET（抗击穿能力指标——雪崩耐量比普通产品中内置的DMOSFET和Planar MOSFET高30倍以上），降低了半导体的故障风险，因此有助于提高电源系统的可靠性。

应用示例

◇空调、白色家电、监控器、吹风机等各种家电

◇逆变器、AC伺服、路由器、OA设备等各种工业设备

适用于家电和工业设备中最高45W输出功率的各种AC/DC转换器。

与新产品相关的AC/DC转换器IC产品阵容

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电商销售信息

起售时间：2021年9月开始

电商平台：Ameya360、Sekorm、RightIC，在其他电商平台也将逐步发售。

销售产品

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术语解说

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）、SJ-MOSFET（Super Junction MOSFET）、DMOSFET（Double-diffused MOSFET）、Planar MOSFET（平面型MOSFET）

MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构进一步细分为DMOSFET、Planar MOSFET和SJ-MOSFET。使用硅衬底生产MOSFET时，DMOSFET和Planar MOSFET的生产成本比SJ-MOSFET要低，而SJ-MOSFET的耐压和输出电流能力比DMOSFET和Planar MOSFET要好，处理大功率时的损耗更少。

*2) AC/DC转换器

电源的一种，可将交流（AC）电压转换为直流（DC）电压。是电子设备所需的一种控制电路，负责将流经普通插座的交流电转换为电子设备工作所需的直流电。

*3) Energy Star

美国环境保护署（EPA）和美国能源部（DOE）于1992年制定的针对消费产品的能效标准。通过国际合作项目在其他国家也得到了应用，目标产品范围很广，其中包括家电和IT设备等。

*4) IEC 62368

音视频与信息技术设备安全标准。是基于旨在防止对人体造成伤害的“基于危害的安全工程（HBSE）”概念开发的安全标准。规定了危险能量源（造成伤害的源头）的识别、传递机制以及人体安全防护措施等指南。

*5) X电容

AC电源（AC/DC转换器）输入电路中用来抑制噪声的电容器。从插座上拔下插头后的一瞬间，X电容中仍带有电压，如果在这种状态下触碰插头的电极，可能会放电到人体并造成触电。

来源：罗姆半导体集团
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理（联系邮箱：cathy@eetrend.com）。

围观 9

有助于降低工厂的安装成本并提高白色家电和工业设备的节能性和可靠性

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”

近年来，家电和工业设备领域的AC/DC转换器，不仅要支持交流输入85V～264V以处理世界各地的交流电压，作为电源整体还要符合能效标准“Energy Star*3”和安全标准“IEC 62368”等，需要从国际视角构建电源系统。其中，对于AC/DC转换器IC来说，不仅要满足这些要求，还需要采用表贴型封装形式，以降低工厂的安装成本。然而，事实上，在AC/DC转换器IC中仍然大范围地使用产生大量损耗和热量的DMOSFET和Planar MOSFET，即使表贴封装产品也很难满足几十瓦级的输出功率要求。为解决这些问题，ROHM开发一种具有45W输出功率的新产品，新产品已将低损耗SJ-MOSFET和优化的控制电路集成在小型表贴封装中。

新产品是将ROHM的低损耗功率半导体（Super Junction MOSFET，简称“SJ-MOSFET”）和控制电路等一体化封装的IC，使交流输入85V～264V、输出功率到45W的AC/DC转换器的开发变得更容易。新产品采用表贴型封装，实现了过去很难的电路板自动安装；而且还采用特别开发的控制电路，可以在取消电源输入端的放电电阻器（待机时的损耗源）的情况下也符合“IEC 62368*4”标准；同时，利用ROHM自有的低待机功耗控制技术，使待机功耗显著降低。不仅如此，最高的工作电源电压（VCC）可达60V，无需降压用的外部电源电路。与同等性能的普通产品相比，支持自动安装将有助于降低工厂的安装成本，同时还将待机功耗降低90%以上，并减少4个电源电路器件，从而有助于提高节能性和可靠性。

新产品已于2021年7月开始出售样品（样品价格 500日元/个，不含税），计划于2022年1月起暂以月产20万个的规模投入量产。新产品和评估板“BM2P060MF-EVK-001”已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360、Sekorm、RightIC等电商平台均可购买。

今后，ROHM不仅会继续开发各种功率半导体和先进的模拟控制IC，还将为不同的应用提供更好的解决方案，不断为系统的节能和优化贡献力量。

<新产品特点＞

1、表贴封装、可支持高达45W的输出功率，有助于降低工厂的安装成本

新产品将低损耗（低导通电阻）730V耐压SJ-MOSFET、启动电路和优化的控制电路集成在小型且散热性良好的表贴封装（SOP20A）中。作为支持输入电压AC 85V～264V的表贴封装产品，支持过去很难实现的高达45W的大输出功率（24V×1.875A=45W等），并实现了普通的插装型产品无法实现的自动安装，这将非常有助于降低工厂的安装成本。

2、待机功耗比普通产品低90%以上

新产品采用了融入ROHM高耐压工艺技术和模拟设计技术的控制电路（X电容*5放电功能），即使取消以往必须的既是损耗源又具有防触电功能的放电电阻，也可以满足安全标准“IEC 62368”的安全要求。此外，利用自有的低待机功耗控制技术（优化控制功率半导体的开关次数和流经隔离变压器的电流），进一步降低了应用待机时的IC功耗，系统待机功耗与普通产品相比降低了90%以上，成功地将待机功耗抑制到17mW（AC输入230V、输出功率0W时）。

此外，还搭载了降噪模式，可抑制隔离变压器的异常噪声。当希望降低待机功耗时，可以关闭降噪模式，当担心隔离变压器的异常噪声或希望加快开发速度时，可以打开降噪模式，因此，可根据应用产品提供理想的电源系统。

3、电源电路元器件数量减少4个，功率半导体的故障风险更低，电源的可靠性更高

新产品可在11V～60V的更宽VCC电源电压范围内工作。60V的最高电源电压是普通产品的两倍，对外来噪声干扰和浪涌电压均具有很高的可靠性。此外，还可以减少普通产品所需的降压用外置电源电路的4个元器件。不仅如此，在内置的功率半导体中，还采用了具有很强抗浪涌电压能力的SJ-MOSFET（抗击穿能力指标——雪崩耐量比普通产品中内置的DMOSFET和Planar MOSFET高30倍以上），降低了半导体的故障风险，因此有助于提高电源系统的可靠性。

<应用示例＞

◇空调、白色家电、监控器、吹风机等各种家电
◇逆变器、AC伺服、路由器、OA设备等各种工业设备

适用于家电和工业设备中最高45W输出功率的各种AC/DC转换器。

<与新产品相关的AC/DC转换器IC产品阵容＞

<电商销售信息＞

起售时间：2021年9月开始

电商平台：

Ameya360、Sekorm、RightIC，在其他电商平台也将逐步发售。

销售产品:

概要	产品名称
内置730V耐压SJ-MOSFET的 ACDC转换器IC	BM2P060MF-Z
	BM2P061MF-Z
	BM2P063MF-Z
搭载BM2P060MF-Z的评估板	BM2P060MF-EVK-001

<术语解说＞

*1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）、SJ-MOSFET（Super Junction MOSFET）、DMOSFET（Double-diffused MOSFET）、Planar MOSFET（平面型MOSFET）

MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构进一步细分为DMOSFET、Planar MOSFET和SJ-MOSFET。使用硅衬底生产MOSFET时，DMOSFET和Planar MOSFET的生产成本比SJ-MOSFET要低，而SJ-MOSFET的耐压和输出电流能力比DMOSFET和Planar MOSFET要好，处理大功率时的损耗更少。

*2） AC/DC转换器

电源的一种，可将交流（AC）电压转换为直流（DC）电压。是电子设备所需的一种控制电路，负责将流经普通插座的交流电转换为电子设备工作所需的直流电。

*3）Energy Star

美国环境保护署（EPA）和美国能源部（DOE）于1992年制定的针对消费产品的能效标准。通过国际合作项目在其他国家也得到了应用，目标产品范围很广，其中包括家电和IT设备等。

*4）IEC 62368

音视频与信息技术设备安全标准。是基于旨在防止对人体造成伤害的“基于危害的安全工程（HBSE）”概念开发的安全标准。规定了危险能量源（造成伤害的源头）的识别、传递机制以及人体安全防护措施等指南。

*5）X电容

AC电源（AC/DC转换器）输入电路中用来抑制噪声的电容器。从插座上拔下插头后的一瞬间，X电容中仍带有电压，如果在这种状态下触碰插头的电极，可能会放电到人体并造成触电。

来源：罗姆半导体
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理（联系邮箱：cathy@eetrend.com）。

围观 22

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR*1的工业设备领域的AGV*2（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。

近年来，在扫地机器人、AGV和自动驾驶汽车等需要自动化工作的广泛应用中，可以准确测量距离和识别空间的LiDAR日益普及。在这种背景下，为了“更远”、“更准确”以及“更低功耗”地检测到信息，对提高作为光源的激光二极管的性能提出了更高要求。

ROHM已经拥有实现了更窄的激光线宽的自有专利技术，有助于LiDAR支持更远的距离并实现更高的精度。25W高输出功率激光二极管“RLD90QZW5”从2019年开始量产，在以消费电子设备领域为主的应用中越来越多地被采用。此次，为了将应用扩展到市场日益增长的工业设备领域，ROHM开发出75W高输出功率的激光二极管“RLD90QZW3”。

“RLD90QZW3”是一款红外75W高输出功率激光二极管，针对利用3D ToF系统*3进行测距和空间识别的LiDAR而开发。利用ROHM自有的元器件开发技术，在业界同等输出功率激光二极管中实现了225µm的超窄线宽。与线宽290µm的普通产品相比，线宽缩窄22%，实现了高光束性能。同时，通过使发光强度更均匀，并利用激光波长较低的温度依存性，可稳定发挥高性能，因此有助于LiDAR在各种环境下实现长距离应用和更高精度。此外，与窄线宽存在此消彼长关系的光电转换效率，也达到了与普通产品同等的21%（正向电流24A、75W输出时），因此在采用本产品时无需担心功耗会增加。

除此之外，为支持新产品快速引入市场，在ROHM官网上还免费提供评估和导入新产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路仿真和光学仿真用的模型等。

新产品于2021年6月开始出售样品（样品价格6,000日元/个：不含税），计划于2021年10月开始暂以月产20万个的规模投入量产。新产品在电商平台Ameya360和Sekorm上也已开售。

目前，ROHM正在开发具有120W高输出功率和车载级（符合AEC-Q102标准）激光二极管产品。未来，ROHM将继续为包括汽车领域在内的安全、便捷的LiDAR应用产品的开发贡献力量。

（点击查看大图）

新产品特点

1、实现225µm业界超窄线宽，有助于支持长距离应用并实现更高精度

新产品“RLD90QZW3”利用ROHM激光二极管元器件开发相关的专利技术，作为LiDAR用的75W高输出功率激光二极管，实现了225μm的业界超窄线宽。通过高密度发光实现了高光束性能。此外，除了在整个线宽范围成功地使发光强度更均匀外，激光波长的温度依存性低至0.15nm/℃，不易受温度变化的影响，因此可稳定地发挥其性能。

与同等输出功率、线宽290µm、温度依存性0.25nm/℃的普通产品相比，线宽缩窄22%，激光波长的温度依存性也可降低40%，因此可支持LiDAR的长距离应用；而在测量距离相等的情况下，有助于实现更高精度。

（点击查看大图）

2、具有出色的光电转换效率（PCE），采用本产品时无需担心功耗增加

新产品采用专利技术，在同等输出功率的产品中，不仅实现了业界超窄的线宽，而且，在与线宽存在此消彼长关系的光电转换效率方面，也实现了与普通产品同等的21%的效率（正向电流24A、75W输出时）。因此，在采用时无需担心功耗增加。

3、提供丰富的文档和设计数据，大力支持市场引入

为了加快本系列产品的市场引入，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列新产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路板开发用的数据和仿真用的模型（SPICE模型、Ray数据）等。

如欲了解更多信息，请访问 RLD90QZW3产品页面。

LiDAR用高输出功率激光二极管产品阵容

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ROHM在传感器光源领域的行动

一直以来，ROHM致力于开发并供应包括LED在内的FP激光二极管和VCSEL*4产品，最近此类产品在扫地机器人和监控摄像头等领域的ToF传感器光源等应用中日益普及。

同时，利用在推出各种产品过程中积累的光学元器件的开发经验和技术，持续推进旨在更大程度地发挥出元器件的性能并进一步提高输出功率的研发。

ROHM还通过元器件的开发及其在模块中的应用，开发出众多各具优势的传感器光源产品，为提高距离测量和空间识别系统的精度做出了贡献。

（点击图片查看详情）

来源：罗姆半导体集团
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围观 11

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向处理大功率的5G通信基站和PLC、逆变器等FA设备，开发出两款实现高耐压和大电流的、内置MOSFET的降压型DC/DC转换器IC*1“BD9G500EFJ-LA”和“BD9F500QUZ”。

近年来，在以5G通信基站和FA设备为首的先进工业设备中，越来越多地配备融和了AI和IoT技术的新功能。随之而来的是对所使用的电源IC提出了越来越高的要求：不仅要小型高效，还要具有高耐压性能，以确保即使受到雷电等引起的突发性浪涌电压*2也不会损坏；而且还要能支持大电流，以使众多功能工作。

ROHM利用先进的电源系统工艺和垂直统合型生产体制，为工业设备市场开发出众多电源IC产品，这些产品不仅特性出色，而且还很注重可靠性和长期稳定供应。此次，ROHM又面向先进的工业设备领域，开发出高耐压和大电流性能兼备的DC/DC转换器IC。

新产品是非隔离型*3DC/DC转换器IC，利用ROHM擅长的模拟设计技术开发而成，采用电源系统的BiCDMOS高耐压工艺，可提供先进工业设备所需的电源功能。

“BD9G500EFJ-LA”适用于48V电源系统，具有业内超高的80V耐压，同时由于其内置MOSFET，可实现同类产品中高达5A的输出电流，且支持大功率，从而有助于5G通信基站和充电桩等设备实现更高可靠性和性能。而“BD9F500QUZ”则适用于24V电源系统，采用小型薄型封装（3.0mm×3.0mm×0.4mm），虽然小巧却实现了39V的耐压和5A的输出电流，有助于以FA设备为首的众多先进工业设备实现更高性能和更小体积。

新产品已于2021年5月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格 500日元/个，不含税）。新产品和评估板“BD9G500EFJ-EVK-001”和“BD9F500QUZ-EVK-001”已经开始通过电商进行销售，从AMEYA360、SEKORM等电商平台均可购买。

今后，ROHM将充分利用模拟设计技术优势继续开发高性能、高可靠性的产品，持续为工业设备的节能、小型化和安全性贡献力量。

＜新产品特点＞

这两款新产品采用电源系统中的BiCDMOS高耐压工艺，并利用ROHM擅长的模拟设计技术开发而成，是内置MOSFET的非隔离型DC/DC转换器IC。新产品具备以下特点，有助于先进工业设备实现更高可靠性、更高性能和进一步小型化。

非常适用于48V电源系统的“BD9G500EFJ-LA”

1. 实现业内超高的80V耐压性能，安全工作范围更宽

BD9G500EFJ-LA采用BiCDMOS高耐压工艺，在内置高边MOSFET（非同步整流型*4）的非隔离型DC/DC转换器IC中，实现了业内超高的80V耐压等级，从而可以使安全工作范围更宽。与同等输出电流的普通产品相比，耐压成功地提高了约20％，不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中，而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中，都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压，因此有助于提高应用产品的可靠性。

2. 实现业内超高的5A输出电流，有助于先进工业设备进一步提高性能并缩小体积

BD9G500EFJ-LA不仅具有80V的高耐压性能，而且还实现了在耐压60V以上的DC/DC转换器IC中超高的5A最大输出电流。非常有助于实现旨在通过安装AI和IoT功能来提高性能的工业设备，以及配备更多功能的设备的小型化。另外，通过内置低损耗MOSFET，虽为非同步整流，却仍可在2A至5A很宽的输出电流范围内实现高达85%的功率转换效率，更加节能。

非常适用于24V电源系统的“BD9F500QUZ”

1. 通过节省安装面积和削减部件数量，有助于应用产品降低成本并更加小型化

BD9F500QUZ是内置MOSFET（同步整流型*4）的非隔离型DC/DC转换器IC，利用ROHM的模拟设计技术优势，以小型封装（3.0mm×3.0mm×0.4mm）实现了39V的耐压和5A的输出电流。与具有同等性能的普通产品（6.0mm×4.0mm×0.8mm）相比，尺寸减少约60%，而且还可以减少外围部件的数量。不仅如此，利用高达2.2MHz的高速开关性能，即使使用1.5µH的小型线圈也能实现稳定工作，可节省在电路板上的安装面积并可降低高度，从而有助于PLC和逆变器等各种FA设备的主电源系统的24V线应用降低部件成本并实现小型化。

2. 高效率和低发热量运行，有助于提高可靠性

BD9F500QUZ虽然采用的是不利于散热的小型封装，而且还支持高速开关，但仍然能够以很低的发热量工作。在具有同等功能的小尺寸产品中，IC温度接近100℃，因此需要采取散热措施（通过外置散热器和MOSFET来分散热量），而ROHM新产品的工作效率高达90%（输出电流为3A时），并采用散热性能出色的封装，工作时的发热温度仅为65℃左右，因此客户无需采取散热措施，从而有助于提高应用的可靠性。

＜新产品DC/DC转换器IC的主要特性＞

适用于48V电源系统的“BD9G500EFJ-LA”
・需要48V级电源输入的5G通信基站的功率放大器、充电桩、服务器等
・需要60V/48V级电源输入的电动自行车、电动工具等
・浪涌电压较大的电机应用（吸尘器和洗衣机等白色家电）

适用于24V电源系统的“BD9F500QUZ”
・需要24V级电源输入的包括PLC和逆变器在内的各种FA设备、监视摄像头等
・用于各种工业设备中的FPGA和SoC等低电压工作控制系统的电源

来源：罗姆半导体集团
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~24款适用于工业设备及大型消费电子设备的－40V和－60V耐压产品全新上线~

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

本系列产品作为ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品，采用了第五代新微米工艺，实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。－40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%、－60V耐压产的导通电阻较以往产品降低52%，有助于实现设备的节能性和小型化。

此外，通过优化元件结构并采用有利于改善电场集中问题的新设计，进一步提高了产品品质，并使普遍认为相互矛盾的产品可靠性和低导通电阻两者同时得到兼顾，从而有助于追求高品质的工业设备长期稳定运行。

本系列产品已于2020年8月份开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格　200日元/个，不含税），产品可通过AMEYA360、SEKORM、Right IC、ONEYAC网售平台购买。前期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）。

未来，ROHM将持续扩充封装阵容，以支持更广泛的应用。同时，还计划推进车载级产品的开发。除此以外，随着人们利用网络的“云端”工作模式和生活模式的快速发展，需要进一步丰富适用于需求日益扩大的数据中心服务器以及5G基站的产品阵容。ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基础上，还将持续推进更高效率的Nch MOSFET*2开发工作，为减少应用产品的设计工时并提高可靠性和效率做出贡献。

近年来，在工业设备和消费电子设备等领域，采用高输入电压的电源电路来实现高级控制的客户越来越多，对于MOSFET产品，除了低导通电阻的要求之外，也表现出对高耐压性能与日俱增的需求。

MOSFET产品分为Nch与Pch两种，而高效率的Nch应用更为普遍，但在高边使用Nch MOSFET时，需要栅极电压高于输入电压，因此就存在电路结构变得更复杂的问题。而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动，因此可简化电路结构，同时还有助于减轻设计负担。

在这种背景下，ROHM采用第五代微米工艺，成功开发出可支持24V输入、－40V/－60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

新产品特点

1．实现业界超低导通电阻

新产品采用ROHM第五代微米工艺技术，使栅极沟槽结构*4较ROHM以往产品更为细致精密，并提高了电流密度，从而在支持24V输入的－40V/－60V耐压Pch MOSFET领域中，实现了极为出色的单位面积低导通电阻。－40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%，－60V耐压产品的导通电阻较以往产品降低52%，非常有助于应用设备的节能性与小型化。

2．采用新设计，品质显著提升

新产品充分运用了迄今为止积累的可靠性相关的技术经验和诀窍，优化了元件结构，同时采用新设计，改善了最容易产生电场集中问题的栅极沟槽部分的电场分布，实现了品质的大幅度提升。在不牺牲导通电阻的前提下，又成功提高了原本与之存在此起彼消关系的可靠性，从而可改善在高温偏压状态下的元件特性劣化问题，有助于追求更高品质的工业设备实现长期稳定运行。

3．丰富的产品阵容，有助于减少众多应用产品的设计工时并提高可靠性

此次推出的新产品包括－40V和－60V耐压的共24款产品，适用于FA设备、机器人以及空调设备等应用。未来将继续扩展更丰富的封装阵容，以支持工业设备领域之外的更广泛应用，同时还计划开发车载级产品。此外，采用新结构的新一代工艺不仅应用在Pch MOSFET产品上，还会应用在Nch MOSFET产品上并扩大其产品阵容，为更多的应用产品减少设计工时和提高可靠性贡献力量。

产品阵容

应用示例

■ FA设备、机器人、空调设备等工业设备用风扇电机和电源管理开关

■ 大型消费电子设备用风扇电机和电源管理开关

术语解说

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistorの略）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。

*2) Pch MOSFET / Nch MOSFET

Pch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

*3) 导通电阻

使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。

*4) 沟槽结构

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化。

关于罗姆（ROHM）

罗姆（ROHM）成立于1958年，由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展

销售网点：起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有技术中心和QA中心，在北京设有华北技术中心，提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

围观 14

有助于大幅度降低白色家电的待机功耗并提高其可靠性

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向空调、洗衣机和吸尘器等白色家电，开发出过零检测IC“BM1ZxxxFJ系列”产品。

为了有效地对电机和微控制器进行控制，很多白色家电中都需要配置用来检测AC（交流）波形的0V电位（过零点※注）的电路（过零检测电路）。在以往的过零检测电路中，通常会使用光耦，其功耗约占整个应用的待机功耗的1/2。

ROHM的新产品是能够实现过零检测的IC。由于无需光耦就可以进行过零检测，因此功耗极低，可将正常通电时的过零检测电路的待机功耗降至0.01W。另外，在驱动应用时，将以往使用光耦的过零检测电路中随AC电压变化而波动的延迟时间误差降至±50µs以内。极低的待机功耗和极小的延迟时间误差，使得即使在各国不同的AC电源电压下，也可高效地驱动电机，成功实现了以往的过零检测电路很难实现的高精度微控制器驱动。而且，由于不再需要光耦，还可以降低经年老化的风险，有助于提高产品的可靠性。

本产品已于2020年6月份开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税），产品和评估板可通过AMEYA360、SEKORM、Right IC网售平台购买。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines Inc.（菲律宾）。

今后ROHM将在日常生活所需的消费电子领域，开发出高性能和节能产品，为社会贡献力量。

开发背景

近年来，随着物联网的快速发展，越来越多的白色家电中配备了Wi-Fi通信功能。由于必须始终通电以保持通信连接，而且家电制造商必须将待机功耗降低至0.5W以下，这将面临着比以往更大的挑战。目前，电机部分和电源部分的待机功耗改善工作已经到达瓶颈，亟需开发出创新技术。

在白色家电的电路开发中，过零检测电路尚未得到足够的重视，ROHM从这方面入手，开发出无需光耦也可进行过零检测的IC，大大降低了待机功耗。新产品能够显著降低待机功耗，得到了众多客户的高度好评，正在积极推进实际采用。

特点详情

新产品实现了无光耦的过零检测电路，有助于提高白色家电的节能性和可靠性。

1. 无光耦的过零检测电路，有助于大幅度地降低应用的待机功耗

传统的过零检测电路由光耦和晶体管组成，其待机功耗约占整个应用的待机功耗的1/2。此次，ROHM通过分析全球数百种电源模式和应用环境，成功开发出无光耦的过零检测IC。不仅可削减部件数量，还使过零检测电路的待机功耗无限接近零（仅0.01W）。不仅如此，在电机应用中，还可省掉电机输入电压检测电路，从而可进一步减少待机功耗和部件数量。

2. 有助于提高各国白色家电的可靠性和效率

在使用光耦的情况下，随着时间的推移亮度会降低，性能会下降，从而有发生故障的风险。此次的新产品无需光耦，因此不仅可降低故障风险，还可将AC电压带来的延迟时间误差降至±50μs以内。在这样的前提下，即使各国的电源电压（100～230V）标准不同，也可有效地驱动电机，成功实现了以往在过零检测电路方面难以实现的高精度微控制器驱动。

3. 可轻松替换以往的过零检测电路

新产品阵容强大，可分别对应以往的过零检测电路中使用的电路（普通整流/倍压整流）和波形（Pulse/Edge）。因此，无需更改软件即可轻松替换使用光耦的现有过零检测电路。

4. 具有“电压钳位功能”，可保护后段的微控制器

新产品支持的输入电压高达600V，并且通过在输出时分压至微控制器的额定电压以下的方式，可驱动最大额定电压为5V的常规微控制器。另外，还配备了“电压钳位功能”，可防止电压超过4.8V，在输入电压较高时可以保护微控制器。因此，适用于使用以空调等为对象的高压驱动电机的应用，即使出现异常电压，也能够做到对微控制器的保护。

应用示例

■空调、洗衣机、吸尘器等带有电机的白色家电

有助于充分降低白色家电待机功耗的过零检测IC产品阵容

新产品支持白色家电中不同规格区分使用的Pulse波形和Edge波形这两种波形，无需更改软件即可替换以往的过零检测电路。产品阵容中包括以下6款产品，适用于各种白色家电。

※因规格而异的两种输出波形。

评估板信息

下面的过零检测IC评估板配备了用来驱动过零检测IC的电源，可轻松进行元器件评估。使用该评估板，可非常方便地对使用光耦的现有电路的替换问题进行讨论评估。

开始销售时间：2020年6月起

网售平台：AMEYA360、SEKORM、Right IC

支持页面：https://www.rohm.com.cn/products/power-management/ac-voltage-zero-cross-...
（可从下列搭载的各IC型号的页面获取评估板的用户手册。）

评估板产品阵容

术语解说

※注过零点：在通过使用插座提供AC电源的白色家电中，为了进行电机控制和微控制器控制，需要能够读取AC波形的0V电压点（即过零点）的过零检测电路。另外，在过零检测电路中，提高过零检测的精度，可以更有效地控制电机和微控制器。而且，在电机停止时，能够将电压正好停止在0V状态，脉冲控制也更提升了电路的安全性。

【关于罗姆（ROHM）】

罗姆（ROHM）成立于1958年，由最初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为全球知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展】

销售网点：最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的一条龙体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在全国共设有20处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有技术中心和QA中心，在北京设有华北技术中心，提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件尖端技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

围观 11

~可加快车载主机逆变器等的普及速度~

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。

对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。

此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40％。

而且，通过大幅减少寄生电容※4（开关过程中的课题），与以往产品相比，成功地将开关损耗降低了约50％。

因此，采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代 SiC MOSFET，将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。本产品已于2020年6月份开始以裸芯片的形式依次提供样品，未来计划以分立封装的形式提供样品。

近年来，新一代电动汽车（xEV）的进一步普及，促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。特别是在驱动中发挥核心作用的主机逆变器系统，其小型高效化已成为重要课题之一，这就要求进一步改进功率元器件。

另外，在电动汽车（EV）领域，为延长续航里程，车载电池的容量呈日益增加趋势。与此同时，要求缩短充电时间，并且电池的电压也越来越高（800V）。为了解决这些课题，能够实现高耐压和低损耗的SiC功率元器件被寄予厚望。

在这种背景下，ROHM于2010年在全球率先开始了SiC MOSFET的量产。ROHM很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容，并在车载充电器（On Board Charger：OBC）等领域拥有很高的市场份额。此次，导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代 SiC MOSFET的推出，除现有市场之外，还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。

未来，ROHM将会不断壮大SiC功率元器件的产品阵容，并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势，继续为下一代汽车技术创新贡献力量。另外，ROHM还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助于预防评估问题的在线仿真工具在内的多样化解决方案，帮助客户解决问题。

特点

１．通过改善沟槽结构，实现业界极低的导通电阻

ROHM通过采用独有结构，于2015年全球首家成功实现沟槽结构※5SiC MOSFET的量产。其后，一直致力于进一步提高元器件的性能，但在降低低导通电阻方面，如何兼顾存在矛盾权衡关系的短路耐受时间一直是一个挑战。

此次，通过进一步改善ROHM独有的双沟槽结构，在不牺牲短路耐受时间的前提下，成功地使导通电阻比以往产品降低约40％。

２．通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

通常，MOSFET的各种寄生电容具有随着导通电阻的降低和电流的提高而增加的趋势，因而存在无法充分发挥SiC原有的高速开关特性的课题。

此次，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

术语解说

※1） MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。

※2）　短路耐受时间

MOSFET短路（Short）时达到损坏程度所需的时间。通常，当发生短路时，会流过超出设计值的大电流，并因异常发热引起热失控，最后导致损坏。提高短路耐受能力涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。

※3）　双沟槽结构

ROHM独有的沟槽结构。在SiC MOSFET中采用沟槽结构可有效降低导通电阻，这一点早已引起关注，但是需要缓和栅极沟槽部分产生的电场，以确保元器件的长期可靠性。

ROHM通过采用可以缓和这种电场集中问题的独有双沟槽结构，成功攻克了该课题，并于2015年全球首家实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产。

※4）　寄生电容

电子元器件内部的物理结构引起的寄生电容。对于MOSFET来说，有栅源电容（Cgs）、栅漏电容（Cgd）和漏源电容（Cds）。栅源电容和栅漏电容取决于栅极氧化膜的电容。漏源电容是寄生二极管的结电容。

※5）　沟槽结构

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

关于罗姆（ROHM）

罗姆（ROHM）成立于1958年，由最初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为全球知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展

销售网点：最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的一条龙体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在全国共设有19处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其15家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有设计中心和QA中心，在北京设有华北设计中心，提供技术和品质支持。设计中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件尖端技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

围观 19

助力网络音频和工业用接口等IoT设备的更长时间驱动和小型化

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出非常适用于NXP® Semiconductors （以下简称“恩智浦公司”）应用处理器“i.MX 8M Nano系列”的高效率电源管理IC（以下简称“PMIC”）“BD71850MWV”。

恩智浦公司的“i.MX 8M Nano系列”是在运算能力、节能性能、语音/音乐处理方面表现出色的应用处理器。

“BD71850MWV”是融入ROHM多年积累的处理器用电源技术优势，并集成了处理器所需的电源系统（Power Rail）与功能的PMIC。仅1枚芯片即可提供包括功率转换效率高达95%的高效率DC/DC转换器*1在内的系统所需的电源和保护功能，同时还内置进行最佳电源管理的ON/OFF时序器，不仅有助于应用的小型化，还使应用设计更加容易，并大大缩短开发周期。此外，作为恩智浦公司提供的i.MX 8M Nano处理器评估套件中搭载的唯一※PMIC，还可立即开始评估处理器的运行情况。

※截至2020年1月 ROHM调查数据

本产品已于2019年12月开始以月产40万个的规模投入量产（样品价格 800日元/个，不含税）。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.（菲律宾）。

未来ROHM将继续开发有助于节能和系统优化的产品与解决方案，不断为社会发展贡献力量。

＜背景＞

近年来，随着IoT技术的发展，诸如声控命令及流式音频等电子设备与用户交互（人机对话，人机互动）的需求日益高涨。

恩智浦公司的i.MX 8M Nano应用处理器拥有多达4个Arm® Cortex®-A53内核（工作频率高达1.5GHz）和一个适用于低功耗待机的Arm Cortex-M7内核（工作频率高达750MHz）。此外，还支持高级音频播放功能、高速接口等，可为众多消费电子设备和工业设备应用提供节能且高性能的解决方案。

ROHM一直致力于恩智浦公司i.MX 8M系列用最佳PMIC的开发，并于2018年推出适用于“i.MX 8M 系列”的PMIC“BD71837AMWV”，于2019年推出适用于“i.MX 8M Mini系列”的PMIC“BD71847AMWV”。此次，又针对采用先进工艺且具有优异节能性能的“i.MX 8M Nano系列”，推出新的PMIC“BD71850MWV”，该产品可支持i.MX 8M 系列所有应用处理器的电源管理。

＜新产品特点＞

1．仅1枚芯片即可轻松实现i.MX 8M Nano应用处理器所需的电源功能

“BD71850MWV”的电源电路根据i.MX 8M Nano应用处理器的电源系统设计而成，集控制逻辑、6通道降压型DC/DC转换器（Buck Converter）、6通道LDO*2于一身，仅这1枚芯片，不仅可为处理器供电，还可为应用所需的DDR存储器供电。此外，还内置有SDXC卡接口用1.8V/3.3V开关、32.768kHz晶振缓冲器及众多保护功能（各电源系统的输出短路、输出过电压、输出过电流及热关断功能）。

该产品还搭载功率转换效率高达95%的降压型DC/DC转换器，输入电压范围更宽，支持从1节锂离子电池到USB的广泛电压范围（2.7V～5.5V），因此，不愧为i.MX 8M Nano处理器应用领域的最佳PMIC。

不仅如此，还配备了可轻松评估BD71850MWV的环境。

配备Linux驱动程序，可缩短应用开发周期

ROHM还为客户准备了BD71850MWV的Linux驱动程序、设计时所需的外围应用相关的设计指南、参考电路及参考布局，可帮助客户缩短应用开发周期，从而有助于及时向市场推出产品。

关于Linux驱动程序和文档，请访问：

https://www.rohm.com.cn/products/-/product/BD71850MWV

i.MX 8M Nano EVK

已备好i.MX 8M Nano EVK，可立即评估

恩智浦公司可提供搭载BD71850MWV的i.MX 8M Nano处理器评估套件，可即刻开始评估i.MX 8M Nano处理器的工作。

ROHM开发出非常适用于恩智浦“i.MX 8M Nano系列”处理器的电源管理IC“BD71850MWV”

2．小型封装，节省空间42%

采用小型QFN封装(7mm x 7mm, 高度1mm Max, 间距0.4mm, 56pin)，不仅可提供所需的电源功能，而且PMIC的引脚配置设计还使i.MX 8M Nano应用处理器和DDR存储器的连接更加容易，非常有助于减轻PCB板布局设计时的负担。同分立元器件组成的与新产品相同的电源系统相比，部件数量可减少42个，贴装面积可缩减42%（以“单面贴装、Type-3 PCB”为条件）。另外，如果采用双面贴装，则仅需不到400mm2的空间即可实现电源功能。

3．可根据系统的用途量身定制

为了使应用设计更灵活更自由，新产品还搭载了支持电源模式（RUN、IDLE、SUSPEND、SNVS、OFF）的时序器。通过I2C接口和OTP（One Time Programmable） ROM，根据系统要求的功能和存储器类型，可定制各电源的输出电压、ON/OFF控制、保护功能的启用/禁用、以及电源模式的转换条件，从而可实现满足用途需求的最佳应用设计。

＜新产品的功能概要＞

- 输入电压2.7V ~ 5.5V

- 降压型DC/DC转换器 x 6ch、LDO x 6chDC/DC

- 搭载SD卡驱动用多路复用器

- 内置32.768kHz晶振电路

- 搭载丰富的保护功能（软启动功能、电源轨错误检测、过电压保护、过电流保护等）

- 支持I2C接口（Max 1MHz）

- 中断功能（带掩码功能）

＜术语解说＞

*1) DC/DC转换器

DC/DC转换器是电源IC的一种，具有将直流（DC）电压转换为直流电压的功能。主要有用来降低电压的降压型和用来提升电压的升压型两种类型。

*2) LDO稳压器(Low Drop Out　Regulator / 低饱和稳压器)

输入和输出的电压差较低，属于“线性稳压器”（输入输出电压呈线性动作）类别里的电源IC。

与DC/DC等开关稳压器相比，具有电路结构简单、噪声低等特点。

【关于罗姆（ROHM）】

罗姆（ROHM）成立于1958年，由最初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为全球知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。

【关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展】

销售网点：最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的一条龙体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在全国共设有19处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其15家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有设计中心和QA中心，在北京设有华北设计中心，提供技术和品质支持。设计中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件最尖端技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。

RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新产品，该系列产品是可在高温环境下工作的超低IR SBD，已经在日本国内的汽车市场取得非常优异的业绩。此次，利用其超低IR特性，实现了高达200V的耐压，可替换以往在汽车中普遍使用的整流二极管※3和快速恢复二极管※4（以下简称“FRD”），因此可显著改善VF※5特性（比以往FRD低约11％）。不仅有助于进一步降低应用的功耗，还可因发热量降低而实现小型封装设计，从而进一步节省空间。

本产品已于2019年7月份开始出售样品（样品价格250日元／个，不含税），预计将于2019年9月开始以月产100万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Wako Co., Ltd.（日本冈山），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）和ROHM Korea Corporation（韩国）。

开发背景

ROHM已实现可在车载的高温环境下使用的耐压达150V的超低IR SBD RBxx8系列的量产，并已获得高度好评。近年来，在48V轻度混合动力等驱动系统中，将电机和外围部件集成于1个模块的“机电一体化”已成为趋势技术，能够在高温环境下工作的高耐压、高效率SBD的需求日益高涨。而另一方面，在以往使用150V产品的系统中，高性能化和高可靠性要求越来越严格，因此要求SBD要具有更高的耐压性能。

在这种背景下，ROHM在RBxx8系列的产品阵容中新增加了200V耐压的产品。未来，罗姆将进一步扩充产品阵容，为车载和工业设备等广泛的应用领域进一步降低功耗、节省空间贡献力量。

特点

在高温环境下使用的车载和电源设备的电路，希望将以往的整流二极管和FRD替换为效率性能更优异的SBD。然而另一方面，SBD存在的问题是随着工作环境温度上升，IR特性会恶化，容易引发热失控，因此对于高效率且在高温环境下也可安全使用的产品开发需求越来越强烈。

RBxx8系列采用非常适用于高温环境的阻挡金属，大大改善了在车载和电源设备的电路中使用SBD时的最大课题--IR特性，成功打造了在车载和工业设备等高温环境下也可安全使用、无需担心热失控的SBD系列产品。

1. 替换FRD，有助于进一步降低应用的功耗

拥有超低IR特性，可实现高达200V的耐压，从而可将以往在需要200V耐压的车载系统中使用的FRD替换为SBD。RBxx8BM/NS200与FRD产品相比，VF特性可降低约11％，有助于应用的低功耗化。

2. 发热量减少，可小型封装设计，有助于应用进一步节省空间

更低VF可抑制发热量，因此与以往产品相比，可实现同一尺寸小型封装设计。

目前，中等功率封装品也在开发中，未来，曾经使用的5.9×6.9mm尺寸FRD产品将能够被替换为2.5×4.7mm的小型封装产品，安装面积可削减71%。

产品阵容

此次新增加的200V产品包括8款机型，至此，RBxx8系列的产品阵容已多达212款机型。

应用

动力传动系统等车载系统（xEV等）、工业设备逆变器、各种电源设备等。

术语解说

※1）IR（Reverse Current）

施加反向电压时产生的反向电流。值越小功耗越低。

※2）肖特基势垒二极管（Schottky-Barrier Diode：SBD）

具有“正向电压降较小、开关速度快”特点的二极管。主要用于开关电源等。

※3）整流二极管（Rectifier Diode）

具有从交流转换为直流功能的二极管。

※4）快速恢复二极管（Fast Recovery Diode： FRD）

将施加的正向电压切换为反向电压时，瞬间流过的反向电流达到零的时间（即反向恢复时间）很短的二极管。

※5）VF （Forward Voltage）

流过正向电流时二极管产生的电压值。值越小功耗越低。

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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向移动设备、可穿戴式设备及IoT设备，开发出一款内置MOSFET的升降压型DC/DC转换器*1)“BD83070GWL”，该产品实现了超高效率和超低消耗电流。

“BD83070GWL”是面向小型电池驱动的电子设备，以“低功耗环保元器件的标杆版”为目标开发而成的超低功耗升降压型电源IC。产品内置低损耗的MOSFET，并配置低耗电消耗电流电路，在各种电池驱动设备（电动牙刷以及剃须刀等）工作时（负载电流200mA时），功率转换效率高达97%，而且，消耗电流仅为2.8µA，在升降压型电源IC领域中也达到极高水平。因此，相比普通产品效率大大提升的应用在待机时（负载电流100µA时），电池续航时间可延长1.53倍（ROHM调查数据），非常有助于延长小型电池驱动的各种电子设备的续航时间。

本产品已于2019年4月开始出售样品（样品价格300日元/个，不含税），计划于2019年10月开始暂以月产100万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co.,Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地ROHM Apollo Co., Ltd.（日本行桥市）。此外，搭载本产品的评估板“BD83070GWL-EVK-001”也与本新闻稿发布同期开始网售，客户可从Ameya360、icHub、Sekorm购买。

未来，ROHM将继续利用模拟技术的优势，开发节能、高性能的电源IC，为社会的节能贡献力量。

背景

近年来，移动设备、可穿戴式设备及IoT设备等用电池驱动的电子设备已迅速普及。而且，为了提高产品的设计灵活度并确保配置新功能所用的空间，要求这些产品上搭载的元器件的功耗要降低到极限，以实现小型化并延长电池续航时间。

一直以来，ROHM充分利用模拟设计技术、电源系统工艺以及垂直统合型生产体制优势，致力于开发满足市场需求的电源IC。其中，针对移动设备也推出了升压电源IC“BU33UV7NUX”和降压电源 IC“BD70522GUL”等高效率、超低功耗的电源IC，非常有助于延长电池驱动应用的续航时间。此次，产品阵容又新增了超高性能的升降压电源IC，可满足更多应用的需求。