16/14纳米

瑞萨电子株式会社宣布成功开发出全球首款(注1)分离闸金属氧化氮氧化硅(SG-MONOS，注2)闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16至14纳米(nm)或更细的片上闪存的微控制器(MCU)。SG-MONOS技术能够可靠应用于汽车应用，瑞萨电子目前正在采用该技术量产40纳米的MCU，28纳米的MCU也正在研发过程中。