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NandFlash

NorFlash和NandFlash区别是什么?

demi 提交于

Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF。因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反。

Nand Flash工作原理

demi /

FLASH芯片分为Nor Flash和Nand Flash,Nor Flash容量小有独立的地址线,用于存储较小的程序代码如引导代码和程序参数,NAND FLASH容量大地址总线共用一组引线,Nand Flash用来安装操作系统存放应用程序及用户数据 像IOS,Linux Andriod

Nandflash操作详解

judy /

1.nandflash就是嵌入式系统的硬盘

2.分类
(1)MLC:存储单元格存储两位,慢,偏移,寿命短,容量大
(2)SLC:存储一位。快,寿命长,容量小,昂贵

3.访问

(1)独立编址,有专用的控制器,控制器里有相应的寄存器,先送地址,然后命令,最后数据
(2)地址组成:行地址(页编号),列地址(在页中的偏移),一个nand可以有很多块,每一块可以很多页,每一页的两个部分可以不同规格
(3)信号引脚:

4.初始化nand控制器,(搜索关键字operation)

NorFlash和NandFlash区别

judy /

Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF。因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反。

(1)闪存芯片读写的基本单位不同

应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页大小一般是512字节。要修改NandFlash芯片中一个字节,必须重写整个数据块。

(2)NorFlash闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NandFlash闪存是连续存储介质,适合存放大的数据.