ESD

人们对驾驶旅行和人车交互的预期发生了显著变化。因此，连接增加、自动驾驶、电气化等大趋势推动了汽车线束的革新，也增加了对高速数据传输和带宽的需求，旨在实现高级驾驶员辅助系统。

近日，Nexperia（安世半导体）宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。

静电放电（ESD）理论研究的已经相当成熟，为了模拟分析静电事件，前人设计了很多静电放电模型。常见的静电模型有：人体模型（HBM），带电器件模型，场感应模型，场增强模型，机器模型和电容耦合模型等。

Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。

<font color="#FD8900">针对新型系统保护配置而优化了 USB3.2 SuperSpeed 的全新解决方案</font>

Nexperia 是分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件方面的全球领先供应商。Nexperia 今日宣布：已优化其用于 C 型 USB 接口的 TrEOS ESD 保护二极管系列。新的 USB3.2 标准在 Rx 输入端引用了一个可选电容器，因此 Nexperia 现在推出了两组元件：一组元件在连接器和电容器之间提供极高的浪涌抗扰度，另一组元件则具有极低的触发电压，用于放置在电容器和系统芯片之间。

在许多基于单片机的应用中，单片机都受到各类电磁噪声的影响。电气噪声可能导致应用出现异常行为。其中的两种噪声事件分别称为静电放电（ElectrostaticDischarge，ESD）和电过载（Electrical Overstress，EOS）。本应用笔记讨论了这两种事件、导致这些事件的原因以及如何最大程度降低它们对应用的影响。

<span class="download"><a href="http://mcu.eetrend.com/files/2017-09/wen_zhang_/100008232-27412-0000178…《ESD和EOS的原因、差异及预防》</a></span>

先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。

静电，通常都是人为产生的，如生产、组装、测试、存放、搬运等过程中都有可能使得静电累积在人体、仪器或设备中，甚至元器件本身也会累积静电，当人们在不知情的情况下使这些带电的物体接触就会形成放电路径，瞬间使得电子元件或系统遭到静电放电的损坏(这就是为什么以前修电脑都必须要配戴静电环托在工作桌上，防止人体的静电损伤芯片)，如同云层中储存的电荷瞬间击穿云层产生剧烈的闪电，会把大地劈开一样，而且通常都是在雨天来临之际，因为空气湿度大易形成导电通到。

(MCU测试部分)

<strong>一．MCU测试</strong>

1．mcu工作电压及电流,
测试MCU工作电压是否在工作电压范围，电压过高会影响MCU的正常工作甚至烧坏，工作电压过低会影响MCU的外围电路驱动能力，甚至导致外围电路不能正常工作。

2． mcu静态电流
静态电流是衡量MCU性能的主要参数之一，静态电流越小越好，根据MCU规格书测试静态电流是否符合要求，一旦MCU有损坏的话，静态电流就会变大，会增加产品的静耗，致使产品整体功耗增加。

3．mcu的振荡频率
如MCU为外接晶振型的，需要检测其正常工作时MCU的晶振输入脚的振荡频率是否正确，如果晶振振荡频率不符合要求则会影响产品的定时及延时，甚至不能正常工作。

<strong>二．.产品的组合功能测试(MCU在线系统测试)</strong>

1．测试单片机软件功能的完善性。这是针对所有单片机系统功能的测试,测试软件是否写的正确完整。

2．上电、掉电测试。在使用中用户必然会遇到上电和掉电的情况,可以进行多次开关电源,测试单片机系统的可靠性。