ESD

人们对驾驶旅行和人车交互的预期发生了显著变化。因此，连接增加、自动驾驶、电气化等大趋势推动了汽车线束的革新，也增加了对高速数据传输和带宽的需求，旨在实现高级驾驶员辅助系统。

近日，Nexperia（安世半导体）宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。

静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等。

Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。

针对新型系统保护配置而优化了 USB3.2 SuperSpeed 的全新解决方案

在许多基于单片机的应用中，单片机都受到各类电磁噪声的影响。电气噪声可能导致应用出现异常行为。其中的两种噪声事件分别称为静电放电（ElectrostaticDischarge，ESD）和电过载（Electrical Overstress，EOS）。本应用笔记讨论了这两种事件、导致这些事件的原因以及如何最大程度降低它们对应用的影响。

先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。

(MCU测试部分)

一．MCU测试

1．mcu工作电压及电流,
测试MCU工作电压是否在工作电压范围，电压过高会影响MCU的正常工作甚至烧坏，工作电压过低会影响MCU的外围电路驱动能力，甚至导致外围电路不能正常工作。