下载中心

本文档概述了不同场景下的高速缓存一致性问题，并就如何管理或避免高速缓存一致性问题提供了一些方法建议。基于 Cortex-M7 的 MCU 上的所有可高速缓存位置均为读取分配。

本文档重点介绍了从 Microchip SAM C2x/D2x/L2x Cortex™-M0+器件迁移至 Microchip SAM D5x/E5x Cortex-M4 器件所需的硬件更改。本文档不涉及器件的特性或复用之间的差异，只涉及硬件上的差异。

本技术简介对 ADC 中的增益误差和失调误差进行了简要介绍。它还介绍了一种在带有 Arm® Cortex®-M0+内核的 SAM 系列单片机（MCU）中校准增益误差和失调误差的方法。在 SAM Cortex™-M0 + MCU中，ADC 增益和失调误差可通过硬件进行补偿，从而降低了补偿这些 ADC 误差的应用开销。

外部总线接口用来与外部存储器之间传输数据。MCU 的 EBI 在内部 AHB总线和外部存储器之间传输数据。EBI 映射到 Cortex®-M 内核的外部 RAM 区域。Cortex-M7 存储器系统的外部 RAM 区域（0x60000000-0x9FFFFFFF）专供片上或片外存储器使用。

本应用笔记旨在借助分别针对 Microchip SAM L10 和 SAM L11 Arm® Cortex®-M23 单片机的 Xplained Pro 评估工具包，开始使用这两款单片机。

Microchip SAM L10 和 SAM L11 Xplained Pro 评估工具包是用于评估 ATSAML10E16A 和 ATSAML11E16A 单片机的硬件平台。

本应用笔记介绍了 SAMA5x 系列微处理器中的 USB 暂停工作模式。

本文档演示了 USB 暂停功能及其在SAMA5D2/D3/D4 Xplained Ultra 板上的 Linux®中的实现和测试。

循环冗余校验(Cyclic Redundancy,Check,CRC)是一种稳健的错误校验算法，用于在处理数据之前确保数据的完整性。CRC值(校验和)与报文或特定数据块相关联。无论是用于通信的数据包还是存储器中存储的数据块，都可以在处理之前利用CRC帮助进行验证。

在基于单片机的嵌入式应用中，软件存储在非易失性存储器(通常是闪存)中并从中运行。闪存虽然为存储和执行代码提供了一种有效的介质，但从闪存中执行时，许多因素会限制确定性代码性能。影响确定性代码行为的一个重要因素是系统总线矩阵的复杂性。从SRAM中运行代码时，由于与闪存相同的原因，也会出现确定性代码性能问题。

基于 ARM® Cortex®的 Microchip 单片机（MCU）提供了 SleepWalking 功能。利用此功能可以临时异步唤醒某个外设来执行任务，而无需将 CPU 从待机模式中唤醒。

双线接口( Two-Wire Interface, TWI )与I2C接口很类似，只是略有不同。TMI外设通过由一根时钟线和一根数据线构成的独特双线总线提供元件接口。TWI可用于与I²C兼容的器件，例如实时时钟(RTC)、存储器和传感器。与I2C类似，TWI也支持标准速度(最高100kHz)和高速(最高400kHz)模式。