CMOS

CMOS是互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的缩写,是一种常见的集成电路制造技术,也是数字集成电路和模拟集成电路中最常见的制造工艺之一。

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5月18日,杭州地芯科技有限公司(以下简称:地芯科技)在上海举办云腾系列新品发布会,发布了全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多频功率放大器模块(MMMB PAM),它应用于3G/4G手持设备(包括手机及其他手持移动终端)以及Cat1.物联网设备,支持的多频段多制式应用。本模块还支持可编程MIPI控制。

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地芯科技副总裁张顶平表示CMOS工艺是集成电路中最为广泛使用的工艺技术,具有高集成度、低成本、漏电流低、导热性好、设计灵活等特性,但也存在击穿电压低、线性度差两大先天性弊端,使其在射频PA应用上面临巨大的技术挑战。

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“业界一直有将CMOS工艺应用于射频的尝试,我们都知道在饱和PA领域,CMOS是主流,但是在线性PA领域,砷化镓PA是主流,地芯科技率先将CMOS PA进入饱和PA领域。因为我们看到,CMOS工艺目前从设计到制造到封测已经成熟 ,可以去替代中低端砷化镓PA了。”张顶平指出,“地芯科技的创始团队深耕线性CMOS PA技术十多年,在过往的经验基础上开拓创新,攻克了击穿电压低、线性度差两大世界级工艺难题,在全球范围内率先量产支持4G的线性CMOS PA,将使得CMOS 工艺的PA进入主流射频前端市场成为可能。”

他从放大器的FOM指标,线性度、可靠性方面做了对比。

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从这些指标上可以看出在低发射功率领域,CMOS PA的指标不输砷化镓PA,在可靠性领域,CMOS PA的指标完胜砷化镓PA,如下图所示。测试 条件 Pin = 6dB m , Vbatt = 4.6 V。“在非常极端条件下,在6dBm 在如此苛刻条件下,我们通过了,而砷化镓PA会烧掉。” 他总结说。

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此外,他表示    CMOS PA直接采用封装没有额外打线,因此可以保持良好的一致性,还有就是 CMOS PA有更高的集成度,下图显示了新品在集成度上的优势。

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据他介绍,GC0643是一款多模多频带(MMMB)功率放大器模块(PAM),支持3G/4G手机和物联网应用,并在WCDMA、TD-SCDMA和LTE模式下高效运行。该模块可通过移动工业处理器接口(MIPI®)进行完全编程。“它支持支持3G/4G IoT及手机应用 ;支持TD/FDD模式;支持B1/B3/B5/B8/B34/B39/B40/B4频带。”他指出。

3G:GC0643支持WCDMA、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSMPA)、高速分组接入(HSPA+)和TD-SCDMA调制。在各个功率范围和调制模式下,通过改变输入功率和DC-DC提供的电压值,来最大化功率放大器的效率

4G:GC0643支持1.4、3、5、10、15、20 MHz信道带宽。类似于3G操作,通过改变输入功率和DC-DC提供的电压值,来最大化功率放大器的效率。其中,PAM由一个用于低频、高频和中频的WCDMA/LTE模块和一个多功能控制模块组成,RF输入/输出端口内部匹配到50Ω,以减少外部组件的数量。CMOS集成电路使用标准MIPI控制来提供内部MFC接口和操作。极低的漏电流可最大限度地延长手机待机时间。

硅芯片和无源元件安装在多层层压基板上。29焊盘 4.0 mm x 4.0 mm x 0.81 mm LGA封装,可提供高度可制造、低成本的解决方案。

GC0643具体性能如下:在3.4V的电源电压下,在CMOS工艺难以企及的2.5G高频段,该CMOS PA可输出32dBm的饱和功率,效率接近50%;在LTE10M 12RB的调制方式下,-38dBc UTRA ACLR的线性功率可达27.5dBbm(MPR0),FOM值接近70,比肩GaAs工艺的线性PA。在4.5V的电源电压下,Psat更是逼近34dBm,并在Psat下通过了VSWR 1:10的SOA可靠性测试。该设计成功攻克了CMOS PA可靠性和线性度的主要矛盾,预示了线性CMOS PA进入Psat为30-36dBm主流市场的可能性。

GC0643技术亮点如下:

1、基于CMOS工艺路线的全新多模多频PA设计思路

2、创新型开关设计支持多频多模单片集成

3、创新的线性化电路设计

4、低功耗、低成本、高集成度、高可靠性的最佳解决方案

地芯科技CEO吴瑞砾表示,“Common-Source架构的CMOS PA和HBT的架构类似,其非线性实际上并非特别棘手到难以处理,主要问题在于无法承受太高的电源电压。”他也指出,“CMOS工艺提供了丰富种类的器件,以及灵活的设计性,通过巧妙的电路设计,可以通过模拟和数字的方式补偿晶体管本身的非线性。这也是CMOS PA设计最重要的课题之一。”

其实这款CMOS PA并不是地芯科技首款新品,作为国内为数不多的在射频领域深耕的企业,地芯科技在2022年就发布了国内首款超宽频、超宽带、低功耗、高性能、高集成度,且支持Sub 6GHz软件无线电的SDR射频收发机芯片——GC080X系列。

GC080X系列芯片运用了 Virtual Chip-Split芯片架构,该架构可以把模拟的IQ信号拉出来,把这颗芯片做一个自由组合,客户可以根据自己的需求灵活配置。此外,Virtual Chip-Split架构还可以实现射频信号到模拟信号之间的转化,也可以实现模拟信号到数字信号之间的转化。

GC080X系列芯片还集成了12bit的模数转换器ADC和12bit的数模转换器DAC。内置可编程模拟滤波器,支持最小0.7MHz带宽的模拟低通滤波器以及TX最大50MHz带宽的模拟低通滤波器,RX最大50MHz的模拟低通滤波器。混频器和锁相环也都集成在芯片内部,并且发射部分集成有驱动级放大器,可以输出8dBm以上单音信号。

GC080X系列能够支持的频率范围为200MHz到5GHz,可配置射频带宽能够支持小于200KHz到100MHz的范围,覆盖了几乎所有通信的频率需求,包括从物联网到射频的专网通信、卫星通信、航空航天等需求。

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这款收发机芯片直接对标某国际大厂同类产品,张顶平表示地芯科技在模拟领域有深厚积累,在ADC、时钟、混频器领域都有顶尖的产品,未来也有将各种融合的计划。

“这款CMOS PA在成本上有非常好的竞争力,我们的目标是首打物联网应用,其次是3G4G低端智能手机,功能机等应用。”他总结说。

关于地芯科技

杭州地芯科技有限公司成立于2018年,总部位于中国(杭州)人工智能小镇,并在上海及深圳设有公司分部。公司研发方向包括5G无线通信高端芯片、低功耗高性能的物联网芯片、高端工业电子模拟射频芯片以及无线通信模组等产品,横跨信号链、监测链、时钟链等多类型芯片,终端应用场景覆盖无线通信、消费电子、工业控制、医疗器械等多种领域。

公司的核心研发团队成员80%以上为硕士与博士学历,具有10至20年的芯片研发与量产经验,曾工作于高通、联发科、三星、TI等半导体企业,毕业于清华大学、浙江大学、加州大学洛杉矶分校、新加坡国立大学等海内外名校,涵盖系统、射频、模拟、数字、算法。软件、测试、应用、版图等技术人才,具有完备的芯片研发与量产能力。

作为国家高新技术企业、浙江省科技型中小企业,杭州市雏鹰计划企业以及杭州市余杭区企业研发中心,地芯科技致力于成为全球领先的5G无线通信、物联网以及工业电子的高端模拟射频芯片的设计者。

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集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类,TTL以速度见长,CMOS以功耗低而著称,其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。

有初学者在使用CMOS集成电路时,有些多余的输入端,做悬空处理,是非常不当的做法。

CMOS电路的输入端是不允许悬空的,因为悬空会使电位不定,破坏正常的逻辑关系。另外,悬空时输入阻抗高,易受外界噪声干扰,使电路产生误动作,而且也极易造成栅极感应静电而击穿。所以“与”门,“与非”门的多余输入端要接高电平,“或”门和“或非”门的多余输入端要接低电平。若电路的工作速度不高,功耗也不需特别考虑时,则可以将多余输入端与使用端并联。

除了以上这一点,关于CMOS集成电路的使用,在认真阅读产品说明及有关资料,了解其引脚分布及极限参数外,还应注意以下几个问题。

1、电源问题

(1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V,但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时,最低电压则不应低于4.5V。由于CMOS集成电路工作电压宽,故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正常工作,但是工作在不同电源电压的器件,其输出阻抗、工作速度和功耗是不相同的,在使用中一定要注意。

(2)CMOS集成电路的电源电压必须在规定范围内,不能超压,也不能反接。因为在制造过程中,自然形成许多寄生二极管,在正常电压下,这些二极管皆处于反偏,对逻辑功能无影响,但是由于这些寄生二极管的存在,一旦电源电压过高或电压极性接反,就会使电路产生损坏。

2、驱动能力问题

CMOS电路的驱动能力的提高,除选用驱动能力较强的缓冲器来完成之外,还可将同一个芯片几个同类电路并联起来提高,这时驱动能力提高到N倍(N为并联门的数量)。

3、输入端的问题

(1)输入端接长导线时的保护。

在应用中有时输入端需要接长的导线,而长输入线必然有较大的分布电容和分布电感,易形成LC振荡,特别当输入端一旦发生负电压,极易破坏CMOS中的保护二极管。其保护办法为在输入端处接一个电阻。

(2)输入端的静电防护。

虽然各种CMOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

(3) 输入信号的上升和下降时间不易过长,否则一方面容易造成虚假触发而导致器件失去正常功能,另一方面还会造成大的损耗。

对于74HC系列限于0.5us以内。若不满足此要求,需用施密特触发器件进行输入整形。

(4)CMOS电路具有很高的输入阻抗,致使器件易受外界干扰、冲击和静电击穿,所以为了保护CMOS管的氧化层不被击穿,一般在其内部输入端接有二极管保护电路。

输入保护网络的引入使器件的输入阻抗有一定下降,但仍在108Ω以上。这样也给电路的应用带来了一些限制:

(A)输入电路的过流保护。CMOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。例如,当输入端接的信号,其内阻很小、或引线很长、或输入电容较大时,在接通和关断电源时,就容易产生较大的瞬态输入电流,这时必须接输入保护电阻,若VDD=10V,则取限流电阻为10KΩ即可。

(B) 输入信号必须在VDD到VSS之间,以防二极管因正向偏置电流过大而烧坏。因此在工作或测试时,必须按照先接通电源后加入信号,先撤除信号后关电源的顺序进行操作。在安装,改变连接,拔插时,必须切断电源,以防元件受到极大的感应或冲击而损坏。

(C)由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

(D)要防止用大电阻串入VDD或VSS端,以免在电路开关期间由于电阻上的压降引起保护二极管瞬时导通而损坏器件。

4、CMOS的接口电路问题

(1)CMOS电路与运放连接。当和运放连接时,若运放采用双电源,CMOS采用的是独立的另一组电源。若运放使用单电源,且与CMOS使用的电源一样,则可直接相连。

(2)CMOS与TTL等其它电路的连接。在电路中常遇到TTL电路和CMOS电路混合使用的情况,由于这些电路相互之间的电源电压和输入、输出电平及负载能力等参数不同,因此他们之间的连接必须通过电平转换或电流转换电路,使前级器件的输出的逻辑电平满足后级器件对输入电平的要求,并不得对器件造成损坏。逻辑器件的接口电路主要应注意电平匹配和输出能力两个问题,并与器件的电源电压结合起来考虑。下面分两种情况来说明:

(A)TTL到CMOS的连接。用TTL电路去驱动CMOS电路时,由于CMOS电路是电压驱动器件,所需电流小,因此电流驱动能力不会有问题,主要是电压驱动能力问题,TTL电路输出高电平的最小值为2.4V,而CMOS电路的输入高电平一般高于3.5V,这就使二者的逻辑电平不能兼容。为此可在TTL的输出端与电源之间接一个电阻R(上拉电阻)可将TTL的电平提高到3.5V以上。

(B)CMOS到TTL的连接。CMOS电路输出逻辑电平与TTL电路的输入电平可以兼容,但CMOS电路的驱动电流较小,不能够直接驱动TTL电路。为此可采用CMOS/TTL专用接口电路,如CMOS缓冲器CC4049等,经缓冲器之后的高电平输出电流能满足TTL电路的要求,低电平输出电流可达4mA。实现CMOS电路与TTL电路的连接。 需说明的时,CMOS与TTL电路的接口电路形式多种多样,实用中应根据具体情况进行选择。

5、输出端的保护问题

(1)MOS器件输出端既不允许和电源短接,也不允许和地短接,否则输出级的MOS管就会因过流而损坏。

(2)在CMOS电路中除了三端输出器件外,不允许两个器件输出端并接,因为不同的器件参数不一致,有可能导致NMOS和PMOS器件同时导通,形成大电流。但为了增加电路的驱动能力,允许把同一芯片上的同类电路并联使用。

(3)当CMOS电路输出端有较大的容性负载时,流过输出管的冲击电流较大,易造成电路失效。为此,必须在输出端与负载电容间串联一限流电阻,将瞬态冲击电流限制在10mA以下。

转自:玩转单片机

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